• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.244.1-244.1
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• 2014

디스플레이 패널의 터치 스크린에 가장 널리 사용되는 ITO 전극은 사용자의 눈에 전극 면이 시각적으로 구분되지 않도록 해야 한다. 따라서 최근에는 ITO 전극 면이 구분되지 않도록 하기 위해 다층 박막으로 이루어진 인덱스 매칭(index matching, IM) 기술을 이용하여 ITO 전극 필름을 제작하고 있다. 이러한 인덱스 매칭된 ITO 필름은 기판이나 공정 조건, 인덱스 매칭 층의 물질 종류에 따라 ITO 박막의 전기적 광학적 특성이 각각 다르게 나타나기 때문에 이에 대한 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 롤투롤 스퍼터링(roll to roll sputtering) 방법으로 고굴절과 저굴절이 순차적으로 코팅 처리된 PET 기판 위에 ITO 박막을 증착하여 IM-ITO 필름을 제작하고 전기적 광학적 특성을 관찰하였다. 이를 위해 습식(wet) 코팅 방법으로 저굴절층과 고굴절층을 PET 필름 위에 코팅하여 IM층을 제작한 PET 필름 위에 ITO 박막을 증착하고, $150^{\circ}C$로 후 열처리를 하여 인덱스 매칭된 ITO 필름을 제작하였다. 제작된 필름은 GIXD를 이용하여 박막의 구조와 결정성을 조사하였고, 면저항 측정기와 홀측정 장치를 이용하여 전기적 특성을 관찰하였다. 그리고 분광광도계와 탁도(haze) 측정기를 이용하여 광학적 특성을 조사하였다. 본 연구를 통해 롤투롤 스퍼터링 방법으로 유무기 복합막으로 구성된 IM-ITO 박막의 전기적 광학적 구조적 특성에 대해 보고하고자 한다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.19 no.3
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• pp.88-92
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• 2020

As a highly conductive and transparent electrode, the optical transmittances of ITO/Ag/ITO were simulated and compared with the experimental results. The simulations are based on the finite-difference time-domain (FDTD) method in solving linear Maxwell equations. In our simulations, the computation domain is set in the XZ-plane with 3D dimension, and a plane wave with variable wavelengths ranging from 250 nm to 850 nm is incident in the z-direction at normal incidence to the ITO/Ag/ITO film surrounded by free-air space. As the results through both simulations and experiments, it was shown that the thickness combinations by the ITO layers of about 40 nm and the Ag layer of about 10 nm could be most suitable conditions as a high conductive transparent electrode having the transmittance similar to that of a single ITO layer.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.14 no.3
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• pp.33-36
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• 2015

It has increased several decades in the field of Indium Tin Oxide (ITO) transparent thin film, However, a major problem with this ITO thin film application is high cost compared with other transparent thin film materials[1]. So far, in order to overcome this disadvantage, we show that a transparent ITO/Ag/i-ZnO multilayer thin film electrode would be more cost-effective and it has not only highly transparent but also conductive properties. The aim of this research has therefore been to try and establish how ITO/Ag/i-ZnO multilayer thin film would be more effective than ITO thin film. Herein, we report the properties of ITO/Ag/i-ZnO multilayer thin film by using optical spectroscopic method and measuring sheet resistance. At a certain total thickness of thin film, sheet resistance of ITO/Ag/i-ZnO multilayer was drastically decreased than ITO layer approximately $40{\Omega}/{\Box}$ at same visible light transmittance. (minimal point $5.2{\Omega}/{\Box}$). Tendency, which shows lowly sheet resistive in a certain transmittance, has been observed, hence, it should be suitable for transparent electrode device.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.275.2-275.2
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• 2016

본 연구에서는 pilot급 대면적 roll-to-roll 스퍼터를 이용하여 상온에서 제작한 ITO/Cu/ITO 다층 투명 전극의 유연 투명 히터 적용 가능성과 투명 전극의 면저항이 히터의 input 전압에 미치는 영향을 연구하였다. 상부/하부 ITO 두께를 35 nm로 고정하고 Cu interlayer의 두께를 변수(4 nm~ 12 nm)로 하여 제작한 ITO/Cu/ITO 다층 투명 전극의 전기적, 광학적, 구조적, 표면 특성을 분석하고 삽입된 Cu의 역할을 연구하였다. Cu 두께의 증가에 따라 면저항은 25.4 Ohm/square에서 5.80 Ohm/square로 급격히 감소하나 투과도 역시 75.51%에서 62.62%로 감소하였다. 유연 투명 히터에 적용하기 위해 최적화된 ITO/Cu/ITO 다층 박막의 유연성을 다양한 밴딩 테스트를 통해 분석하였으며, 10,000번의 반복 굽힘 시험에도 저항의 변화가 없음을 관찰 할 수 있었다. 이러한 저저항, 고투과, 고유연 ITO/Cu/ITO 다층 투명 전극을 이용하여 유연 투명 히터를 제작하였으며, Cu interlayer의 두께에 따른 유연 투명 히터의 발열 특성을 평가하였다. 유연 투명 히터의 온도를 100도에 이르게 하기 위한 Saturation input voltage는 투명 전극의 면저항에 가장 크게 영향을 받았고, 면저항이 낮아질수록 더 낮은 saturation input voltage에서 100도에 도달함을 알 수 있었다. Cu interlayer의 두께가 12 nm 일 때에는 6V의 input voltage로도 유연 투명 히터의 온도가 100도에 도달함 알 수 있었다. 이를 통해 roll-to-roll 스퍼터로 제작된 대면적 ITO/Cu/ITO 다층 투명 전극이 차세대 유연 투명 히터용 투명 전극으로 적용 가능성이 매우 높음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.244.1-244.1
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• 2015

The Ag Nanowire is one of the materials that are widely studied as alternatives to ITO and is available for large area, low cost process and the flexible transparent electrode. However, Ag nanowire can have the problem of a lack of stability at high temperatures, making this impossible to form a film. Using a structure of ITO/AgNW/ITO in photodetector device, we improved the properties of the ITO in the IR region and improved the thermal stability of the AgNW. The structure of ITO/AgNW/ITO has a high transmittance value of 89% at a wavelength of 900 nm and provide a good electrical property. The AgNWs embedded ITO film has a high transmittance, this is because of the light scattering from the AgNW. The thermal stability of the developed ITO/AgNWs/ITO films were investigated and found AgNWs embedded ITO films posses considerable high stability compared to the solo AgNWs on the Si surface. The ITO/AgNWs/ITO device showed a improved photo-response ratio compared to those of the conventional TC device in IR region. This is attributed to the high transmittance and low sheet resistance. We suggest an effective design scheme for IR-sensitive photodetection by using an AgNW embedded ITO.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.19 no.2
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• pp.108-110
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• 2009

Transparent Sn-doped $In_2O_3$ (ITO) single-layer and ITO/Au/ITO multilayer films were deposited on glass substrates by reactive magnetron sputtering to compare the properties of the films. They were then annealed in a vacuum of $1{\times}10^{-2}\;Pa$ at temperatures ranging from 150 to $450^{\circ}C$ for 20 min to determine the effect of the annealing temperature on the properties of the films. As-deposited 100 nm thick ITO films exhibit a sheet resistance of $130{\Omega}/{\square}$ and optical transmittance of 77% at a wavelength length of 550 nm. By inserting a 5 nm-thick Au layer in ITO/metal/ITO (IMI) films, the sheet resistance was decreased to as low as $20{\Omega}/{\square}$ and the optical transmittance was decreased to as little as 73% at 550 nm. Post-deposition annealing of ITO/Au/ITO films led to considerably lower electrical resistivity and higher optical transparency. In the Xray diffraction pattern, as-deposited ITO films did not show any diffraction peak, whereas as-deposited ITO/ Au/ITO films have Au (222) and $In_2O_3$ (110) crystal planes. When the annealing temperature reached the 150 - $450^{\circ}C$ range, the both diffraction peak intensities increased significantly. A sheet resistance of $8{\Omega}/{\square}$ and an optical transmittance of 82% were obtained from the ITO/Au/ITO films annealed at $450^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.573-574
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• 2013

본 연구에서는 Roll-to-Roll 스퍼터를 이용한 ITO 성막 공정에서 Ar 이온 빔 처리가 플렉시블 ITO 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성에 미치는 효과를 연구하였다. Roll-to-Roll 스퍼터를 이용하여 ITO 박막을 성막할 때 Linear ion source를 이용하여 Ar 이온을 ITO 박막에 직접 조사할 때 일어나는 ITO 박막의 변화를 분석하였다. Ar 이온 빔에 인가되는 DC 파워 변화에 따른 ITO 박막의 전기적, 광학적 특성 변화를 Hall measurement 및 UV/Visible spectrometry 분석법을 통해 확인하였다. 이온 빔 처리 공정 시 인가되는 파워가 DC 100 W일 때 $5.81{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$으로 이온 빔 처리를 하지 않은 $1.14{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$에 보다 낮은 비저항을 나타냄을 확인할 수 있었다. 이온 빔 처리 전/후 ITO 박막의 결정성은 포항 가속기 X-ray scattering법을 이용하여 분석하였으며, 결과를 통해 Ar 이온 빔 처리가 ITO 박막의 표면에서의 국부적인 결정성을 향상을 일으킴을 알 수 있었다. 이러한 결정성 향상이 Roll-to-Roll 스퍼터된 ITO 박막의 전기적 특성을 향상과 매우 밀접한 관계가 있음을 확인할 수 있었다. 또한 이온 빔 처리 전/후 ITO/CPI의 기판 휨에 따른 기계적 안정성을 알아보기 위해 bending frequency 60 Hz, bending radius 15mm로 bending test를 진행을 통하여 이온 빔 처리 전후 ITO 박막의 특성을 비교 확인하였다. 본 실험 결과를 통해 Ar 이온빔 조사에 의해 상온에서 결정형 ITO 박막을 CPI 기판위에 형성 할 수 있었다. 또한 최적화된 ITO 박막을 이용하여 유기 태양전지를 제작하였으며 이를 통해 Ar 이온빔 처리된 결정형 ITO의 유연 태양전지 응용 가능성을 타진하였다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2003.05c
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• pp.1841-1844
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• 2003

어떤 아웃소싱에서건 성과 측정을 못하면 관리할 수 없다. 기존의 ITO 서비스 측정 기준이 IT중심의 SLA이었다면, 본 논문에서 말하려는 ITO 서비스 측정 방법은 ITO 서비스에 대한 비즈니스측면의 가치 평가를 시도한 것이다. 기업의 성과평가를 위해 적용되는 BSC 개념을 ITO서비스에 도입하여 IT BSC체계를 확립하고, 이를 조직내 의사결정 레벨로 관리함으로써 ITO서비스 측정 지표값이 조직의 비즈니스 성과에 영향을 준다는 근거를 마련하고자 하는 것이다. 이로인해 사업목표와 연계된 ITO서비스 측정 기준을 마련함으로써, IT예산 산정의 합리적 근거를 확보할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.10a
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• pp.247-247
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• 2009

본 연구에서는 indium-tin oxide (ITO) 나노 입자 용액을 이용하여 간단한 공정을 통해 ITO 나노 패턴을 직접적으로 제작하는 기술에 대한 연구를 진행하였다. 이를 이용하여 300nm급 ITO 나노 dot 패턴을 제작하는데 성공하였으며 이를 glass 표면에 구현하는데 성공하였다.

• 전자공학회논문지 IE
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• v.44 no.2
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• pp.8-13
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• 2007

This paper aims to analyze the characteristics of ITO which are caused by variation of plasma condition to fabricate the OLED of high efficiency. We treated $N_2$ gas and $O_2$ gas plasma on the surface of the ITO by changing their RF plasma power into 100 W, 200 W, 400 W and by changing their 9as pressure into 12 mTorr, 120 mTorr. The work function of ITO that plasma treatment was done by using $N_2$ gas had value of $4.88{\sim}5.07\;eV$, and that by using $O_2$ gas, $4.85{\sim}4.97 eV$. The characteristics of the ITO were most efficient in the $N_2$ gas plasma with the RF power of 200W and gas pressure of 120 mTorr. The rms roughness of ITO surface is the value from AFM image. In this case, ITO obtained $25.2\;{\AA}$ and $30.5\;{\AA}$ in the $N_2$ and $O_2$ gas plasma respectively when it had the RF power of 200 W. But ITO that didn't have plasma treatment was $44.5{\AA}$. The variation of ITO transmittance was almost not discovered by the change of $N_2$ gas and $O_2$ gas pressure.