최근 무인항공기를 지칭하는 드론 관련 산업이 미래를 이끌 신산업으로 부상하고 있다. 드론은 20세기 초에 군사용으로 개발되어 정찰 감시 및 폭격과 같은 군사임무를 수행하여 왔으나 최근 들어 독일 DHL, 아마존, 구글 등과 같은 다국적 기업들이 상업적 용도로 활용을 선언하며 연구 개발에 뛰어 들면서 그 시장이 예상보다 빨리 커지고 있다. 미국 틸 그룹의 보고서에 의하면 2013년 세계 드론 시장의 규모는 66억 달러였고 그 중 군사용이 90% 이상을 차지하고 있으나 향후 민수용 시장 비율이 상당히 커질 것으로 예상된다. 2022년에는 114억 달러 규모로 커질 것으로 예상하고 있다. 현재 민수용으로 사진 촬영용 소형 드론으로부터 정밀농업, 인프라 관리, 택배 및 화물 수송 등으로 운용 범위를 확대하고 있다. 국내 드론 산업은 군수 위주로 시작되어 세계 7위권의 기술력을 확보한 것으로 평가되고 있다. 무인기 분야의 연구개발은 국방과학연구소와 한국항공우주연구원 등 정부출연연구소가 주도하는 가운데, 한국항공우주산업, 대한 항공이 주로 체계종합(System Integrator) 및 비행체 개발을 담당하고 LIG넥스원, 삼성탈레스, 삼성테크윈 등의 대기업을 포함한 중소업체들이 부체계 기술을 개발하고 있다. 최근 소형 드론을 중심으로 시장형성이 가시화되는 민수 시장에서는 가격, 기술 경쟁력의 열위에 있어, 국내 산업 경쟁력 확보와 미래 시장을 선도할 핵심 제품 개발이 시급한 실정이다. 또한 무인기의 비행체 국산화는 상당한 수준으로 진행되었으나, 광학(EO) 적외선(IR) 카메라 등 핵심 부가가치를 구성하는 탑재 임무장비의 경우 원천기술의 부족으로 해외에 의존하고 있다.
Direct membrane filtration (DMF) of wastewater has many advantages over conventional biological wastewater treatment processes. DMF is not only compact, but potentially energy efficient due to the lack of biological aeration. It also produces more biosolids that can be used to produce methane gas through anaerobic digestion. Most of ammoniacal nitrogen in wastewater is preserved in effluent and is used as fertilizer when effluent is recycled for irrigation. In this study, a technical feasibility of DMF was explored. Organic and nitrogen removal efficiencies were compared between DMF and membrane bioreactor (MBR). Despite the extremely high F/V ratio, e.g., $14.4kg\;COD/m^3/d$, DMF provided very high COD removal efficiencies at ~93%. Soluble microbial products (SMP) and extracellular polymeric substances (EPS) were less in DMF sludge, but membrane fouling rate was far greater than in MBR. The diversity of microbial community in DMF appeared very narrow based on the morphological observation using optical microscope. On the contrary, highly diverse microbial community was observed in the MBR. Microorganisms tended to form jelly globs and attach on reactor wall in DMF. FT-IR study revealed that the biological globs were structurally supported by feather-like materials made of secondary amines. Confocal laser scanning microscopy (CLSM) study showed microorganisms mainly resided on the external surface of microbial globs rather than the internal spaces.
The $JHK_S$ magnitudes of the red giant branch tip (TRGB) and the distance moduli of the nearby dwarf irregular galaxy IC 1613 have been determined from the near-infrared luminosity functions (LFs) of the resolved stars in the galaxy. Applying a Savitzky-Golay filtering, we derived the second derivatives of the LFs, and estimated the apparent magnitudes of the TRGB as $m_J\;=\;19.1$, $m_H\;=\;18.4$, and $m_{Ks}\;=\;18.0$. The mean values of the theoretical absolute magnitudes of the TRGB were measured by using the Yonsei-Yale isochrones with a metallicity range of -2.1 < [Fe/H] < -0.5 and age of 12 Gyr. The derived values of near-infrared TRGB distance moduli for IC 1613 are (m - M) = $24.12{\pm}0.25$, $24.20{\pm}0.44$, and $24.00{\pm}0.52$ for J, H, and $K_S$ bands, respectively.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제12권1호
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pp.1-9
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2012
A 10-b 500 MS/s A/D converter (ADC) with a hybrid calibration and error correction logic is described. The ADC employs a single-channel cascaded folding-interpolating architecture whose folding rate (FR) is 25 and interpolation rate (IR) is 8. To overcome the disadvantage of an offset error, we propose a hybrid self-calibration circuit at the open-loop amplifier. Further, a novel prevision digital error correction logic (DCL) for the folding ADC is also proposed. The ADC prototype using a 130 nm 1P6M CMOS has a DNL of ${\pm}0.8$ LSB and an INL of ${\pm}1.0$ LSB. The measured SNDR is 52.34-dB and SFDR is 62.04-dBc when the input frequency is 78.15 MHz at 500 MS/s conversion rate. The SNDR of the ADC is 7-dB higher than the same circuit without the proposed calibration. The effective chip area is $1.55mm^2$, and the power dissipates 300 mW including peripheral circuits, at a 1.2/1.5 V power supply.
Khorshidi, Abdollah;Khosrowpour, Behzad;Hosseini, S. Hamed
Nuclear Engineering and Technology
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제52권7호
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pp.1597-1601
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2020
Background: Non-destructive evaluation of defects in metals or composites specimens is a regular method in radiographic imaging. The maintenance examination of metallic structures is a relatively difficult effort that requires robust techniques for use in industrial environments. Methods: In this research, iron plate, lead marker and tungsten defect with a 0.1 cm radius in spherical shape were separately simulated by MCNP code and SuperMC software. By 192Ir radiation source, two exposures were considered to determine the depth of the actual defined defect in the software. Also by the code, displacement shift of the defect were computed derived from changing the source location along the x- or y-axis. Results: The computed defect depth was identified 0.71 cm in comparison to the actual one with accuracy of 13%. Meanwhile, the defect position was recognized by disorder and reduction in obtained gamma flux. The flux amount along the x-axis was approximately 0.5E+11 units greater than the y-axis. Conclusion: This study provides a method for detecting the depth and position of the defect in a particular sample by combining code and software simulators.
The ion exchange resins have been synthesized from chlormethyl styrene-1,4-divinylbenzene(DVB) with 1%, 2%, and 20%-crosslinking and macrocyclic ligand of cryptand 21 by copolymerization method and the adsorption characteristics of uranium(VI), copper(II) and dysprosium(III) metallic ions have been investigated in various experimental conditions. The synthesis of these resins was confirmed by content of chlorine, element analysis, and IR-spectrum. The effects of pH, equilibrium time, dielectric constant of solvent and crosslink on adsorption of metallic ions were investigated. The metal ion was showed fast adsorption on the resins above pH 3. The optimum equilibrium time for adsorption of metallic ions was about two hours. The adsorption selectivity determined in ethanol was in increasing order uranium$(UO^{2+}_2)\;>\;copper(Cu^{2+})\;>\;dysprosium(Dy^{3+})$ ion. The adsorption was in order of 1%, 2%, and 20% crosslink resin and adsorption of resin decreased in proportion to order of dielectric constant of solvents.
Some mononuclear oxovanadium(IV) complexes having the general formula [VOL(bidentate)] (1-4) of which L is tridentate ONS-donor salicylaldehyde S-methyldithiocarbazate (sal-mdtc$^{2-}$) or salicylaldehyde 4- phenylthiosemicarbazate (sal-phtsc$^{2-}$) and bidentate stands for 2,2'-bipyridyl (bpy) or 1,10-phenanthroline (phen) have been synthesized. The complexes were characterized by elemental analyses, FAB mass, UV, IR spectroscopy, and cyclic voltammetry. Two of the complexes [VO(sal-mdtc)(bpy)] (1) and [VO(sal-mdtc) (phen)] (2) were crystallographically characterized. The structures revealed that vanadium atom is octahedrally coordinated by the O, N, and S donor atoms of the tridentate ligand, the two N atoms of bidentate ligand, and the oxo atom. The oxygen donor, occupying an apical position has a trans-labilizing effect, resulting in elongation of the V-N bond. The cyclic voltammograms of the complexes exhibited one cathodic response in the range −d1.45 $\sim$ −f1.52 V due to the reduction of V(IV) to V(III).
We studied the electrical characteristics of low-k SiOCH interlayer dielectric(ILD) films fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). BTMSM precursor was evaporated and introduced with the flow rates from 16 sccm to 25 sccm by 1 sccm step with the constant flow rate of 60 sccm $O_2$ in process chamber. The vibrational groups of SiOCH thin films were analyzed by FT!IR absorption lines, and the dielectric constant of the low-k SiOCH thin films were obtained by measuring C-V characteristic curves. The heat treatment on SiOCH thin films reduced the FTIR absorption intensity of the Si-O-$CH_3$ bonding group and Si-$CH_3$ bonding group but increased the intensity of Si-O-Si(C) bonding group. The SiOCH ILD films could have low dielectric constant $k\;{\simeq}\;2$ and also be reduced further by decreasing the $CH_3$ group density and increasing Si-O-Si(C) group density through annealing process.
New high efficiency green light emitting phosphorescent devices with emission layers of [TCTA/TCTA:TAZ/TAZ]:Ir$(ppy)_3$ have been fabricated and evaluated in this paper. Among the devices having different thicknesses of TCTA:TAZ mixed layer in the total 300$\AA$-thick host of TCTA(80$\AA$)/TCTA:TAZ (50~100$\AA$)/TAZ, the device with host of TCTA(80$\AA$)/TCTA:TAZ(90$\AA$)/TAZ(130$\AA$) showed the best electroluminescent characteristics with the current density of 95 mA/$cm^2$ and luminance of 25,000 cd/$m^2$ at an applied voltage of 10V. The maximum current efficiency was 52 cd/A under the luminance of 400 cd/$m^2$.
본 연구에서는 부취물질인 tert-butyl mercaptan을 효율적으로 제거하기 위해 활성탄에 염화구리나 요오드화칼륨이 첨착된 첨착활성탄과 비첨착 활성탄의 흡착능을 비교 고찰하였다. 염화구리나 요오드화칼륨이 첨착된 활성탄이 비침착활성탄에 비해 흡착능이 월등히 우수하였다. 또한 첨착률에 따른 흡착능을 조사하였으며 첨착률이 일정량이상 증가하면 흡착성능이 감소하였다. 첨착 후 탈착되는 물질을 적외선 분광 분석기를 사용하여, 분석한 결과 tert-butyl mercaptan이 부취능이 1/1000이하인 tert-butyl dimethyl sulfide로 전환되었으며 질소분위기하에서의 반응실험을 통해 반응 메카니즘을 규명 하고자 하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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