Low dielectric materials have been great attention in the semiconductor industry to develop high performance interlayer dielectrics with low k for Cu interconnect technology. In our study, the dielectric properties of SiOC /SiO2 thin film derived from polyphenylcarbosilane were investigated as a potential interlayer dielectrics for Cu interconnect technology. Polyphenylcarbosilane was synthesized from thermal rearrangement of polymethylphenylsilane around $350^{\circ}C{\sim}430^{\circ}C$. Characterization of synthesized polyphenylcarbosilane was performed with 29Si, 13C, 1H NMR, FT-IR, TG, XRD, GPC and GC analysis. From FT-IR data, the band at 1035 cm-1 is very strong and assigned to CH2 bending vibration in Si-CH2-Si group, indicating the formation of the polyphenylcarbosilane. Number average of molecular weight (Mn) of the polyphenylcarbosilane synthesized at $400^{\circ}C$ for 6hwas 2, 500 and is easily soluble in organic solvent. SiOC/SiO2 thin film was fabricated on ton-type silicon wafer by spin coating using 30wt % polyphenylcarbosilane incyclohexane. Curing of the film was performed in the air up to $400^{\circ}C$ for 2h. The thickness of the film is ranged from $1{\mu}m$ to $1.7{\mu}m$. The dielectric constant was determined from the capacitance data obtained from metal/polyphenylcarbosilane/conductive Si MIM capacitors and show a dielectric constant as low as 2.5 without added porosity. The SiOC /SiO2 thin film derived from polyphenylcarbosilane shows promising application as an interlayer dielectrics for Cu interconnect technology.
본 연구에서 7,7'-(2,2'dimethoxy-1,1'-binaphthyl-3,3'-diyl) bis(4-(thiophen-2-yl) benzo[e] [1,2,5] thiadiazole (TBT) 라는 binaphthyl기를 기반으로 가지는 녹색 도판트 물질을 합성하였다. 추가적으로 인광 발광 물질인 iridium(III)bis[(4,6-di-fluoropheny)-pyridinato -N,C2]picolinate (FIrpic)을 홀 수송용 호스트 물질인 N,N'-dicarbazolyl-3,5-benzene (mCP)에 도핑하고, TBT와 bis(2-phenylquinolinato)-acetylacetonate iridium(III) (Ir(pq)2acac)를 전자 수송용 호스트 물질인 1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene (TPBi)에 도핑하여 백색 빛을 발광하는 white organic light emitting diode (OLED)를 제작하였다. TBT를 사용하여 제작한 white OLED의 최대발광 효율과 외부 양자 효율은 각각 5.94 cd/A 과 3.23%를 나타냄을 알 수 있었다. Commission Internationale de I'Eclairage (CIE) 색 좌표의 값은 1000 nit에서 (0.34, 0.36)을 띄면서 순백색을 구현함을 확인하였다.
벼의 유묘기 저온처리하에 나타나는 chlorosis현상의 유전양식을 규명하기 위하여 실험한 결과를 요약하면 다음과 같다. 벼 21 공시품종 유묘기 저온 ($18^{\circ}C$)처리에서 chlorosis가 나타나는 품종은 통일형인 "밀양23호"와 인디카형인 "IR 36", "Dular"로 3품종이었고, 모든 자포니카형 품종에서는 chlorosis가 나타나지 않았다. 저온처리하의 엽록소 함량 감소는 품종군과 재배종간에 다양한 차이를 나타내었다. Dular와 Toyohatamochi가 교배된 $F_2$ 집단에서 저온처리에 의해 나타나는 제 3엽의 chlorosis 현상에 대한 분리비는 정상 개체와 chlorosis 개체가 3 : 1의 이론적 분리비 적합하였다. 이결과로 벼의 유묘기 chlorosis의 유전은 단순열성 유전자에 의해 지배 되는 것으로 분석되었다.
스테인레스 스틸에 대한 합성된 폴리우레탄-에폭시 수지의 기계적 특성은 SEM, FT-IR, 인장특성, 그리고 EIS에 의한 특정질량손실량, 입도분석 등에 의해 물성을 측정하였다. 친환경적인 중방식 도료에 관한 관심이 고조됨에 따라 스테인레스 등의 금속에 코팅하는 무용제 도료를 합성하였다. 폴리올, IPDI, 충진제, 실리콘 계면활성제, 촉매 등이 함유된 기존 중방식수지보다 폴리올, MDI, 충진제, 실리콘 계면활성제, 촉매가 함유되어 합성된 중방식수지의 도료가 온도변화에 따른 인장강도가 증가하였고, 전해성이 높은 용액 속에서 저헝력이 크게 측정되었으며, 내구력과 강도가 양호하였다. 견고한 중방식수지의 기계적 특성은 가교와 부식환경의 차단력이 증가함에 따라 강도가 증가하였다. 결론적으로 중방식의 가교된 미세조직은 방청코팅이 어려운 스테인레스 스틸 같은 금속물질 코팅에도 좋은 실험결과를 보여주었다.
Purpose: Dental casting Co-Cr-Mo based alloys of five kinds of ingot type and two kinds of shot type were analyzed the melting processes with heating time of high frequency induction centrifugal casting machine using infrared thermal image analyzer. Methods: When Co-Cr-Mo based alloys were put about 30g/charge in the ceramic crucible of high frequency induction centrifugal casting machine and heat, Infrared thermal image analyzer and IR thermometer indicated these alloys in the crucible were set and operated. Results: The melting temperatures of alloys measuring infrared thermal image analyzer were deviated ${\pm}10^{\circ}C$ compared to those of manufacturing company. On the other hand, the melting time of alloys were differently appeared with the shape of alloys(ingot and shot type). Conclusion: The melting temperatures of dental Co-Cr-Mo based alloys were measured the degree of $1,360{\sim}1410^{\circ}C$ and the heating time with the alloys of ingot and shot type were deviated ${\pm}10sec$.
합성 수산화아파타이트(HAp)와 바인더로서 폴리아크릴산(PAA)을 사용하여 공침법으로 조성비가 서로 다른 HAp/PAA균질복합체 4종을 제조하였고, 이 균질복합체를 냉간정수압법으로 성형 및 공기중에서 여러조건으로 소결하였다. HAp/PAA composite의 소결체는 XRD 및 U-IR로 결정성 및 구조를 조사하였고, 또한 소결시편은 만능재료시험기(UTM)로 압축강도를 측정하였으며, 파단된 소결시편의 표면은 SEM으로 관측하였다 HAp/PAA composite는 120$0^{\circ}C$ 및 3시간의 소결조건에서 부분적인 $\alpha$, $\beta$-tricalcium phosphate로 상전이가 일어났다. 소결체의 기공크기와 기공률은 각각 0.2~3.0 $\mu\textrm{m}$와 0.49~13.43% 범위였고, 소결시편의 압축강도는 36.6~58.2 MPa 범위로 나타났다. 이상의 결과로 부터 HAp/PAA composite의 소결체는 균일한 기공형태로 인해 우수한 압축강도를 가지는 미세다공성 HAp라고 설명할 수 있다.
본 연구는 낮은 회 성분의 함량과 높은 발열량의 특성을 지닌 초청정 석탄의 촤 반응율 특성을 알아보았다. 실험은 DTF(Drop Tube Furnace)를 통해서 다양한 온도조건 하에 산소의 분율을 바꾸어가며 수행하였다. 촤 반응률을 도출하기 위하여 FT-IR을 통해 배기가스(CO, $CO_2$)를 측정하였으며, 이색온도계를 통하여서 입자 온도를 측정하였다. 또한, Arrhenius 경험식을 토대로 초청정 석탄 촤의 활성화 에너지와 빈도인자를 도출하였다. 결과는 초청정 석탄 촤의 반응특성은 온도와 산소 분율이 높아질수록 뚜렷한 증가를 보였고, 초청정 석탄 촤의 활성화 에너지는 역청탄의 수치와 비슷한 값을 보임을 알 수 있었다.
Chitosan을 아질산부해법을 이용하여 저분자화시킨 다음, 저분자량 chitosan의 유리 아민기와 trifluoroacetic anhydride를 반응시켜 새로운 함불소 chitosan 올리고머 유도체(FCO)를 합성하였다. 이들 반응의 진행은 FT-IR, $^{1}H\;NMR$, $^{19}F\{^{1}H\}NMR$ 등을 통해 확인하였다. FCO의 항바이러스 효과는 바이러스 감염용액에 다양한 농도의 FCO를 첨가하고 세포를 감염시킨 후, 36시간 후에 복제되고 있는 바이러스 DNA 양을 측정하여 조사하였다. 바이러스 복제는 FCO를 첨가하여 바이러스를 감염시킨 세포들에서, FCO를 첨가하지 않은 대조군에 비하여 첨가한 FCO의 농도에 비례하여 감소하여, FCO가 바이러스 감염을 효과적으로 억제함을 제시한다. 특히, 1% FCO의 감염용액으로 처리된 세포에서는 바이러스의 복제가 대조군에 비하여 40%로 감소하였다.
적외선 영상의 근거리 표적 (near targets)은 표적의 내부영역은 화소 값이 균일하고, 경계 영역은 배경과 인접해 있기 때문에 화소 값 변화가 불균일하다. 이러한 특성에 기초하여 본 논문은 적응적 구조요소 (adaptive structure element)를 이용한 열림 연산자에 의한 적외선 영상 표적 검출 기법을 제안한다 먼저, 국부 분산 가중치 정보 엔트로피 (weighted information entropy, WIE)를 이용하여 후보 표적군의 위치와 경계영역을 추출한 후, 이 경계 영역에 대하여 라벨링 연산을 수행하여 대략의 표적 영역을 검출한다. 이 대략의 표적 영역에 대하여 제한한 적응적 구조 요소를 이용한 열림 연산자를 수행함으로써 정확한 표적 모양을 검출한다. 이 구조 요소는 표적 경계 영역에서 필터창의 가중치 정보 엔트로피의 평균값을 계산함으로써 얻어진 표적 경계 폭에 의한 결정된다. 실험 결과로부터 제안한 방법이 기존의 방법에 비해 추출 성능이 뛰어남을 확인할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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