• 한국광학회지
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• 제31권3호
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• pp.142-147
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• 2020

본 연구에서는 Yb 광섬유 레이저 MOPA (master oscillator power amplifier) 시스템을 구축하여 고출력, 고효율의 근적외선 레이저 빔을 발진시키고, 이를 주기분극반전 준위상정합 비선형 광학 소자인 MgO:PPSLT에 단일 통과시키는 방식을 통하여 고출력 고효율 연속발진 녹색 레이저 빔을 생성하는 방법을 보고한다. 자발 펄싱을 억제할 수 있는 패브리-패롯 피드백 공진기 구조를 사용한 광섬유 레이저 주공진기를 사용하여 선폭이 좁고 선형 편광된 1064 nm 레이저 씨앗 빔을 안정적으로 생성할 수 있었으며, 이를 Yb 광섬유 증폭단에서 고출력으로 증폭시켰다. 증폭된 레이저 빔을 MgO:PPSLT에 통과시켜 고출력 고효율의 이차조화파를 얻을 수 있었는데, 이때 얻은 532 nm 레이저의 최고 출력은 기본 입사광의 출력이 25.0 W일 때 11.1 W였으며, 변환 효율은 44.4%를 얻었다.

• 한국광학회지
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• 제6권2호
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• pp.165-171
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• 1995

Infrared-Radio frequency double resonance (IRRFDR) and Infrared-Microwave double resonance (IRMWDR) spectroscopy have been used to probe a level of A symmetry for $CD_{3}$OH. Double resonance spectra of $CD_{3}$OH have been investigated over the range of 940 to 1020 $cm ^{-1}$ . Twenty K-type doublet transitions have been observed in both the radio frequency region, which covers 50 MHz to 1 GHz, and the microwave region, which covers 8 GHz to 12 GHz. The results propose new assignments of infrared (IR) absorption transitions and far-infrared (FIR) laser emission lines. These involve torsional excited levels and CO stretch states. Measurements of the A state splitting have permitted the determination of the asymmetry splitting parameters $S^{o}$(n, K) and $^{co}$ (n, K) for (n, K)=(0.3) and (1.3)

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.133-134
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• 2000

Effect of nitrogen doping on field emission characteristics of patterned Diamond-like Carbon (DLC) films was studied. The patterned DLC films were fabricated by the method reported previously[1]. Nitrogen doping in DLC film was carried out by introducing $N_2$ gas into the vacuum chamber during deposition. Higher emission current density of $0.3{\sim}0.4$ $mA/cm^2$ was observed for the films with 6 at % N than the undoped films but the emission current density decreased with further increase of N contents. Some changes in CN bonding characteristics with increasing N contents were observed. The CN bonding characteristics which seem to affect the electron emission properties of these films were studied by Raman spectroscopy, x-ray photoemission spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). The electrical resistivity and the optical band gap measurements showed consistence with the above analyses.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.319-320
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• 2007

We researched basic study about electrical characteristics of Zinc Selenide (Faraday Cell), which is known for various temperature of good-performance, that applied measuring current or protecting instrument by Optical Current Transducer, on Gas Insulated Switchgear. Measuring System consists of VCSEL produced 850nm IR Laser, Pin Photo Diode made of GaAs surveyed as Optical Power Meter, and Optical Fibers specified Multi-mode. We observed optical output changes during measurement of currents increasing by 100[A] in range from 0[A] to 1,000[A] and set temperature condition increasing by $5[^{\circ}C]$ in a range from $30[^{\circ}C]\;to\;60[^{\circ}C]$.

• Journal of Photoscience
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• 제6권3호
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• pp.117-121
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• 1999

Photoinduced electron transfer of C60 has been studied by the laser photolysis measuring the transient absorption bands in near-IR region. The electron transfer aromatic amines via the triplet state of C60 is confirmed by the decay of the transient absorption bands of the triplet state of C60 and the rise of the anion radical of C60 and the cation radicals of amines. The rate and efficiency of electron transfer are strongly affected by the donor ability of amines and polarity of solvents. Back electron-transfer kinetics is also strongly affected by the solvent polarity.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제19권9호
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• pp.947-951
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• 1998

$K_2NiF_4$-type layered compounds of the ($C_nH_{2n+1}NH_3)_2SnCl_4$ (n=2, 4, 6, 8, and 10) system have been synthesized from a stoichiometric mixture of $SnCl_2$ and alkyl ammonium salt using a low temperature solution technique under the inert atmosphere condition. Their crystal structures are assigned to the orthorhombic system by X-ray powder diffraction analysis. The a and b cell parameters show small changes. However, the c parameter is varied significantly according to the increment of alkyl chains of the organic layer which is located between inorganic layers in the compounds. The conformational phase transitions of the compounds are studied by the DSC in the temperature range of 300 to 500 K. FT-IR and Raman spectra are analyzed in the ranges of 1300 to 4000 cm-1 and of 50 to 360 $cm^{-1}$ with Ar-laser (λ=514.5 nm) excitation, respectively. Photoluminescence phenomena are observed for some compounds. The bond-length of Sn-Cl is determined by the EXAFS spectroscopic analysis.

• Journal of Ginseng Research
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• 제24권3호
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• pp.107-112
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• 2000

적변삼 표피조직의 적갈색의 침적물은 강력한 산화제에 의해서만 산화(탈색)되는 chelation power가 매우 큰 화학결합을 형성하고 있었다. CLSM으로 관찰한 결과, 적변삼 조직의바깥쪽으로 두껍게 침적물이 형성되어 있음이 확인되었으며, 조직의 형광강도를 이용하여 두께를 측정한 결과 약 120rm의 침적물이 축적되어 있음이 확인되었다. 또한 Spectrum분석 결과 적변삼 표피의 물질은 건강삼의 표피조직과는 다른 functional group을 포함하는 것으로 확인되었다. 건강삼과 적변삼의 표피조직을 강산과 강염으로 가수분해 하여도 조직에 침적되어 있는 적색의 물질은 용출되지 않았다. 적변삼과 건강삼의 표피조직과 뿌리의 각 부위별 총 페놀성화합물의 함량을 측정한 결과, 건강삼의 표피조직에서 가장 높게 나타났다. 이러한 결과는 페놀성 물질이 적변물질의 원인이 된다는 보고와 차이가 있는 것으로 페놀성 물질은 적변현상 유발의 직접적인 원인물질이 아님이 확인되었다. 따라서 인삼의 적변물질은 인삼뿌리의 유기성분(세포벽 분해산물, 세포내용물, azodicarbonamide 등)과 철이온 복합체로 추론되며, 이물질에 대한 계속적인 추적을 진행하고 있다.

• 자원리싸이클링
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• 제26권1호
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• pp.69-77
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• 2017

폐소형가전의 재활용 공정에서 발생하는 플라스틱류 중 검정색 플라스틱의 경우 재질 선별이 어려워 혼합물의 형태로 저급 재활용 되고 있다. 본 연구에서는 검정색 플라스틱의 재질별 선별을 위하여 비중선별, 정전선별, 근적외선 선별 및 IR/Raman 분광법 등 기존 선별 기술의 검토를 통하여, 현장 적용에 대한 문제점 및 제한사항을 확인하였다. 검정색 플라스틱의 재질선별에 대한 기술적 한계를 극복하기 위하여 레이저유도붕괴분광법(Laser Induced Breakdown Spectroscopy, LIBS)을 이용하여 검정색 플라스틱의 각 재질별 LIBS 스펙트럼을 분석하였으며, 정규화 과정을 수행한 후 차원축소 알고리즘인 주성분 분석(Principal Component Analysis, PCA)을 수행하였다. 또한, 검정색 플라스틱의 각 재질별 LIBS 스펙트럼 분석 및 주성분 분석을 통하여 향후 재질별 인식 및 선별 기술의 현장적용을 위해서는 추가적으로 해결해야 할 문제점을 확인하였다. 검정색 플라스틱의 재질별 인식의 정확성 및 선별효율의 향상을 위하여 지능형 알고리즘 분야의 연구를 통하여 효율이 우수한 분류기를 설계하고 분류기의 성능 및 신뢰도 향상을 위한 연구가 추가적으로 진행되어야 할 것으로 사료된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권3호
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• pp.401-406
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• 1998

LiNbO_3$ 단결정의 광학소자 광도파관 등의 응용을 위하여는 빛의 조사에 따라 굴절률이 변하는 광손상을 극복하여야 한다. 이러한 광손상 극복은 LiNbO_3$ 에 MgO를 첨가한 단결정의 성장과 산처리를 통하여 가능하다. 본 연구에서는 LiNbO_3$ 의 광손상 극복 기구를 이해하기 위하여, FT-IR을 이용하여 LiNbO_3$ 단결정에 MgO 첨가와 산처리가 발생시키는 격자결함의 변화를 OH- 흡수밴드를 통하여 간접적으로 관찰하였다. 또한 액체 헬륨을 이용한 온도강하시 생기는 격자결함의 관찰과 산처리한 시편의 광택연마와 열처리에 따른 격자결함으 조사하였다. MgO 첨가는 LiNbO_3$ 격자내 $Mg_{Nb}^{2+}$ 결함을 발생시켜 광손상 저항을 증가시키며, 산처리는 결정표면의 산소층에 $H^+$이온이 침입하여 격자결함을 발생시키며, 이 격자결함은 $400^{\circ}C$이상에서 열처리하면 $H^+$가 결정내부로 확산하여 들어감을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.134-134
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• 2009

In this work, we report that crystallization speed as well as the electrical and optical properties about the N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films. The 200-nm-thick N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin film was deposited on p-type (100) Si and glass substrate by RF reactive sputtering at room temperature. The amorphous-to-crystalline phase transformation of N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films investigated by X-ray diffraction (XRD). Changes in the optical transmittance of as-deposited and annealed films were measured using a UV-VIS-IR spectrophotometer and four-point probe was used to measure the sheet resistance of N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films annealed at different temperature. In addition, the surface morphology and roughness of the films were observed by Atomic Force Microscope (AFM). The crystalline speed of amorphous N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ films were measured by using nano-pulse scanner with 658 nm laser diode (power : 1~17 mW, pulse duration: 10~460 ns). It was found that the crystalline speed of thin films are decreased by adding N and the crystalline temperature is higher. This means that N-dopant in $Ge_2Sb_2Te_5$ thin film plays a role to suppress amorphous-to-crystalline phase transformation.