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시공 중 곡선형 PCT 거더교의 처짐 관리를 위한 GPS 적용 연구 (A Study on Application of GPS for Deflection Management of Curved PCT Girder Bridge under Construction)

  • 이규달;이진덕
    • 한국측량학회지
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    • 제33권5호
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    • pp.453-461
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    • 2015
  • 이 연구에서는 시공 중에 있는 곡선형 PCT 거더교의 처짐 관리를 위해 압출 시 예상되는 취약부위에 GPS를 설치하고 시공단계에 따라 처짐변위를 측정하였으며 응력, 온도 및 경사변위를 측정하여 GPS 관측데이터와 처짐변위와 비교하였다. 압출거리에 따른 GPS 실측값과 유한요소 모델링 해석값을 비교 분석한 결과, 실측값이 해석값에 비해 0.6∼1.6배 정도 차이가 발생하였으나, 온도를 보정함으로써 그 차이가 크게 감소하였다. 교량 거동 형상 분석 결과, 시공중 거동은 95m 지점과 75m 지점에서 노즈 선단부에 처짐이 발생하는 것을 확인하였으며 압축 취약부는 압축, 인장취약부는 인장력이 발생하였다. 연구결과, GPS 적용함으로써 시공 중 곡선형 PCT 거더교의 처짐 관리를 보다 효율적으로 가능할 것으로 판단되며, 향후 동일 공법의 교량을 시공할 시 향후 거동을 예측하고 관리하는데 도움을 줄 것으로 판단된다.

폴리올레핀계 필름 장기사용이 참외의 생육 및 품질에 미치는 영향 (Effect of Long Period Usage of Polyolefin Film on Growth and Fruit Quality in Korea Melon(Cucumis melo L. var makuwa Makino))

  • 신용습;연일권;이지은;정종도;최성용;정두석
    • 생물환경조절학회지
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    • 제18권1호
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    • pp.9-14
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    • 2009
  • 참외 하우스 피복필름 장기사용을 위하여 필름두께, 적외선 흡수율, 자외선 투과율이 다른 Polyolefin ilm(일본산, J-1, J-2, J-3)을 2006년 1월 16일 피복하여 3년 사용한 처리구와 한국의 참외 재배농가에서 관행으로 사용하는 Polyethylene film(K-1)을 2008년 1월 16일 피복하여 1년 사용한 처리구를 대조구로 설치하여 피복필름의 장기사용 가능성을 검토한 결과, 보온성은 J-2 처리구에서 가장 높았고 J-3, J-1 순이었으며, 초기생육도 J-2 처리구에서 가장 좋았다. 개화 및 수확소요일수는 K-1 처리구에 비하여 J-2처리구에서 10일 정도 단축되었다. 과피의 색도 및 당도는 K-1에 비하여 J-3, J-1, J-2처리구에서 다소 높은 경향이었고 상품과 수량은 J-2, J-1, J-3 처리구 순으로 높았다.

Formation and Characteristics of the Fluorocarbonated SiOF Film by $O_2$/FTES-Helicon Plasma CVD Method

  • Kyoung-Suk Oh;Min-Sung Kang;Chi-Kyu Choi;Seok-Min Yun
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.77-77
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    • 1998
  • Present silicon dioxide (SiOz) 떠m as intennetal dielectridIMD) layers will result in high parasitic c capacitance and crosstalk interference in 비gh density devices. Low dielectric materials such as f f1uorina뼈 silicon oxide(SiOF) and f1uoropolymer IMD layers have been tried to s이ve this problem. I In the SiOF ftlm, as fluorine concentration increases the dielectric constant of t뼈 film decreases but i it becomes unstable and wa않r absorptivity increases. The dielectric constant above 3.0 is obtain어 i in these ftlms. Fluoropolymers such as polyte$\sigma$따luoroethylene(PTFE) are known as low dielectric c constant (>2.0) materials. However, their $\alpha$)Or thermal stability and low adhesive fa$\pi$e have h hindered 야1리ru뚱 as IMD ma따"ials. 1 The concept of a plasma processing a찌Jaratus with 비gh density plasma at low pressure has r received much attention for deposition because films made in these plasma reactors have many a advantages such as go여 film quality and gap filling profile. High ion flux with low ion energy in m the high density plasma make the low contamination and go어 $\sigma$'Oss피lked ftlm. Especially the h helicon plasma reactor have attractive features for ftlm deposition 야~au똥 of i앙 high density plasma p production compared with other conventional type plasma soun:es. I In this pa야Jr, we present the results on the low dielectric constant fluorocarbonated-SiOF film d밑JOsited on p-Si(loo) 5 inch silicon substrates with 00% of 0dFTES gas mixture and 20% of Ar g gas in a helicon plasma reactor. High density 띠asma is generated in the conventional helicon p plasma soun:e with Nagoya type ill antenna, 5-15 MHz and 1 kW RF power, 700 Gauss of m magnetic field, and 1.5 mTorr of pressure. The electron density and temperature of the 0dFTES d discharge are measUI벼 by Langmuir probe. The relative density of radicals are measured by optic허 e emission spe따'Oscopy(OES). Chemical bonding structure 3I피 atomic concentration 따'C characterized u using fourier transform infrared(FTIR) s야3띠"Oscopy and X -ray photonelectron spl:’따'Oscopy (XPS). D Dielectric constant is measured using a metal insulator semiconductor (MIS;AVO.4 $\mu$ m thick f fIlmlp-SD s$\sigma$ucture. A chemical stoichiome$\sigma$y of 야Ie fluorocarbina$textsc{k}$영-SiOF film 따~si야영 at room temperature, which t the flow rate of Oz and FTES gas is Isccm and 6sccm, res야~tvely, is form려 야Ie SiouFo.36Co.14. A d dielec$\sigma$ic constant of this fIlm is 2.8, but the s$\alpha$'!Cimen at annealed 5OOt: is obtain려 3.24, and the s stepcoverage in the 0.4 $\mu$ m and 0.5 $\mu$ m pattern 킹'C above 92% and 91% without void, res야~tively. res야~tively.

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뇌신경교세포(腦神經膠細胞) 집단(集團)의 발생(發生)과 이동(移動)에 대한 방사선(放射線) 자기법적(自記法的) 관찰 II. 뇌(腦) 외배엽성(外胚葉性) 신경교세포(神經膠細胞)의 분열(分裂)과 이동(移動)에 대하여 (Radioautographical observations of development and appearance of glia cells in brain II. Division and migration of ectodermal glial cell in the brain)

  • 곽수동
    • 대한수의학회지
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    • 제32권4호
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    • pp.489-496
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    • 1992
  • The division, distribution and migration of the macroglial cells in the juvenile mouse brain were investigated with the radioautography. Forty mice (ICR) were randomly subdivided into two groups. The twenty mice from group 1 were weighing initially 5 to 6g, aged 10 to 12 days and were sacrificied at 2 hrs, 2, 3, 5, 7, 10, 15 and 20 days after a single intraperitoneal injection of $^3H$-thymichine ($4{\mu}$ Ci/g of body weight). Twenty mice from group 2 were weighing intially 2.5 to 5g, aged 3 to 8 days and were sacrificed at 2 hrs, 2, 3, 5. 7, 10, 15 and 20 days after a single($4{\mu}$ Ci/g of body weight) and/or after intraperitoneal repeated injections($2{\mu}$ Ci/g of body weight/interval) at 2, 3 and 5 days after the first injection. The brain preparations were processed for autoradiogrouphy using Kodak NTB-3 emulsion following development in Kodak D-19, fixation in Kodak fixer, and then stained with cresyl echt violet or hematoxylin counterstain. The labeling index of the ectodermal glial cells in the subependymal layers of the lateral ventricles (SLLV), corpus callosum (CC), molecular layer of the neocortex (MLN ), inner layer except the molecular layer in the neocortex (ILN) and medulla of the cerebrum (MC) were invested. 1. Labeling cells appeared from 2 hour and some of them sustained in the 20 day after injection. In the single injection group, the peak of the labeling index reached a 7.6% at 3 day, 3.6% at 7 day, 3.3% at 2 day, 5.0% at 3 day and 2.3% at 2 day from the SLLV. CC, MLN, ILN and MC, respectively. In the repeated injecton group, the peak of the labeling index reached a 32.0 at 7 day, 11.0% at 10 day, 89% at 7 day, 16.0% at 10 day and 10.8% at 15 day from the SLLV, CC, MLN, ILM and MC, respectively. 2 The glial cells of the SLLV were recognized as to be migrated into the CC and to be not or less to be into the MC and ILN but to be not into the MLN. Glial cell aggregates in the neocotex and MC were recognized as to be proliferated and then disappeared in the itself regions.

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한국 서.남해안 염습지 복원을 위한 염생식물의 생육지와 토양환경 분석 (Soil Environment Analysis and Habitat of Halophyte for Restoration in the Salt Marshes of Southern and Western Coasts of Korea)

  • 이점숙;임병선;명현호;박정원;김하송
    • 한국자원식물학회지
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    • 제22권1호
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    • pp.102-110
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    • 2009
  • 본 연구는 2006년 7월부터 2008년 4월까지 한국 서남해안의 대표적인 18개 해안 염습지에서 생육지와 토양특성을 조사하여 서남해안 염습지 식생복원을 위한 기초자료를 제시하였다. 조사지역은 염습지의 생육지 유형에 따라 1차적으로 해안성 염습지와 하구성 염습지로 구분하고, 2차적으로 해안성 염습지는 점토성 염습지, 사질성 염습지, 사구성 염습지, 하구성 염습지는 염소택지와 기수성 염습지로 구분하였다. 생육지 유형별 주요 식물군락은 점토성 염습지에서는 갈대군락, 천일사초군락, 칠면초군락, 사질성 염습지에서는 갈대군락, 갯잔디군락, 천일사초군락, 퉁퉁마디군락, 큰비쑥군락, 해홍나물군락, 사구성 염습지에서는 갯그령군락, 통보리사초군락, 순비기나무군락, 염소택지에서는 갈대군락, 갯잔디군락, 해홍나물군락, 천일사초군락, 하구 염습지에서는 칠면초군락, 갈대군락, 천일사초군락, 나문재군락으로 나타났다. 염생식물 군락분포지역의 토양 환경은 염생식물의 생육지 특성에 따른 염생식물군락과 토양의 차이가 나타났다. 따라서 해안 염습지를 복원할 경우, 염습지를 대상으로 생육지 토양의 물리적 특성, 이화학적특성을 파악하여 생육지 조건에 맞는 염생식물을 선정하고, 이식한 후 자연식생이 형성된 지역을 중심으로 점차 확장시킴으로써 염생식물이 안정적으로 정착, 발아, 생장하는데 유리할 것이다.

RF 마그네트론 스퍼터링법으로 합성된 Ga-doped ZnO 박막의 특성평가 (Characterization of Ga-doped ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering method)

  • 윤영훈
    • 한국결정성장학회지
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    • 제31권2호
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    • pp.73-77
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    • 2021
  • RF 마그네트론 스퍼터링 공정에 의해 Ga-doped ZnO 박막이 O2 및 Ar 분위기 하에서 증착 조건에 따라 합성되었으며, N2 분위기에서, 600℃에서 급속열처리(RTA)를 실시하였다. 증착된 ZnO : Ga 박막에 대해 두께를 측정하였고, XRD 패턴 분석에 의해 결정상을 조사하였으며, FE-SEM, AFM 이미지에 의해 박막의 미세구조를 관찰하였다. O2 및 Ar 분위기 기체 종류별로 형성된 박막들의 증착 조건에 따라 X-선 회절 패턴의 (002)면의 세기는 상당한 차이를 나타냈다. O2 조건에서는 Ga doping이 이루어진 단일 박막의 경우에서는 강한 세기의 회절피크가 관찰되었다. O2 및 Ar 조건에서는 Ga doping이 이루어진 다층박막의 경우에서는 다소 약한 세기의 (002) 면의 피크만을 나타내었다. FE-SEM image에서는 박막의 표면입자의 크기는 두께가 증가함에 따라 입자크기가 다소 증가하는 것으로 관찰되었다. O2 및 Ar 분위기 조건 하에서, Ga doping이 이루어진 다층박막의 경우에서는, 비저항은 6.4 × 10-4Ω·cm을 나타냈고, O2 분위기 조건하에서, Ga doping이 이루어진 단일 박막의 경우에서는 저항값이 감소하였고, Ga-doped ZnO 박막의 두께가 2 ㎛로 증가하면서 저항이 감소하였으며, 1.0 × 10-3 Ω·cm의 비교적 낮은 비저항 값을 나타내었다.