Reactive Ion Etching of GaN Using $BCI_3/H_2/Ar$ Inductively Coupled Plasma
($BCI_3/H_2/Ar$ 유도결합 플라즈마를 이용한 GaN의 건식 식각에 관한 연구)
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- Korean Journal of Materials Research
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- v.10 no.3
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- pp.179-183
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- 2000