• 분석과학
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• 제15권2호
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• pp.120-126
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• 2002

유도결합 플라스마 질량분석기(ICP-MS)와 유도결합 플라스마 원자방출분광기 (ICP-AES)를 이용하여 상업적으로 유통되고 있는 4 종의 분무기(Meinhard, ESI PFA, Cross-flow, Babington)와 한국표준과학연구원(KRISS)에서 직접 제작한 분무기인 KRISS Inert 분무기와 KRISS conespray 분무기의 성능을 평가하였다. 각 분무기의 압력, 시료주입량의 변화에 따른 시료주입 효율을 조사하였으며 ICP-MS와 ICP-AES에 연결하였을 때 시료주입량의 변화에 따른 감도, 안정성, 바탕선 세기, 산화물과 수소화물의 생성 비율을 조사하였다. 시료의 종류, 시료 양의 제한성, 분석기기의 종류, 분석 원소에 따라 가장 적합한 분무기를 선택해야 높은 감도, 낮은 바탕값, 안정한 신호세기 등의 좋은 분석결과를 얻을 수 있음을 알 수 있었다.

• 분석과학
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• 제10권4호
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• pp.240-245
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• 1997

ICP/MS에 의해 전혈 중의 납을 정확하게 분석하는 방법을 개발하였다. 전혈시료를 납의 오염과 손실 없이 마이크로파 분해장치에서 분해시키고, 96개 혈액시료 중의 $Pb^{208}$을 ICP/MS로 측정하여 분석하였다. 실제 인체 혈액 시료 중의 Pb 함량은 $2.50{\sim}22.8{\mu}g/dL$ 범위였다. NIST SRM 955a series를 분석함으로써 이 분석방법의 정확도를 확인하였다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
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• pp.63-71
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• 2007

현재 반도체 산업에서 플라즈마는 다양한 공정에 적용되고 있으며, 고집적 대면적 공정을 위한 다양한 플라즈마원들이 개발 중에 있다. 이 중 ICP는 현재 고밀도 플라즈마를 요구하는 공정에서 널리 쓰이고 있는 플라즈마원이다. 그러나 ICP는 안테나와 플라즈마 사이의 결합이 낮아 안테나의 전압과 전류가 높으며, 대면적에 적용하기 어려운 디자인 등의 여러 가지 문제점 들을 가지고 있는데, 이러한 ICP의 문제를 해결하기 위한 방법으로 강자성체를 ICP에 응용하는 플라즈마원이 연구되어 왔고 일부 장치에 쓰이고 있다. 이것은 ICP의 많은 문제들을 해결하면서도 여러 가지 장점을 가지는 것으로 평가되고 있다. 강자성체를 이용한 ICP는 플라즈마와 안테나의 결합계수가 1에 가깝기 때문에 강자성체 ICP에서는 간편한 변압기 임피던스 매칭이 적용 가능하다. 이 논문에서는 릴레이를 이용하여 변압기의 권선수를 제어하는 방식을 통해 새로운 임피던스 매칭이 제안되었다. 간단한 매칭 시스템을 구현하여 권선비가 바뀌었을 때 특성을 분석하였다. 2-채널 릴레이를 사용할 때 임피던스 매칭이 가능하였고, 디지털 회로와 마이크로콘트롤러를 사용하여 디지털 임피던스 매칭 시스템을 구현하였다.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 14TH KACG TECHNICAL MEETING AND THE 5TH KOREA-JAPAN EMGS (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM)
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• pp.65-70
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• 1998

The Spray-ICP technique uses the ICP(Inductively Coupled Plasma) of ultra-high temperature which is produced by r.f power. The ICP is well-kwown as a clean heat source for the preparation of pure ceramic particles because the ICP is a electrodeless-thermal plasma without contamination. In this study,{{{{ { SnO}_{2 } }}}} particles were sythesized from metal salt solution by Spray-ICP technique. The effects of concentration of solution, collecting location of powders were investicated. The prepared {{{{ { SnO}_{2 } }}}} particles from each concentration of solution had same crystalline phase(tetragonal {{{{ { SnO}_{2 } }}}}) a nd the mean size decreased in proportion to the increase of solution concentration. Each {{{{ { SnO}_{2 } }}}} p owders collector in reactor and electrostatic collector had same crystalline phase and morphologies. The mean size of {{{{ { SnO}_{2 } }}}} p articles prepared by Spray-ICP technique was below 30nm.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.328.1-328.1
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• 2014

MOSFET degradation의 대부분은 hot-carrier injection에 의한 interface state (Dit)의 생성에서 비롯되며 따라서 본 연구에서는 신뢰성에 대한 한 가지 방법으로 Charge pumping method를 이용하여 MOSFET의 interface trap(Dit)의 변화를 측정하였다. 소스와 드레인을 ground로 묶고 게이트에 펄스를 인가한 후 Icp를 측정하여 Dit를 추출하였다. 온도를 293~343 K까지 5 K씩 가변했을 때 293K의 Icp(${\mu}A$)는 0.12 nA 313 K는 0.112 nA 343 K는 0.926 nA이며 Dit (cm-1/eV-1)는 $1.61{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1) $1.49{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1) $1.23{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1)이다. 측정결과 Dit는 Icp가 높은 지점에서 추출되며 온도가 높아지게 되면 Icp전류가 낮아지고 Dit가 줄어드는 것을 볼 수 있다. 온도가 올라가게 되면 carrier들이 trap 준위에서 conduction band 위쪽에 이동하게 되어서 interface에 trap되는 양이 작아지게 된다. 그래서 이때 Icp를 이용해 추출한 Dit 는 실제로 trap의 양이 줄어든 것이 아니라 Thermal excess 현상으로 인해 측정되는 Icp의 양이 줄어든 것으로 분석할 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.612-615
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• 2000

The etch rate of $SiO_2$ in Enhanced - Inductive Coupled Plasma (E-ICP) and CW-ICP systems are investigated. As addition of $O_2$ to $CF_4$ gas increases oxide etch rate, E-ICP etching shows the highest etch rate (about 6000A) at an optimized condition with 30% $O_2$ in $CF_4$ 70Hz at the modulation frequency of 70Hz. E-ICP also shows better etch profile than CW-ICP.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.608-611
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• 2000

Large area plasma source becomes important as the substrate size increases. In this work, four inductively coupled plasma(ICP) unit sources are distributed 2${\times}$2 array. E-ICP concept is applied to the 2${\times}$2 array ICP and its effect is examined. Characteristics of the plasma are measured, and photoresist etching is performed with oxygen plasma. Good etching characteristic in terms of etching rate and uniformity can be obtained with E-ICP.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.573-576
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• 1998

In this paper, we analyzed electric field density and plasma condition to ICP reactor geometry structure, to generate plasma, to maintain plasma uniformity of large area LCD panel in ICP reactor also, we simulated electric field density for all kind existence current (antena and plasma current) in ICP reactor to analyze plasma antena structure

• 한국세라믹학회지
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• 제51권5호
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• pp.375-379
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• 2014

Nanocrystalline TiAlN coatings were prepared by reactively sputtering TiAl metal target with $N_2$ gas. This was done using a magnetron sputtering system operated in DC and ICP (inductively coupled plasma) conditions at various power levels. The effect of ICP power (from 0 to 300 W) on the coating microstructure, corrosion and mechanical properties were systematically investigated using FE-SEM, AFM and nanoindentation. The results show that ICP power has a significant influence on coating microstructure and mechanical properties of TiAlN coatings. With increasing ICP power, the coating microstructure evolved from the columnar structure typical of DC sputtering processes to a highly dense one. Average grain size of TiAlN coatings decreased from 15.6 to 5.9 nm with increasing ICP power. The maximum nano-hardness (67.9 GPa) was obtained for the coatings deposited at 300 W of ICP power. The smoothest surface morphology (Ra roughness 5.1 nm) was obtained for the TiAlN coating sputtered at 300 W ICP power.

• 전력전자학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.274-281
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• 2010

본 논문에서는 반도체 플라즈마 식각 시스템의 균일도 향상을 위한 CCP와 ICP 결합 임피던스정합 장치를 제안한다. 이중주파수 전원공급 장치는 CCP와 ICP로 구성되어 있고 첫 번째 구성은 고집적화를 위해 페라이트 코어를 사용한 유도 결합 플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma)방식이며, 두 번째 구성은 셀 전체의 균일도 향상을 위한 용량 결합 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma)방식이다. 제안된 시스템은 반도체 장비 산업에서 요구되는 높은 생산성을 실현할 수 있다. 본 논문에서는 제안된 시스템의 타당성을 검증하기 위해 CCP와 ICP 결합 임피던스정합 장치를 제작하였고, 이론적 분석과 27.12MHz 와 400kHz의 조건에서 시뮬레이션 및 실험을 진행하였다