Today, the most common process for generating Through Silicon Vias (TSVs) for 3D ICs is Deep Reactive Ion Etching (DRIE), which allows for high aspect ratio blind holes with low surface roughness. However, the DRIE process requires a vacuum environment and the use of expensive masks. The advantage of using lasers for TSV drilling is the higher flexibility they allow during manufacturing, because neither vacuum nor lithography or masks arc required and because lasers can be applied even to metal and to dielectric layers other than silicon. However, conventional nanosecond lasers have the disadvantage of causing heat affection around the target area. By contrast, the use of a picosecond laser enables the precise generation of TSVs with less heat affected zone. In this study, we conducted a comparison of thermalization effects around laser-drilled holes when using a picosecond laser set for a high pulse energy range and a low pulse energy range. Notably, the low pulse energy picosecond laser process reduced the experimentally recast layer, surface debris and melts around the hole better than the high pulse energy process.
Objective : Chronic subdural hematoma[CSDH] is usually treated by burr hole trephination and hematoma evacuation with closed drainage and the surgical result is relatively good in most reported series. But, some patients experience the recurrence of CSDH. We study the clinical factors related to the recurrence of CSDH. Methods : 213 consecutive patients with CSDH who were treated with burr hole trephination and hematoma evacuation with closed drainage. The medical records, radiologic findings were reviewed retrospectively and clinical factors associated with the recurrent CSDH were analysed statistically. Results : 8.4%[18 cases] of the 213 patients who were treated due to CSDH were recurred. The demographic variables such as age, sex, coexisting diseases were not related to the recurrence. The preoperative hematoma thickness and postoperative hematoma thickness were not associated with the recurrence. The only factor related to the recurrence is postoperative hematoma density in this study. Conclusion : This study shows that postoperative hematoma density was strongly related to the recurrence of CSDH. However, several factors associated with the recurrent CSDH were reported in the liletrature. Thus, further study will be needed to uncover the factors related to the recurrence of CSDH.
Port facilities and marine structures used in marine environment were encountered to corrosion damages because of the influence of $Cl^-$. Generally, to protect these accidents, mainly applied anti-corrosion paint and epoxy coating. But it was still remained erosion-corrosion damage such as impingement erosion, cavitation erosion, deposit attack. There was needs to develope the new coating materials to protective those corrosion damages. This paper, polyester glass flake, vinylester glass flake lining and epoxy coating for SS were investigated electrochemical tests and cavitation erosion test for corrosion behaviour under sea water. The main results obtained are as follows, 1) Surface of epoxy coating appear erosion pin hole but surface of polyester glass flake and vinylester glass flake lining do not appear erosion pin hole after impingement-cavitation erosion test in sea water. 2) Weight loss of polyester glass flake and vinylester glass flake lining do not occur after impingement-cavitation erosion test in sea water. 3) Corrosion current density of polyester glass flake lining less drained than epoxy coating and substrate under corrosion potential.. 4) Corrosion current density of vinylester glass flake lining with three coating less drained than that of polyester glass flake lining with two coating.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.27
no.10
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pp.40-44
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2010
Laser drilling is an enabling technology for Through Silicon Via (TSV) interconnect applications. Recent advances in picoseconds laser drilling of blind, micron sized vias in silicon is presented here highlighting some of the attractive features of this approach such as excellent sidewall quality. In this study, we dealt with comparison of heat affection around drilled hole between a picosecond laser and a nanosecond laser process under the UV wavelength. Points which special attention should be paid are that picosecond laser process lowered experimentally recast layer, surface debris and micro-crack around hole in comparison with nanosecond laser process. These finding suggests that laser TSV process has possibility to drill under $10{\mu}m$ via. Finally, the laser drilling platform was constructed successfully.
$SiO_2$ is one of the most abundant constituents of the Earth's crust and mantle. Probing its electronic structures at high pressures is essential to understand their elastic and thermodynamic properties in the Earth's interior. The in situ high-pressure x-ray Raman scattering (XRS) experiment has been effective in providing detailed bonding transitions of the low-z materials under extreme compression. However, the relationship between the local atomic structures and XRS features at high pressure has not been fully established. The ab initio calculations have been used to overcome such experimental difficulties. Here we report the partial density of states (PDOS) of O atoms and the O K-edge XRS spectra of ${\alpha}-quartz$, ${\alpha}-cristobalite$, and $CaCl_2$-type $SiO_2$ phases calculated using ab initio calculations based on the full-potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method. The unoccupied O PDOSs of the $CaCl_2$-type $SiO_2$ calculated with and without applying the core-hole effects present significantly distinctive features. The unoccupied O p states of the ${\alpha}-quartz$, ${\alpha}-cristobalite$ and $CaCl_2$-type $SiO_2$ calculated with considering the core-hole effect present similar features to their calculated O K-edge XRS spectra. This confirms that characteristic features in the O K-edge XRS stem from the electronic transition from 1s to unoccupied 2p states. The current results indicate that the core-hole effects should be taken in to consideration to calculate the precise O K-edge XRS features of the $SiO_2$ polymorphs at high pressure. Furthermore, we also calculated O K-edge XRS spectrum for $CaCl_2$-type $SiO_2$ at ~63 GPa. As the experimental spectra for these high pressure phases are not currently available, the current results for the $CaCl_2$-type $SiO_2$ provide useful prospect to predict in situ high-pressure XRS spectra.
Kim, Hae-Yoo;Kwon, Soon-Chan;Kim, Tae-Hong;Shin, Hyung-Shik;Hwang, Yong-Soon;Park, Sang-Keun
Journal of Korean Neurosurgical Society
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v.37
no.2
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pp.96-100
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2005
Objective: The brain computed tomography(CT) is an important tool throughout the clinical course of chronic subdural hematoma(CSDH). In CT findings, the density of CSDH is different in each case. We analyze management options and results according to the density of CSDH. Methods: Seventy one patients with CSDH, who had been managed in our institute from August 2001 to December 2003, were reviewed retrospectively. The authors divided the patients into six groups according to the density of hematoma; Group A-hypodense rather than the brain parenchyma, group B-isodense, group C-hyperdense, group D-mixed with hypodense and hyperdense, group E-mixed with isodense and hypodense and group F-mixed with isodense and hypersdense. In each group, the operation method, the duration of the indwelling catheter and prognosis were analyzed. Results: The patients who showed mixed density were 39 and, those who showed single density were 32. All the patients underwent burr hole drainage for the primary choice. There was only two cases that needed additional craniotomy. The average duration of indwelling catheter was $5.40{\pm}1.91$ days. Statistically the duration was not different in each group(p-value<0.05, $x^2$ test). Three cases recurred, one in group C, another in group D, and the last in group E. It had no statistical significance due to low incidence of recurrence. Conclusion: We conclude that burr hole drainage is an acceptable primary treatment option for CSDH even though the density of hematoma is different in every single case.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.13-13
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2010
Switching an elementary excitation by injecting a single carrier would offer the exciting opportunity for the ultra-high data storage technologies. However, there has been no methodology available to investigate the interaction of low energy discrete carriers with nano-structures. In order to map out the spatial dependency of such single carrier level interactions, we developed a pulse-and-probe algorithm, combining with low temperature scanning tunneling microscopy. The new tool, which we call single carrier spectroscopy, allows us to track the interaction with the target macrostructure with tunneling carriers on a single carrier basis. Using this tool, we demonstrate that it is possible not only to locally write and erase individual bi-solitons, reliably and reversibly, but also to track of creation yields of single and multiple bi-solitons. Bi-solitons are pairs of solitons that are elementary out-of-phase excitations on anti-ferromagnetically ordered pseudo-spin system of Si dimers on Si(001)-c(42) surfaces. We found that at low energy tunneling the single bisoliton creation mechanism is not correlated with the number of carriers tunneling, but with the production of a potential hole under the tip. An electric field at the surface determines the density of the local charge density under the tip, and band-bending. However a rapid, dynamic change of a field produces a potential hole that can be filled by energetic carriers, and the amount of energy released during filling process is responsible for the creation of bi-solitons. Our model based on the field-induced local hole gives excellent explanation for bi-soliton yield behaviors. Scanning tunneling spectroscopy data supports the existence of such a potential hole. The mechanism also explains the site-dependency of bi-soliton yields, which is highest at the trough, not on the dimer rows. Our study demonstrates that we can manipulate not just single atoms and molecules, but also single pseudo-spin excitations as well.
Ambrosia beetle, Platypus koryoensis, is a vector of oak wilt disease caused by Raffaelea sp. in Korea. The degree of damage by oak wilt disease was dependent on the density of the beetles in the oak trunk, a relationship between the degree of damage by oak wilt disease and the density of beetle on the basis of the number of entry hole was studied. Entry hole distribution within tree trunk was analyzed by the nearest neighbor method. Thirty four oak trees (Quercus mongolica) located in survey area were selected and then degree of damage, the number of attack hole/$623cm^2$ in upper (50cm from the surface) and lower (surface) trunk and the nearest neighbor distance between the holes were measured. The number of hole and the nearest neighbor distance in upper and lower part were positively correlated with each other. As the degree of damage was severer, the number of the holes increased, whereas the nearest neighbor distance decreased. The distribution pattern of the hole was changed from clumped one to uniform as the severity of damage increased. These results suggested that Platypus koryoensis attacked the oak tree in concentrative manner at initial stage of attack but at final stage, it distributed uniformly to reduce intraspecific competition between the beetles.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.305-306
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2009
In this study, we have invastigated the recombination zone in the blue phosphorescent organic light-emitting devices with various partially doped structures. The basic device structure of the blue PHOLED was anode / hole injection layer (HIL) / hole transport layer (HTL) / emittingvastigated the recombination zone in the blue layer (EML) / hole blocking layer (HBL) / electron transport layer (ETL) / electron injection layer (EIL) / cathode. After the preparation of the blue PHOLED, the current density (J) - voltage (V) - luminance (L) and current efficiency characteristics were measured.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.968-971
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2002
Hole injection characteristics have been investigated with various metal anodes such as Ni, Pt, Cu, and AI for the top emission polymer light emitting diodes (PLEDs). Devices were composed of metal anode, Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polystyrene sultponated acid (PEDT:PSS), poly [2-methoxy-5-(2-ethylhexyoxy)-1,4-phenylene-vinylene] (MEH-PPV) and Al cathode. The hole injection from ITO anode has been also investigated for the comparison. The I-V characteristics of the PLEDs with different metal anodes were measured. The work function of the anode is strongly related to the hole injection of the device. The current density of the device with Ni anode with higher work function was higher than that of the device with ITO or AI anode at the same operating voltage.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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