• 센서학회지
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• 제12권4호
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• pp.149-155
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• 2003

고감도 능동픽셀센서(active pixel sensor, APS)를 위한 PMOSFET 광검출기를 설계 및 제작하였다. 이 센서는 5V의 전원 전압을 사용하며, 1-poly 2-metal $1.5{\mu}m$ CMOS공정으로 제작하였다. 사용된 광검출기는 빛에 대한 감도를 높이기 위해서 n-well과 게이트를 연결한 PHOSFET을 사용하였다. 제작된 광검출기는 일반 MOSFET이 $I_{DS}-V_{DS}$ 곡선과 유사한 특성을 가진다. PMOSFET 광검출기를 기본으로 하여 설계된 1차원 이미지 센서는 16개의 픽셀로 구성되어 있으며, 단위 픽셀은 하나의 PMOSFET 광검출기와 4개의 NMOSFET으로 구성되어있다. 단위 픽셀의 크기는 $86{\mu}m{\times}90.5{\mu}m$이며, 개구율은 약 12%이다.