Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.39
no.10
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pp.912-918
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2011
The purpose of this research is to determine the dynamic roll-damping data of a spinning projectile in wind-tunnel testing. In the present work, the high-speed wind-tunnel tests for the roll-damping measurements were conducted on a spin-stabilized projectile model in the Agency for Defense Development's Tri-Sonic Wind Tunnel at spin rates about 12,000 rpm. The test Mach numbers ranged from 0.7 to 1.05, and the angles of attack ranged from -4 to +10 deg. The validity of the wind-tunnel measurement techniques was evaluated by comparing them with the previous test results on the same configuration.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.40
no.8
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pp.726-736
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2012
This paper deals with Spin/Stall Recovery Parachute System from design to ground taxiing stage which would be deployed on the high speed taxi of turbo-prop airplane. In detail design phase, design parameters- riser length, parachute type, size, porosity, parachute canopy filling time, and deployment method- were considered based on the analytical disciplines such as aerodynamics, structures, and stability & control. Before the installation of Spin/Stall Recovery System of turbo-prop airplane, all control functions of this system were validated by the SBTB(System Breakout Test Box) in the laboratory. SBTB was used to confirm if it can detect faults, and simulate the firing of pyrotechnic devices that control the deployment and jettison of it. Once confirmed normal operation, deployment of parachute on the high speed taxiing were performed.
Kim, Ji Eun;Kim, Jung Hwan;Hong, Seongchul;Cho, HanKu;Ahn, Jinho
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.15
no.1
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pp.6-11
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2016
For high volume manufacturing using extreme ultraviolet (EUV) lithography, mask protection from contamination during lithography process must be solved, and EUV pellicle is the strongest solution. Based on the technical requirements of EUV pellicle, EUV pellicle should have large membrane area ($110{\times}140mm^2$) with film transmittance over 90% and mechanical stability. Even though pellicle that satisfies size standard with high transmittance has been reported, its mechanical stability has not been confirmed, nor is there a standard to evaluate the mechanical stability. In this study, we suggest a rather simple method evaluating mechanical stability of pellicle membrane using spin-coater which can emulate the linear accelerated motion. The test conditions were designed by simulating the acceleration distribution inside pellicle membrane through correlating the linear acceleration and centripetal acceleration, which occurs during linear movement and rotation movement, respectively. By these simulation results, we confirmed the possibility of using spin-coater to evaluate the mechanical stability of EUV pellicle.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.19-19
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2003
The injection of spins into nonmagnetic semiconductors has recently attracted great interest due to the potential to create new classes of spin-dependent electronic devices. A recent strategy to achieve control over the spin degree of freedom is based on dilute ferromagnetic semiconductors. Ferromagnetism has been reported in various semiconductor groups including II-Ⅵ, III-V, IV and II-IV,-V$_2$, which will be reviewed. On the other hand, to date the low solubility of magnetic ions in non-magnetic semiconductor hosts and/or low Curie temperature have limited the opportunities. Therefore the search for other promising ferromagnetic semiconducting materials, with high magnetic moments and high Curie temperatures (Tc), is of the utmost importance. In this talk, we also introduce new pure ferromagnetic semiconductors, MnGeP$_2$ and MnGeAs$_2$, exhibiting ferromagnetism and a magnetic moment per Mn at 5K larger than 2.40 ${\mu}$B. The calculated electronic structures using the FLAPW method show an indirect energy gap of 0.24 and 0.06 eV, respectively. We have observed spin injection in MnGeP$_2$ and MnGeAs$_2$ magnetic tunnel junctions through semiconducting barriers.
Park, Stuart in;M. Samant;D. Monsma;L. Thomas;P. Rice;R. Scheuerlein;D. Abraham;S. Brown;J. Bucchigano
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2000.09a
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pp.5-32
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2000
MRAM, High performance MRAM using MTJS demostrated, fully integrated MTJ MRAM with CMOS circuits, write time ~2.3 nsec; read time ~3 nsec, Thermally stable up to ~350 C, Switching field distibution controlled by size & shape. Magnetic Tunnel Junction Properties, Magnetoresistance: ~50% at room temperature, enhanced by thermal treatment, Negative and Positive MR by interface modification, Spin Polarization: >55% at 0.25K, Insensitive ot FM composition, Resistance $\times$ Area product, ranging from ~20 to 10$^{9}$$\Omega$(${\mu}{\textrm}{m}$)$^{2}$, Spin valve transistor, Tunnel injected spin polarization for "hot" electrons, Decrease of MTJMR at high bias originates from anode.
Even a pure bulk Fe has a complicated magnetic phase and its magnetism is still needed to be clarified. In this study we investigated the magnetism of bcc and fcc bulk Fe with total energy calculations as functions of atomic volume. The full-potential linearized augmented plane wave method was adopted within a generalized gradient approximation. The ground state of bulk Fe is confirmed to be of ferromagnetic (FM) bcc. For fcc structured Fe an antiferromagnetic (AFM) state is more stable compared to FM states which exist as low spin and high spin states. The stable AFM states were found to accompany a tetragonal distortion, while the FM states remained in a cubic symmetry. At an expanded lattice constant a high spin FM state was calculated to be able to be stabilized with significant enhanced magnetic moment compared to the value of the ground state, bcc FM.
In this study, ZnO film was deposited on polycarbonate substrate by spin-spray method at low substrate temperature of $85^{\circ}C$. Surface morphology of ZnO films was changed by adding citrate from rod to dense structure. As-deposited ZnO film indicated high transmittance above 80%. In case of the resistivity, as-deposited ZnO film had high resistivity due to the existence of organic substance in the film. However, organic substance was removed and resistivity was decreased to $3.9{\times}10^{-2}{\Omega}{\cdot}cm$, after UV irradiation.
The current study deals with the possible interplay between superconductivity and spin density wave in two band model high temperature iron based superconductor (FeBSC) Ba1-xNaxFe2As2. The electron and hole bands in the presence of the inter-band interaction between the two bands is becoming a vital issue to deal with the high temperature physics of the iron-based superconductors. In this research work, a model Hamiltonian appropriate for the system under consideration has been developed and the temperature dependent Green's function technique has been employed to get the solution for the equations of motion constructed for the two band model high temperature FeBSC Ba1-xNaxFe2As2. By making use of the decoupling procedure, the equations of motion for the dependence of superconducting transition temperature (TC) on spin density wave(SDW) order parameter (ΔSDW) in the electron intra-band (Δsc(e)) , hole intra-band (Δsc(h)) and inter-band (Δsc(eh)) for Ba1-xNaxFe2As2 have been obtained. We have also obtained the expression for the dependence of spin density wave transition temperature(TSDW) on ΔSDW for Ba1-xNaxFe2As2. Using some plausible approximations and appropriate experimental values for the parameters in the obtained equations of motion, phase diagrams of TC versus Δsc(e), Δsc(h) and Δsc(eh) are plotted. Furthermore, a phase diagram of TSDW versus ΔSDW is plotted for the material under consideration. Finally, using the above mentioned phase diagrams, the interplay between superconductivity and spin density wave in the two band model high temperature FeBSC Ba1-xNaxFe2As2 has been demonstrated to be a very distinct possibility. The agreement of the current finding with the experimental observations is quite commendable.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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