Undoped InP epilayers with high purity were grown by using $In/PCl_3/H_2$ chloride vapor phase epitaxy. It was found that the growth of InP homoepitaxial layer is optimized at the growth temperature of $630^{\circ}C$ and at the $PCl_3$ molar fraction of $1.2\times10^{-2}$. The carrier concentration of InP epilayer was less than $10^{14} {cm}^{-3}$ from the low temperature (11K) photoluminescence measurement. Growth behavior of undoped InP current blocking layer on reactive ion-etched (RIE) mesas has been investigated for the realization of 1.55 $\mu \textrm m$buried-heterostructure laser diode (BH LD), using chloride vapor phase epitaxy. On the base of InP homoepitaxy, InP current blocking layers were grown at the growth temperatures ranging from $620^{\circ}C$ to $640^{\circ}C$. Almost planar grown surfaces without edge overgrowth were achieved as the growth temperature increased. It implied that higher temperature enhanced the surface diffusion of the growth species on the {111} B planes and suppressed edge overgrowth.
$VO_2$ is a well-known a metal-to-insulator-transition (MIT) material, accompanied with a first order structural phase transition near room temperature. Because of the structural phase transition and the MIT occur near a same temperature, there is an ongoing argument whether the MIT is induced by the structural phase transition. $VO_2$ exhibits a relatively weak anti-oxidization ability and can be oxidized to higher-valence oxides (e.g., $V_4$$O_7$ or $V_2$$O_5$) when annealed at a high temperature in an oxygen-rich atmosphere. We fabricated $VO_2$ films on $Al_2$$O_3$ (0001) substrates using a DC magnetron sputtering deposition process with carefully control the $O_2$ percentage in an atmosphere. X-ray diffraction measurements from the films showed only (0l0) peaks with no extra peaks, indicating b-oriented films. The temperature-dependent local structural properties of $VO_2$ films were investigated by using in-situ X-ray absorption fine structure (XAFS) measurements at the V K edge. XAFS revealed that the structural phase transition was occurred nearly $70^{\circ}C$ for heating process and reproducible. Resistance measurements as a function of temperature (R-T) demonstrated that the resistance of $VO_2$ films was changed by a factor of 4 near $75^{\circ}C$ which was higher than $68^{\circ}C$ reported from a $VO_2$ bulk. We will discuss the MIT of $VO_2$ films, comparing with the local structural properties determined by XAFS measurements.
A low temperature plasma carburizing process was performed on AISI 316L austenitic stainless steel to achieve an enhancement of the surface hardness without degradation of its corrosion resistance. Attempts were made to investigate the influence of the processing temperatures on the surface hardened layer during low temperature plasma carburizing in order to obtain the optimum processing conditions. The expanded austenite (${\gamma}_c$) phase, which contains a high saturation of carbon (S phase), was formed on all of the treated surfaces. Precipitates of chromium carbides were detected in the hardened layer (C-enriched layer) only for the specimen treated at $550^{\circ}C$. The hardened layer thickness of ${\gamma}_c$ increased up to about $65{\mu}m$ with increasing treatment temperature. The surface hardness reached about 900 $HK_{0.05}$, which is about 4 times higher than that of the untreated sample (250 $HK_{0.05}$). A minor loss in corrosion resistance was observed for the specimens treated at temperatures of $300^{\circ}C{\sim}450^{\circ}C$ compared with untreated austenitic stainless steel. In particular, the precipitation of chromium carbides at $550^{\circ}C$ led to a significant decrease in the corrosion resistance. A diamond-like carbon (DLC) film coating was applied to improve the wear and friction properties of the S phase layer. The DLC film showed a low and stable friction coefficient value of about 0.1 compared with that of the carburized surface (about 0.45). The hardness and corrosion resistance of the S phase layer were further improved by the application of such a DLC film.
The heading date is known to be controlled by two kinds of genetic constituent, photosensitivity and basic vegetable phase. For the latter, the effect of temperature in early growth period is critical to determine the shortness of vegetative growth periods in plant's life. A phytotron experiment on 55 rice cultivars, consisting of two ecotypes of rices, indica and japonica, was conducted at high and low temperature treatments at early growth stage to investigate the possible role of plant growth stimulus by high temperature to associate with shortening of heading date. The high temperature during the early growth stage stimulated the rice growth as measured by plant height with much difference of the growth response between indica and japonica. The conclusive finding that these growth stimulus in early growth stage was highly correlated with the acceleration of heading is, more or less, correlated with the heading of the late growth stage although we could not conclude the genes for early plant growth stimulus by high temperature is the same genes as the genes for accelerating of heading in the late growth stage of plants.
Recently, hot rolled galvanized steel is widely used in automotive parts. As the paradigm of the automotive market has changed from fossil fuel vehicle to electric vehicle, the automotive industry needs more high-strength steels to reduce weights of automobiles. However, because high-strength steel contains high solute carbon, it is expected to have a risk of stretcher-strain on the surface due to dislocation trapping by solute [C] and [N]. Generally, galvanized steel is supposed to pass through a furnace around the temperature of Zinc pot to increase material temperature. Otherwise, the inhibition layer could not be formed. However, solute carbon and nitrogen are volatile enough to move around the furnace temperature. Moreover, the ratio of ferrite phase and precipitated Fe3C can be variable, resulting in yield point elongation related to the stretcher strain. Furthermore, the quality of the galvanized surface can be affected by a high temperature of the furnace. Although a relatively hot rolled galvanizing line furnace has a lower temperature than an annealing line furnace, it can affect various quality aspects. In other words, this paper aims to determine how these phenomena appear concerning furnace temperature.
As a preceeding work for the study on dielectric characterstics of a kind of low density polyethylene introduced morphological change by mechanical method, glass transition temperature which is regarded as a macroscopic aspect for relaxation of molecular chain segments has been observed by means of temperature dependent dilatometric measurement. The origina specimen clearly shows two knees which correspond to two peaks (.gamma. and .betha. peak) in the intenal friction measurement, suggesting the existence of separated glass transition temperatures at 150.deg.k and 260.deg.k respectively. On the specimen irradiated to 100 Mrad both glass transition temperatures tend to shift towards high temperature sides because of crosslinking by irradiation. furthemore an evidence can be seen that radiation effect, even in amorphous phase, is also slelctive depending on slight morphological differences. The specimen extended to four times in length shows a peculiar nature such as negative linear thermal expansion coefficient increasing with temperature between 220.deg.k and ambient temperature and that this fact is interpreted by considering that c axis of the lattice aligns along the extended direction by drawing, further c axis inherently possesses the characteristics of negative linear thermal expansion coefficient. For the observations that the relatively small positive linear expansion on the specimen extended to ca. two times as well as the part below 220.deg.k of the specimen extended to four times, it is considered for the reason of the facts that the incompletely oriented region indicated as the middle part of Peterlin's model tends to restore partially to orginal arrangement-a kind of phase transition-as increasing with temperature.
In this study, in order to develop relaxor ferroelectric ceramics for refrigeration device application with large electrocaloric effect and low sintering temperature, PLZT(8/65/35) ceramics was fabricated using conventional solid-state method with the variation of sintering temperature ($1,050^{\circ}C$, $1,100^{\circ}C$, $1,200^{\circ}C$). The XRD pattern of all specimens indicated general perovskite structure with secondary phase. From the results of temperature dependence of dielectric constant, the $T_C$ (ferroelectric-paraelectric phase transition temperature) was shifted toward high temperature with increasing sintering temperature. When the specimen was sintered at $1,100^{\circ}C$, the optimal value of ${\Delta}T{\sim}0.349^{\circ}C$ in ambient temperature of $215^{\circ}C$ was appeared. It is considered that PLZT(8/65/35) ceramics possess the possibility of refrigeration device application.
Kim, Shin-Do;Kim, Chang-Hwan;Park, Jin-Su;Lee, Jeong-Joo
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제30권9호
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pp.2011-2016
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2009
To resolve the differentiation problem of acetone and acrolein in the analysis of carbonyls by high-performance liquid chromatography (HPLC), we investigated the optimum analytical conditions for their separation. Carbonyl compounds were collected by 2,4-dinitrophenylhydrazine (DNPH)-coated cartridges. We examined the influence of three experimental variables: temperature (25, 30, 40, 50 and 60 ${^{\circ}C}$), flow rate (1.0 and 1.2 mL/min), and relative mobile phase composition (among acetonitrile, water and tetrahydrofuran). The experimental results revealed the optimum analytical condition of a flow rate of 1.2 mL/min, temperature of 32 ${^{\circ}C}$ and mobile phase composition of acetonitrile: water: tetrahydrofuran = 34 : 52.8 : 13.2. The analysis of indoor air composition indicated that acrolein and acetone comprised 11% and 42% of all aldehydes, respectively.
We have prepared superconducting Bi-Pb-Sr-Ca.Cu-O thin films by RF magnetron sputtering technique, on heated MgO(100) substrates. Sputtering was carried out in a mixture of argon and oxygen(10%) and the pressure was maintained at 5 mTorr during deposition. The substrate temperature was maintained $400^{\circ}C$ during deposition. The films sputtered were amorphous and insulating. All the films became superconducting by annealing, The films annealed at $880^{\circ}C$ for 30 minutes in air showed high-Tc phase with zero resistivity of 93K. These results indicate that the growth of the high-Tc phase is promoted by the presence of Pb at annealing temperature.
High Temperature deformation behavior of newly developed beta-gamma TiAl alloy was investigated in this study. The optimum processing condition was investigated with the aid of Dynamic Materials Model (DMM). Processing maps representing the efficiency of power dissipation for microstructural evolution and instability were constructed utilizing the results of hot compression test at temperatures ranging from $1000^{\circ}C$ to $1200^{\circ}C$ and strain rate ranging from $10^{-4}/s$ to $10^2/s$. The Artificial Neural Network (ANN) simulation was adopted to consider the deformation heating. With the help of processing map and microstructural analysis, the optimum processing condition was presented and the role of $\beta$ phase was also discussed in this study.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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