Parylene polymer thin film shows excellent homogeneous coverage chracteristics when it was deposited onto very complex three dimensional solid matters, such as deep hole and micro crack. The parylene deposition process can be conducted at room temperature although most of chemical vapor deposition processes request relatively high processing temperature. Therefore, the parylene coating process does not induce any thermal problems. Parylene thin film is transparent and has extremly high chemical stability. For example, it shows high chemical stability with high reactive chemical solutions such as strong acid, strong alkali and acetone. The bio-stability of this material gives good chances to use for a packaging of biomedical devices and electronic devices such as display. In this review article, principle of deposition process, properties and application fields of parylene polymer thin film are introduced.
Rene80 superalloy was liquid phase diffusion bonded by using boron(B) as an insert material, where B has high diffusivity and higher melting point as an insert material. Bonding procedure and bonding mechanism of Rene80/B/Rene80 joint were investigated. As results, liquid metal was produced by solid state reaction between base metal and insert material on bonding zone. The liquid metal was produced preferentially at the grain boundary. Except for production of liquid metal, other bonding procedure was nearly same as TLP(Transient Liquid Phase) bonding. Bonding time, however, was reduced compared to prior result of TLP bonding. By bonding S.4ks at l453K, Ren80/B/Rene80 joint was isothermally solidified and homogenized where thickness of insert material was 7.5.mu.m.
Proceedings of the Korea Technical Association of the Pulp and Paper Industry Conference
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2008.10a
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pp.107-122
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2008
종이의 도공액이 고농도화 됨에 따라 도공액의 유동학적 특성에 대한 연구가 더욱 더 중요시 되고 있다. 기존의 합성 증점제의 경우는 단순히 증점 보수제의 기능을 가지고 있으므로 고농도/고속 도공시 블레이드하에서 점탄성적인 성질 중 팽윤에 의한 탄성의 성질이 더 강하게 남아있게 되어 다양한 도공 트러블의 원인이 될 수 있다. 최근에는 이러한 단점을 개선하기 위한 표면 흡착형 유동성 조절제가 소개되고 있다. 따라서 본 연구에서는 알카리 팽윤형 합성 증점제와 표면 흡착형 유동성 개량제로 업계에 알려진 2종의 유동성 조절제가 고농도 도공액의 점탄성적인 유동특성에 미치는 영향성을 검토하였고, PDA(Penetration Dynamic Analyzer) 모듈을 이용하여 원지에 흡수되는 흡수 거동을 관찰하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2007.11a
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pp.75-76
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2007
ZnS:Cu,Cl phosphor was coated by solid-gel reaction with $SiO_2$ outside layer. The effect of $Cu^{2+}$-doping concentration has been investigated on the luminescence characteristics of ZnS:Cu,Cl blue-green phosphors for inorganic electro luminescent device. Also, SiO2 coated layers' effect on luminescence characteristics. Evaluation of luminescence characteristics dependent on the synthesis conditions is important to get high-performance phosphors properties. EL and PL properties such as luminescence intensity and chromaticity of ZnS:Cu,Cl phosphors synthesized with different concentration of activator, $Cu^{2+}$, were analysed separately
This paper describes the fabrication of SiCN microstructures for super-high temperature MEMS using photopolymerization of pre-ceramic polymer. In this work, polysilazane liquide as a precursor was deposited on Si wafers by spin coating, microstructured and solidificated by UV lithography, and removed from the substrate. The resulting solid polymer microstructures were cross-linked under HIP process and pyrolyzed to form a ceramic of withstanding over $1400^{\circ}C$. Finally, the fabricated SiCN microstructures were annealed at $1400^{\circ}C$ in a nitrogen atmosphere. Mechanical characteristics of the SiCN microstructure with different fabrication process conditions were evaluated. The elastic modules, hardness and tensile strength of the SiC microstructure implemented under optimum process condtions are 94.5 GPa, 10.5 GPa and 11.7 N/min, respectively. Consequently, the SiCN microstructure proposed in this work is very suitable for super-high temperature MEMS application due to very simple fabrication process and the potential possiblity of sophisticated mulitlayer or 3D microstructures as well as its good mechanical properties.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.392-393
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2006
This paper describes the fabrication of SiCN microstructures for super-high temperature MEMS using photopolymerization of pre-ceramic polymer. In this work. polysilazane liquide as a precursor was deposited on Si wafers by spin coating. microstructured and solidificated by UV lithography. and removed from the substrate. The resulting solid polymer microstructures were cross-linked under HIP process and pyrolyzed to form a ceramic of withstanding over $1400^{\circ}C$. Finally, the fabricated SiCN microstructures were annealed at $1400^{\circ}C$ in a nitrogen atmosphere. Mechanical characteristics of the SiCN microstructure with different fabrication process conditions were evaluated. The elastic modules. hardness and tensile strength of the SiC microstructure implemented under optimum process conditions are 94.5 GPa, 10.5 GPa and 11.7 N/min, respectively. Consequently, the SiCN microstructure proposed in this work is very suitable for super-high temperature MEMS application due to very simple fabrication process and the potential possiblity of sophisticated multlayer or 3D microstructures as well as its good mechanical properties.
Single crystals, which have complexed composition, are fabricated by solid state grain growth. However, it is hard to achieve stable properties in a single crystal due to trapped pores. Aerosol deposition (AD) is suitable for fabrication of single crystals with stable properties because this process can make a high density coating layer. Because of their unique features (nano sized grains, stress inner site), it is hard to fabricate single crystals, and so studies of grain growth behavior of AD film are essential. In this study, a $BaTiO_3$ coating layer with ${\sim}9{\mu}m$ thickness is fabricated using an aerosol deposition method on (100) and (110) cut $SrTiO_3$ single crystal substrates, which are adopted as seeds for grain growth. Each specimen is heat-treated at various conditions (900, 1,100, and $1,300^{\circ}C$ for 5 h). $BaTiO_3$ layer shows different growth behavior and X-ray diffraction depending on cutting direction of $SrTiO_3$ seed. Rectangular pillars at $SrTiO_3$ (100) and laminating thin plates at $SrTiO_3$ (110), respectively, are observed.
For this paper, we investigated the area specific resistance (ASR) of commercially available ferritic stainless steels with different chemical compositions for use as solid oxide fuel cells (SOFC) interconnect. After 430h of oxidation, the STS446M alloy demonstrated excellent oxidation resistance and low ASR, of approximately 40 $m{\Omega}cm^2$, of the thermally grown oxide scale, compared to those of other stainless steels. The reason for the low ASR is that the contact resistance between the Pt paste and the oxide scale is reduced due to the plate-like shape of the $Cr_2O_3$(s). However, the acceptable ASR level is considered to be below 100 $m{\Omega}cm^2$ after 40,000 h of use. To further improve the electrical conductivity of the thermally grown oxide on stainless steels, the Co layer was deposited on the stainless steel by means of an electroless deposition method; it was then thermally oxidized to obtain the $Co_3O_4$ layer, which is a highly conductive layer. With the increase of the Co coating thickness, the ASR value decreased. For Co deposited STS444 with 2 ${\mu}m$hickness, the measured ASR at $800^{\circ}$ after 300 h oxidation is around 10 $m{\Omega}cm^2$, which is lower than that of the STS446M, which alloy has a lower ASR value than that of the non-coated STS. The reason for this improved high temperature conductivity seems to be that the Mn is efficiently diffused into the coating layer, which diffusion formed the highly conductive (Mn,Co)$_3O_4$ spinel phases and the thickness of the $Cr_2O_3$(S), which is the rate controlling layer of the electrical conductivity in the SOFC environment and is very thin
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.31
no.6
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pp.282-286
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2021
Penetration depth and compressive residual stress of laser-carburized TiZrN coating by thickness of carbon paste were investigated in terms of carbon potential. The carbon paste was covered with a thickness of 1.1 mm using screen printing, and applied to a thickness of 0.4 mm using spin coating, and laser carburization was performed under the same conditions. As the thickness of carbon paste increased, the diffraction pattern of the laser-carburized TiZrN coating shifted to a lower angle, indicating solid solution strengthening and lattice distortion. For microstructure analysis using TEM, the defects and carbon concentration of the laser-carburized TiZrN coating increased as the carbon paste was thicker. It indicated that the variation of the carbon potential corresponds to the change in the paste thickness. In XPS depth profile analysis, high concentration of carbon and formation of carbide were observed in laser-carburized TiZrN coating with thick carbon paste. It revealed that the carbon concentration on the surface and carbon potential were changed by the thickness control of carbon paste. The compressive residual stress increased from 3.67 GPa to 4.58 GPa by the variation of carbon concentration.
In the skeletal isomerization of 1-pentene over various solid acid catalysts, we have studied catalytic reactivity, selectivity, reaction mechanism and the relation between acid strength of catalysts and catalytic activity. Natural zeolite shows highest activity among the all catalysts and the modified ${\eta}$-alumina with fluorine and sulfuric acid shows higher activity than unmodified ${\eta}$-alumina. The yield of isopentene increases with increasing temperature and increasing contact time. However the cracking products increase at the high temperature and very high contact time. In addition, the activity of natural zeolite exchanged with metal cation decreases and shows good relation with the polarizing power of metal cation. According to the result of ammonia TPD, the acid strength of catalysts has an effect on catalytic activity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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