본 논문에서는 지능적인 원거리 무선전력전송의 방식으로 시간 역전(time reversal) 기반 전파 집속 방법을 제시하였다. 시간 역전 기반의 무선전력전송은 복잡한 전파환경에서도 기기의 위치에 상관없이 전파를 선택적으로 집속하여 높은 peak 전력을 전달할 수 있다. 현실과 가까운 전파환경 시뮬레이션을 통하여 시간 역전 기반의 시 공간 전파 집속 현상을 검증하였고, 집속된 RF를 정류하여 전달된 DC 전압을 확인하였다. 또한 일반적인 협대역 신호(CW) 대비 시간 역전 신호의 peak 향상률과 정류 전력비를 확인한 결과, 최대 12 dB 향상된 peak 전력이 전송되었으며, 따라서 보다 높은 효율로 전력전송이 이루어짐을 확인하였다.
High power microwave sources operating in relativistic regions, high current reletivistic electron beams are obtained by using cold cathodes with the help of explosive emission. For these relativistic devices, the pulsed power and magnetic field systems are very large and heavy. The phase velocity of electromagnetic mode should be showed down close to the beam velocity, ensuring enough beam coupling with electromagnetic modes. By using the annular electron beam, a weakly relativistic oversized bwo consisting of rectangularly corrugated cylindrical waveguide is demonstrated.
Ka-대역 밀리미터파 복합모드 탐색기에 적용할 수 있는 진행파관 증폭기(traveling wave tube amplifier: TWTA)는 고전압생성부(high voltage power supply: HVPS), 변조부(grid modulator), 제어부(command & control), 고조파부(RF assembly)로 구성되는 고출력 펄스형 송신기이다. 펄스 반복 주파수(pulse repetition frequency: PRF)와 전원공급기 스위칭 주파수가 동기/가변되어 -17.9 kV 고전압을 생성하는 고전압 전원 공급기와 RF 펄스 변조를 위한 고속 그리드 스위칭 변조기를 설계하였다. 체적이 3.18 L로 소형화로 제작된 TWTA는 그리드 on/off 신호의 상승/하강시간이 최대 18.5 ns 이하 고속펄스 스위칭 특성을 가지고, 첨두전력은 564.9 W 이상으로 고출력 성능을 보였다. 또한 PRF와 PRF/2 범위 내에서 -68.4 dBc 이하의 우수한 불요파 성능을 확인하였다.
We investigated the malfunction and destruction characteristics of microcontroller devices under high power electromagnetic(HPEM) wave by magnetron. HPEM was rated at a microwave output of 0 to 1,000 W, at a frequency of 2,450${\pm}$50 MHz and was radiated from the open-ended standard rectangular waveguide(WR-340) to free space. The influence of different reset-, clock-, data-, and power supply-line lengths has been tested. The variation of the line length was done with flat cables. The susceptibility of the tested microcontroller devices was in general much influenced by clock-, reset-, and power supply-line length, little influenced by data-line length. Further the line length was increased, the malfunction threshold was decreased as expected, because more energy couples to the devices. The surfaces of the destroyed microcontroller devices were removed and the chip conditions were investigated with microscope. The microscopic analysis of the damaged devices showed component and bondwire destructions such as breakthroughs and melting due to thermal effects. The obtained results are expected to provide fundamental data for interpreting the combined mechanism of microcontroller devices in an intentional microwave environment.
We investigated the damage of the CMOS IC which manufactured three different technologies by high power microwave. The tests separated the two methods in accordance with the types of the CMOS IC located inner waveguide. The only CMOS IC which was located inner waveguide was occurred breakdown below the max electric field (23.94kV/m) without destruction but the CMOS IC which was connected IC to line organically was located inner waveguide and it was occurred breakdown and destruction below the max electric field. Also destructed CMOS IC was removed their surface and a chip condition was analyzed by SEM. The SEM analysis of the damaged devices showed onchuipwire and bondwire destruction like melting due to thermal effect. The tested results are applied to the fundamental data which interprets the combination mechanism of the semiconductors from artificial electromagnetic wave environment and are applied to the data which understand electromagnetic wave effects of electronic equipments.
This study analyzed the change of electrical characteristics of a photocoupler when a narrow-band electromagnetic wave was combined with the photocoupler. A magnetron (3 kW, 2.45 GHz) was used as the narrow-band electromagnetic source. The EUT was Photocoupler (6N139) and the input signal was divided into two types: a square pulse and the second signal is 0 V. The malfunction of the photocoupler was confirmed by monitoring the variation in the output voltage of the photocoupler. As a result of the experiment, changes in the malfunctioning was observed as the electric field was increased. There are three types of malfunction modes: delay, output voltage off, and fluctuation. Bit errors were analyzed to verify the electrical characteristics of the photocoupler by narrow-band electromagnetic waves. The result of this study can be used as basic data for the effect analysis of photocoupler protection and impact analysis of high-power electromagnetic waves.
고 출력 전자기장(HPEM)의 영향은 시스템의 오작동, 고장 및 장비의 심각한 훼손을 야기시킬 수 있다. 따라서 업무 환경이 각종 전자 장비들로 대체 및 구성되어 가는 요즘, 인명과 재산을 보호하기 위해 고 출력 전자장에 대한 대책 연구가 필요하다. 이에 반해, 위상학적 해석 방법(topological analysis)은 해석 대상 구조에 대해 전자장의 이동 경로와 해석을 원하는 지점을 단순화시켜 해석하며, 대표적으로 Baum-Liu-Tesche(BLT) 방정식 기반의 해석법과 구역 설정(zoning)에 기반한 해석 방법 그리고 확률에 기초하고 있는 Power Balance Method(PWB)를 연동시킴으로써 효율적으로 해석할 수 있다. PWB 방법은 기존의 EM 시뮬레이션 방법의 비효율성을 극복하기 위한 하나의 대안으로 제시된 방법이다. 본 논문에서는 기존의 위상학적 해석 방법에 적용되는 기초기술을 바탕으로 대형 구조에 적용될 수 있는 전자파 해석 방법을 제안한다. 그리고 최종적으로 PWB 방법과 full wave analysis 방법을 비교함으로써 PWB 방법의 장점과 이 방법의 도입 필요성에 대해 제안한다.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제6권2호
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pp.98-102
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2006
In this paper, we have designed and fabricated the high power amplifier employing PBG(Photonic Band-Gap Structure) to improve the linearity of the amplifier in the millimeter wave band. The fabricated amplifier using MMIC(TGA1073G) has operated about 24 GHz band and the PBG has resulted in 35 dB suppression about 49 GHz where the second harmonic occurs due to the amplifier. As a result, the output power has been 24.43 dBm and 13.2 dBc of the IMD has been improved. Also, the PAE is obtained to 14.96 % of the amplifier employing the PBG structure in Ka band.
The effects of magnetic powder thickness on electromagnetic wave absorption characteristics in Fe-6.5Si-0.9Cr (wt%) alloy flakes/polymer composite sheets available for quasi-microwave band have been investigated. The atomized FeSiCr powders were milled by using attritor for 12, 24, and 36 h, powder thickness changed from $40{\mu}m$ to $3{\mu}m$ upon 36 h milling. The composite sheet, including thinned magnetic flakes, exhibited higher power loss in the GHz frequency range as compared with the sheets having thick flakes. Moreover, both the complex permeability and the loss factor increased with the decrease in thickness of the alloy flakes. Therefore, the enhanced power loss property of the sheets containing thin alloy flakes was attributed to the flakes of high complex permeability, especially their imaginary part. Additionally, the complex permittivity was also increased with the reduction of flake thickness, and this behavior was considered to be helpful for improvement of the electromagnetic wave absorption characteristics in the composite sheets, including thin alloy flakes.
The effects of magnetic powder size on electromagnetic wave absorption characteristics in Fe-6.5Si-0.9Cr(wt%) alloy flakes/polymer composite sheets available for quasi-microwave band have been investigated. The composite sheet including small magnetic flakes with the size less than $26{\mu}m$ exhibited high power loss in the GHz frequency range as compared with the sheets having large alloy flakes of $45{\sim}75{\mu}m$. Moreover, both the complex permeability and the loss factor increased with the decrease in size of the alloy flakes. The large power loss of the sheets containing small magnetic flakes was attributed to the high complex permeability, especially their imaginary part. The high complex permeability of the sheets composed of small flakes was considered to be due to the highly thin shape of the flakes inducing low eddy-current loss.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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