• 제목/요약/키워드: Half-width of Velocity

검색결과 54건 처리시간 0.019초

MISCLASSIFIED TYPE 1 AGNS IN THE LOCAL UNIVERSE

  • Woo, Jong-Hak;Kim, Ji-Gang;Park, Daeseong;Bae, Hyun-Jin;Kim, Jae-Hyuk;Lee, Seung-Eon;Kim, Sang Chul;Kwon, Hong-Jin
    • 천문학회지
    • /
    • 제47권5호
    • /
    • pp.167-178
    • /
    • 2014
  • We search for misclassified type 1 AGNs among type 2 AGNs identified with emission line flux ratios, and investigate the properties of the sample. Using 4 113 local type 2 AGNs at 0.02 < z < 0.05 selected from Sloan Digital Sky Survey Data Release 7, we detected a broad component of the $H{\alpha}$ line with a Full-Width at Half-Maximum (FWHM) ranging from 1 700 to $19090km\;s^{-1}$ for 142 objects, based on the spectral decomposition and visual inspection. The fraction of the misclassified type 1 AGNs among type 2 AGN sample is ~3.5%, implying that a large number of missing type 1 AGN population may exist. The misclassified type 1 AGNs have relatively low luminosity with a mean broad $H{\alpha}$ luminosity, log $L_{H\alpha}=40.50{\pm}0.35\;erg\;s^{-1}$, while black hole mass of the sample is comparable to that of the local black hole population, with a mean black hole mass, log $M_{BH}=6.94{\pm}0.51\;M_{\odot}$. The mean Eddington ratio of the sample is log $L_{bol}/L_{Edd}=-2.00{\pm}0.40$, indicating that black hole activity is relatively weak, hence, AGN continuum is too weak to change the host galaxy color. We find that the O III lines show significant velocity offsets, presumably due to outflows in the narrow-line region, while the velocity offset of the narrow component of the $H{\alpha}$ line is not prominent, consistent with the ionized gas kinematics of general type 1 AGN population.

SGR B2 지역에 있는 HCO+ 분자운의 특성 연구 ([ HCO+ ]CLOUDS IN THE SGR B2 REGION)

  • 민영철
    • Journal of Astronomy and Space Sciences
    • /
    • 제21권4호
    • /
    • pp.233-242
    • /
    • 2004
  • 우리은하중심에 있는 Sgr B2 분자운 지역에 대하여 $HCO^{+}1-0$ 천이선을 관측하여 이 지역의 역학적, 화학적 특성을 연구하였다. 이 지역에는 속도가 ${\sim}50$${\sim}100kms^{-1}$인 가스 구름이 상호작용을 하고 있는 것으로 보이며, 이에 의하여 Sgr B2 분자운의 새로운 별-탄생이 촉진될 수 있다고 여겨진다. 속도성분이 ${\sim}50kms^{-1}$인 지역에서, 뚜렷한 가스 집중을 보이는 'OF38 분자운'('Odenwald & Fazio FIR 38' Cloud)이 새로이 발견되었다. 이 분자운의 $HCO^+$ 칼럼밀도는 $N(HCO^+)=(2-5){\times}10^{14}cm^{-2}$, 크기는 약 15pc이며, 총 질량은 약 $10^6M_{\odot}$으로 계산되었다. 그리고 이 Sgr B2 지역에는 속도 범위가 $100kms^{-1}$에 이르는 큰 규모의 터뷸런트한 컴포넌트가 넓게 퍼져 존재하며, 이 성분의 $N(HCO^+)=1{\times}10^{13}cm^{-2}$으로 상당한 양으로 존재함을 알 수 있다. 그러나 이 지역에서 관측되는 $HCO^+$의 생성반응은, 기존에 제안되었던 $H^{+}_3$와 CO의 반응보다는, 충격파의 영향에 의하여 증가하는 $C^+$와 OH의 반응에서 보다 효과적으로 생성될 것으로 보인다. 새로이 발견된 'OF38 분자운'의 물리 화학적 특성을 밝히는 일은 앞으로의 과제라고 생각한다.

플라즈마분자선에피탁시법을 이용한 C-면 사파이어 기판 위질화인듐갈륨박막의 에피탁시 성장 (Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of InXGa1-XN Films on C-plane Sapphire Substrates)

  • 신은정;임동석;임세환;한석규;이효성;홍순구;정명호;이정용
    • 한국재료학회지
    • /
    • 제22권4호
    • /
    • pp.185-189
    • /
    • 2012
  • We report plasma-assisted molecular beam epitaxy of $In_XGa_{1-X}N$ films on c-plane sapphire substrates. Prior to the growth of $In_XGa_{1-X}N$ films, GaN film was grown on the nitride c-plane sapphire substrate by two-dimensional (2D) growth mode. For the growth of GaN, Ga flux of $3.7{\times}10^{-8}$ torr as a beam equivalent pressure (BEP) and a plasma power of 150 W with a nitrogen flow rate of 0.76 sccm were fixed. The growth of 2D GaN growth was confirmed by $in-situ$ reflection high-energy electron diffraction (RHEED) by observing a streaky RHEED pattern with a strong specular spot. InN films showed lower growth rates even with the same growth conditions (same growth temperature, same plasma condition, and same BEP value of III element) than those of GaN films. It was observed that the growth rate of GaN is 1.7 times higher than that of InN, which is probably caused by the higher vapor pressure of In. For the growth of $In_xGa_{1-x}N$ films with different In compositions, total III-element flux (Ga plus In BEPs) was set to $3.7{\times}10^{-8}$ torr, which was the BEP value for the 2D growth of GaN. The In compositions of the $In_xGa_{1-x}N$ films were determined to be 28, 41, 45, and 53% based on the peak position of (0002) reflection in x-ray ${\theta}-2{\theta}$ measurements. The growth of $In_xGa_{1-x}N$ films did not show a streaky RHEED pattern but showed spotty patterns with weak streaky lines. This means that the net sticking coefficients of In and Ga, considered based on the growth rates of GaN and InN, are not the only factor governing the growth mode; another factor such as migration velocity should be considered. The sample with an In composition of 41% showed the lowest full width at half maximum value of 0.20 degree from the x-ray (0002) omega rocking curve measurements and the lowest root mean square roughness value of 0.71 nm.

균질의 회전유체에 고밀도유체 주입실험 (Injection of a Denser Fluid into a Rotating Cylindrical Container Filled with Homogeneous Lighter Fluid)

  • 나정열;황병준
    • 한국해양학회지
    • /
    • 제30권4호
    • /
    • pp.355-364
    • /
    • 1995
  • f-plane 혹은 $\beta$-plane을 갖고 강체 회전중인 균질수에 외부로부터 고밀도의 유체 를 계속 주입시 주입된 고밀도 류의 확장형태와 이와 대응하는 기존의 균질수(상층수) 의 흐름을 관찰하였다. 고밀도류는 주입후 편향력에 의해 서안을 따라 흐르면서 내부 로 침투 확장하여 회전축에 비대칭인 모양을 보인다. 특히 $\beta$-plan에서는 바닥 경사도 의 증가에 따른 압력 경도력의 증가에 의한 서안을 따라 흐르는 속도가 증가되고 결국 편향력의 증가로 서안에서의 폭이 f-plane보다 좁게 나타난다. 그러나 남쪽에 이르러 서는 유입수의 국지적인 두께증가로 인해 확장 속도가 동시에 경계면상에서 의 혼합을 유발시키기도 한다. 유입된 고밀도류의 상층의 와도발생과 관련한 역할은 확장경로상 의 국지적인 지형효과의 유발과 유입으로 인한 상층수의 수직운동, 즉 vortex-tube stretching 효과를 발생시키는 것으로 볼 수 있으나 f-plane의 경우는 후자에 해당하 는 반시계 방향의 축대칭류를 생성시킴으로써 지형효과는 서안 경계층에만 존재하는 것으로 관찰되었으며 이때의 지형효과는 북향의 매우 약한 서안 경계류로 나타나고 있 다. 한편 $\beta$-plan에서 의 유입수의 역할은 실험면적의 동쪽반인 내부흐름에서는 h보다 는 dh/SUB $\beta$/dt의 크기가 우세하여 결국 상대와도의 감소경향인 시계방향의 음의 와 도(negative vorticity)의 발생과 서쪽반에서는 경계면의 경사 (tilting)에 의한 지형 효과가 극대화되어 유입수의 방향과 정반대인 강한 흐름이 나타나고 있다.

  • PDF