Wahab, Mohammad A.;Ali, M. Azhar;Mottaleb, Mohammad A.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제23권7호
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pp.953-956
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2002
Excess molar volumes (Vm E ) of binary liquid mixtures: xC6H5CH3 + (1-x1)CH3CN or + (1-x1)C6H5NO2, or + (1-x1)C2H5NO2 have been determined as a function of mole fraction of C6H5CH3 (x) at a temperature of 303.15 K over a entire range of composition. The densities of the binary liquid mixtures were determined by pycnometrically. The VmE values of the mixtures have been found to be negative over the whole composition in order of C6H5CH3 + C6H5NO2, < C6H5CH3 + CH3CN, and < C6H5CH3 + C2H5NO2. The negative magnitude of VmE suggests the presence of intermolecular interaction in the three binary liquid mixtures.
Effects of benzoate (0~0.6 g/$\ell$ ) and sorbate (0~2.0 g/$\ell$) on the growth of Escherichia coli O157:H7 in tryptic soy broth at various pH levels (4~8) and temperatures (4$^{\circ}C$, 37$^{\circ}C$) were investigated. Benzoate and sorbate were inhibited the growth of E. coli O157:H7 up to 12 hours cultivation at 4$^{\circ}C$, and 2.0 g/$\ell$ sorbate was only inhibited during 48 hours cultivation at 37$^{\circ}C$. Among the pH levels tested, pH 4 showed significant inhibitory effect against the E. coli O157:H7 on 4$^{\circ}C$ and at 37$^{\circ}C$, respectively. When used in combination 0.2 g/$\ell$ benzoate and sorbate were completely inhibited the growth of E. coli O157:H7 on pH 4 and at 37$^{\circ}C$. While on pH 5 at 4$^{\circ}C$, all of the concentration tested did not exert any inhibitory effect. The combined effects were retarded more than single treatment of E. coli O157:H7.
Silicon carbide(SiC)는 뛰어난 전기적, 열적, 물리적 특성 때문에 내환경 전자소자용 반도체 재료로 널리 연구되고 있다. 본 연구에서는 화학기상증착법으로 단결정 6H-SiC 동종박막을 성장시키고 이의 성장 특성을 조사하였다. 특히, 몰리브덴 (Mo)-plate를 이용하여 SiC를 코팅하지 않은 graphite susceptor를 사용한 6H-SiC 동종박막 성장조건을 성공적으로 얻었다. 대기압 상태의 RF-유도가열식 챔버에서 CVD성장을 수행하였고, <1120> 방향으로 $3.5^{\circ}$off-axis된 기판을 사용하였다. 성장 박막의 결정성을 평가하기 위하여 Nomarski 관찰, 투과율 측정 , 라만 분광, XRD, 광발광(PL) 분광, 투과전자현미경(TEM) 측 정 등의 방법을 이용하였다. 이상과 같은 실험을 통하여, 본 연구에서는 성장온도 $1500^{\circ}C$, C/Si flow ratio ($C_3H_8$ 0.2 sccm, $SiH_4$ 0.3 sccm)인 성장조건에서 결정성이 가장 좋은 6H-SiC 동종박막을 얻을 수 있었다.
a-C:H 혹은 a-SiC:H 박막은 광전소자 및 태양전지 등의 개발에 있어서 중요한 물질이다. 우리는 a-C:H 및 a-SiC:H 박막을 PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 증착시키고, 박막의 가열에 따른 스핀밀도의 변화를 ESR (electron spin resonance) 측정을 통하여 조사하였다. PECVD 증착가스는 Ch4, SiH4 가스를 사용하였고, 기판은 Corning 1737glass를 사용하였으며, 기판 온도는 300-40$0^{\circ}C$, 증착 압력은 0.1-0.3 Torr, r.f. 전력은 3-36W 사이에서 변화되었다. ESR 측정은 상온 X-band 영역에서 수행되었고, modulation amplitude는 2.5G, modulation frequency는 100kHz 이었다. a-C:H 혹은 a-SiC:H 박막은 진공상태의 reactor, 혹은 공기중의 furnace 안에서 300-50$0^{\circ}C$ 영역에서 3-8시간 정도 가열되거나, 혹은 상온에서 약 50$0^{\circ}C$ 정도까지 단계적으로 가열되었다. 증착된 a-C:H 박막의 초기 구조는 Raman 측정으로부터 polymer-like Carbon으로 추정되었으며, 300-35$0^{\circ}C$ 가열시 초기 1시간 정도 사이에는 스핀밀도가 증가되었으나, 그 후 8시간 정도까지의 가열의 경우에도 대체로 동일하게 나타났다. 또한 상온으로부터 약 50$0^{\circ}C$까지 단계적으로 온도를 높여주며, 각 단계마다 1시간씩 가열했을 때도 30$0^{\circ}C$ 정도까지는 스핀밀도가 증가하다가 더 높은 온도로 가면서 다시 스핀밀도가 감소함을 볼 수 있었다. 이러한 스핀밀도의 초기 증가 및 감소를 일으키는 메카니즘에 대해서 논의해 볼 것이다.
유지방구로부터 분리 정제한 lipase의 활성과 안정성에 미치는 pH의 영향을 야자유와 균질유를 기질로 하여 조사하였다. 효소원으로 buttermilk를 사용하였을 경우는 반응온도 $37^{\circ}C$에서 야자유, 균질유 모두 pH 9.5에서 최대 활성을 나타내었으며, 전형적인 종형의 pH의 존곡선을 나타내었다. 그러나 반응온도 $0^{\circ}C$에서는 pH 10.0까지 활성이 증가하였다. 정제 lipase를 사용한 경우는 반응응도 $37^{\circ}C$에서 균질유를 기질로 사용하였을 때 종 모양의 곡선을 나타내었으며, 최대 활성은 pH 9.0에서 나타났다. 반응온도 $0^{\circ}C$에서는 pH 10.0까지 활성이 계속 증가하였다. BSA를 첨가한 야자유를 기질로 사용한 경우는 반응온도 $37^{\circ}C$, $0^{\circ}C$ 모두 최대 활성이 pH 9.5에 나타났으며, pH 10.0에서는 활성이 현저하게 저하하였다. 정제 lipase의 안정성에 미치는 pH의 증가에 따라 현저하게 저하하였다. pH 10.0에서 $37^{\circ}C$로 20분간 효소를 유지하였을 경우 lipase의 활성은 pH 8.5 때의 활성에 비하여 13%로 감소하였다. 그러나, $4^{\circ}C$에서 60분간 효소를 유지하였을 경우는 lipase 활성이 pH 7.5∼10.0의 범위에서 안정하였다.
Glycine이 포함된 dipeptide인 glycyl-L-valine, L-valyl-glycine, glycyl-DL-alanine, glycyl-DL-serine 및 glycyl-L-aspartic acid의 중수용액속에서의 양성자 자기공명스펙트럼이 실온에서는 pH의 함수로 연구되었다. 이들 스펙트럼의 분석으로부터 $C_{\alpha}H,\;C_{\beta}H\;및\;C_rH$양성자의 chemical shift는 pH에 따라 일단계의 적정곡선으로 변하고 있으며 spin-spin coupling constant는 거의 변하지 않고 있음을 알 수 있다. Dipeptide 용액속에 있는 구성 아미노산의 $C_{\alpha}H\;C_{\beta}H\;및\;C_rH$양성자의 chemical shift가 각각 두개의 다른 값들로 나타나는 것은 이들 용액속에 두개의 자기적으로 서로 다른 site들이 들어있음을 말해준다. 이 연구에서는 다섯개 dipeptide의 구조를 양성자 자기공명스펙트럼에 의해 확인하였으며 결과는 앞으로 oligopeptide에서의 구조 변화, conformation, 구성 아미노산의 순서 결정등을 양성자 자기공명스펙트럼의 분석에 의해 알아낼 수 있음을 암시하고 있다.
목적 : 착상전기의 진단 및 치료 영역의 방사선 조사가 임신 ddy mouse에서 산전 사망과 외부 기형을 유발하는지, Compaction전 시기의 반응에 시기별 차이가 있는지 그리고 계통에 따르는 차이가 있는지 여부를 알아 보고자 하였다. 대상 및 방법 : 임신 ddy mouse 대조군 32 마리와 실험군 53 마리를 대상으로 연구를 시행하였으며, 실험군에 대한 방사선 조사는 착상전의 중요한 두 시기인 24 h p.c.와 48 h p.c.에 진단 영역에서도 이용되는 방사선 선량인 0.1, 0.5 Gy를 포함하여 0.75, 1.5, 3 Gy를 조사한 후, 임신 18일에 희생시켜 산전 사망 즉 착상전 사망, 배 사망 및 태아 사망과 외부 기형을 관찰하였다. 결과 : 1) 착상전 사망은 24 h p.c. 및 48 h p.c.에서 대조군에 비해 현저하게 많이 발생하였으며 선량 의존성을 나타냈고, 시기별 한계 선량은 각각 0.05 Gy 및 0.075 Gy이상으로 24 h p.c.가 48 h p.c.보다 방사선에 대한 감수성이 높은 시기임을 알 수 있었다. 2) 배 사망은 48 h p.c.의 0.1 Gy 조사군을 제외한 24 h p.c. 및 48 h p.c.의 모든 조사군에서 대조군에 비해 많이 발생하였고 선량 의존성을 보였으며, 한계 선량은 각각 0.1 Gy 및 0.25 Gy이상으로 24 h p.c.가 48 h p.c.보다 방사선 조사에 의한 배 사망의 감수성이 높았다. 3) 태아 사망은 24 h p.c. 및 48 h p.c.의 실험군 모두에서 발생하지 않았다. 4) 외부 기형은 24 h p.c. 실험군에서 뇌노출 기형 2예, 안검결손 기형 3예, 무안구증 3예, 구개열 2예, 복벽 파열 2예, 꼬리 기형 2예 및 다리 기형 1예, 국소 복벽 결손 1예 등이 발생하였는데, 그 중 진단 영역의 방사선 선량인 0.1 Gy군에서 안검결손 기형 1예, 복벽 파열 1예, 0.5 Gy군에서 뇌노출 기형 1예, 꼬리 기형 2예 및 다리 기형 1예가 발생하여 대조군에 비해 통계적으로 유의한 증가를 나타냈으며 이 시기의 한계선량은 0.2 Gy이상이었다. 48 h p.c.군에서도 안검결손 기형 1예, 꼬리 기형 2예가 발생하였으나 대조군과 통계적인 유의차가 없었다. 결론 : 이상의 결과를 통해 치료 영역뿐만 아니라 진단 영역의 방사선 조사로도 착상전기 임신 ddy mouse에서 착상전 사망 및 배 사망이 발생하고 24 h p.c.에서는 기형도 유발되어 이 시기의 방사선 영향이 "all-or-none" 반응만 일어나는 것이 아님을 알 수 있었으며, 24 h p.c.가 48 h p.c.보다 방사선 감수성이 높은 시기라는 사실과 함께 다른 연구 결과들과 비교하여 계통에 따르는 차이가 있음을 알 수 있었다. 그러므로 가임기 여성의 방사선 진단 및 치료시 Rugh의 10일 법칙을 적용하여 착상전기 방사선 조사로 인한 부작용들을 적극적으로 예방하는 것이 매우 중요하다고 생각한다.
두 개 산소가교형의 $[Mo_2O_4(H_2O)_6]_2^+$와 디티오 디카르복시기를 가진 리간드를 반응시켜 $Mo_2O_4(H_2O)_2L(L:\;C_3H_7CH(SCH_2COOH)_2,\;C_6H_5CH(SCH_2COOH)_2,\;CH_3OC_6H_4CH(SCH_2COOH)_2,\;C_5H_{10}C(SCH_2COOH)_2,\;C_3H_7C(CH_3)(SCH_2COOH)_2,\;C_3H_7CH(SCH_2CH_2COOH)_2,\;C_6H_5CH(SCH_2CH_2COOH)_2)$형의 착물을 합성하고 이들 착물의 구조를 분광학적인 방법(IR, $^1H$ NMR, UV-Visible)으로 그 구조를 규명한 결과 한 개의 리간드가 두 몰리브덴 금속에 킬레이트형으로 결합되며 말단 산소간에는 트란스형을 유지하고 있으며 이들 각 말단산소의 트란스에 $H_2O$가 한 개씩 배위되어 있다. 이들 착물들의 산화 환원전위값을 순환 전압전류법으로 수용액상에서 측정한 결과 환원전위는 -0.50∼-0.58 V(vs. SCE) 사이, 산화전위는 -0.41∼-0.43 V(vs. SCE) 사이에서 나타나며 이들 산화-환원 전류비 값이 거의 1에 가깝고 전위차이 값이 0.10 V 정도인 것으로 보아 두 개 산소 가교형의 기본 골격이 유지되는 가역적인 산화-환원 반응으로 추정된다.
FCC 연료가스로부터 에틸렌 회수를 위한 흡착공정을 개발을 위하여 활성탄(AC)과 탄소분자체(CMS)로 충진된 흡착탑의 흡착 동특성을 비교하였다. FCC 연료가스로는 6성분($CH_4/C_2H_4/C_2H_6/C_3H_6/N_2/H_2$,32:15:14:2:12:25 vol.%) 혼합가스를 이용하였으며, 흡착탑의 흡착 및 탈착파과 실험을 실시하였다. 활성탄 흡착탑의 경우 파과는 $H_2$ < $N_2$ < $CH_4$ < $C_2H_4$ < $C_2H_6$ 순서로 나왔으며, CMS 흡착탑의 경우는 $H_2$< $CH_4$ < $N_2$ < $C_2H_6$ < $C_2H_4$ 순서를 보였다. CMS 흡착탑은 활성탄 흡착탑보다 성능이 나쁘나, 속도분리의 특성으로 $CH_4$와 $N_2$뿐만 아니라 활성탄에서 제거하기 어려운 $C_2H_6$ 이상의 성분들을 흡착단계에서 제거할 수 있다. 흡착탑의 재생은 감압과정만으로는 두 흡착제 충진탑에서 충분히 재생되기 어려우며, 진공재생이 필요하다. 따라서 CMS를 이용하는 흡착공정은 전처리 공정으로 설계하고, 활성탄을 이용하는 흡착공정을 주요 분리기로 설계하는 압력진공순환식 흡착공정(PVSA)이 에틸렌 회수에 제안될 수 있다.
This paper briefly introduces silicon based thin film solar cells: amorphous (a-Si:H), microcrystalline ${\mu}c-Si:H$ single junction and $a-Si:H/{\mu}c-Si:H$ tandem solar cells. The major difference of a-Si:H and ${\mu}c-Si:H$ cells comes from electro-optical properties of intrinsic Si-films (active layer) that absorb incident photon and generate electron-hole pairs. The a-Si:H film has energy band-gap (Eg) of 1.7-1.8eV and solar cells incorporating this wide Eg a-Si:H material as active layer commonly give high voltage and low current, when illuminated, compared to ${\mu}c-Si:H$ solar cells that employ low Eg (1.1eV) material. This Eg difference of two materials make possible tandem configuration in order to effectively use incident photon energy. The $a-Si:H/{\mu}c-Si:H$ tandem solar cells, therefore, have a great potential for low cost photovoltaic device by its various advantages such as low material cost by thin-film structure on low cost substrate instead of expensive c-Si wafer and high conversion efficiency by tandem structure. In this paper, the structure, process and operation properties of Si-based thin-film solar cells are discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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