• 한국표면공학회지
• /
• 제25권3호
• /
• pp.133-143
• /
• 1992

Titanium nitride(TiN) films have been prepared by HCD plasma enhanced reactive ion plating. Density and temperature of the plasma generated by the HCD were investigated. It was shown that parameters such as the substrate bias voltage(0 350V) and N2 flow rate(10 180SCCM) influenced the growth, the growth, the microstructure and the color tone of the film mostly. In order to study the interface region, surface analysis by AES combined with sputter depth profiling was performed. Microhardness of the coated TiN films were measured by micro Vickers hardness tester. Also, the effect of coating parameters on composition, coating surface and fracture morphology, grain size and growth rate were examined.

• 한국안광학회지
• /
• 제15권4호
• /
• pp.361-366
• /
• 2010

목적: Hollow Cathode Discharge방법을 이용한 HCD 이온플레이팅 장비를 제작하였고, 이 장비를 이용하여 stainless steel 위에 TiN 박막을 질소 가스양을 변화하면서 코팅하였으며, 이때 TiN 박막의 미세색상변화를 분석하였다. 방법: 질소 가스에 대한 TiN박막의 미세색상변화를 광학적으로 관찰하기 위해 분광복사계와 분광광도계를 사용하였고, 질소 가스에 대한 TiN 박막의 성분 변화를 알기위해 XPS로 분석하였다. 결과: 질소가스 120 sccm의 TiN 박막의 CIE 색좌표는 (0.382, 0.372)로 은색과 금색의 혼합색으로 나타나고 질소 가스양이 증가함에 따라 x, y값 둘다 조금씩 커져 금색이 점점 진해지는 것을 알 수 있었다. 또한 분광광도계에 의한 TiN 박막의 반사율에 있어서 질소 가스양이 증가함에 따라 550 nm 파장근처에서의 반사율의 기울기가 대체적으로 점점 커지는 것을 알 수 있었다. 그리고 XPS를 사용하여 Ti scan 한 결과, $N_2$ 성분에서 유래된 458 eV의 조그마한 피크는 조금씩 더 들어가며 TiN 성분에서 유래된 455 eV의 큰 피크는 약간씩 커지는 것을 볼 수 있었다. 결론: 질소 가스양이 120 sccm인 TiN 박막에서는 표면에 있는 TiC 성분과 표면과 내부에 존재하는 $N_2$, TiN 성분으로 인해 은색과 금색의 혼합색으로 나타났으나, 질소 가스양이 증가함에 따라 TiN 성분이 다른 성분에 비해 점점 많아져 금색이 점점 진해진 것으로 유추할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1996년도 추계학술대회 논문집 학회본부
• /
• pp.200-202
• /
• 1996

MgO film was deposited on the glass substrate by the hollow cathode discharge ion plating method and the characteristics of the MgO thin film such as deposition rate, crystalline orientation, surface morphology and secondary electron coefficient were investigated. The deposition rate of MgO thin films were $430^{\sim}1270{\AA}$/min at various temperatures and biases. The crystalline orientation of the MgO thin film changed from (200) to (220) upon increasing the HCD current from 100A to 200A. These results indicated that the crystallin orientation of the MgO thin film was determined by the super-saturation ratio. The (200) peak decreased and the (220) peak increased as the substrate bias increased, while both peaks increased as the substrate temperature increased. The grain size increased as the substrate bias increased and the secondary electron emission coefficient increased as the substrate bias increased.