• 한국응용과학기술학회지
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• 제29권4호
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• pp.545-551
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• 2012

고분자물질의 사용으로 인한 건축 재료의 다변화에 따라 화재 시 발생되는 연소가스 또한 다양해지고 있다. 그중 HBr은 NES 713과 BS 6853, FTP Code Part 2에서 연소 가스의 독성 평가 시 측정되는 독성가스이다. 특히 산업안전물질보건자료(MSDS)에서는 HBr가스를 흡입할 경우 화상을 일으키며 호흡부전, 두통 등을 유발시킬 수 있고 50ppm의 HBr가스에 노출된 사람은 생명과 건강에 즉시 영향을 받을 수 있는 매우 유독한 연소가스이다. 본 논문에서는 HBr 표준가스에 노출된 동물의 운동성 측정실험인 가스유해성 시험 및 HBr가스에 노출된 마우스의 생물학적 검사 결과를 비교 분석하여 HBr의 연소 독성에 관한 연구를 수행하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1294-1296
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• 1998

Platinum thin films which hardly form volatile compounds with any reactive gas at normal process temperature was etched in Inductively Coupled Plasma (ICP) using Ar/HBr/$Cl_2$ gases. It is observed that the etch rate of platinum is reduced as increasing of HBr/$Cl_2$ gas mixing ratio when Ar gas ratio is fixed. However, we obtain good etching profile of platinum films without unwanted residues in 90% Ar/5% HBr/5% $Cl_2$ gas mixing ratio.

• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.155-160
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• 1998

256M DRAM급에 해당하는 0.25$\mu\textrm{m}$의 회로선 폭을 가공하기 위해 Arc layer & DUV resist 사용이 필수적이다. Poly-Si 식각시 Arc layer 적용여부 및 resist 종류에 따른 차이 를 TCP-9408 etcher(Lam Research Co.)에서 $Cl_2/O_2, Cl_2/N_2, Cl_2$/HBr 3가지 gas chemistry 를 변화시키면서 조사하였다. 동일한 식각 조건에서 DUV resist사용의 경우에 I-line resist 에 비해 식각 profile이 profile이 positive하고 CD gain도 크게 나왔다. 이것은 resist손실에 의한 polymer생성의 증가가 식각시 측벽 보호막을 강화시키기 때문이다. Arc layer 적용의 경우 Arc layer 식각시 생기는 fluorine계 polymer가 poly-Si 식각시 mask역할을 하므로 CD gain이 증가하는 것으로 나타났다. Gas chemistry에 의한 영향은 $Cl_2/O_2$의 경우가 식각 시 polymer형성을 촉진시켜 positive profile 및 CD gain을 초래하였다. $Cl_2$/HBr의 경우에는 profile이 vertical 하였고 CD gain도 거의 없었다. 또한 dense pattern 과 isolated pattern 사이의 profile 및 CD 차이도 가정 작게 나타났다. HBr gas 사용이 식각시 pattern density 에 따른 측벽 보호막 형성의 불균일성을 최소화 시켜 양호한 특성을 보여주었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제25권8호
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• pp.1217-1224
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• 2004

We have calculated the probability of HBr formation and energy disposal of the reaction exothermicity in HBr produced from the reaction of gas-phase bromine with highly covered chemisorbed hydrogen atoms on a Si (001)-(2 ${\times}$1) surface. The reaction probability is about 0.20 at gas temperature 1500 K and surface temperature 300 K. Raising the initial vibrational state of the adsorbate(H)-surface(Si) bond from the ground to v = 1, 2 and 3 states causes the vibrational, translational and rotational energies of the product HBr to increase equally. However, the vibrational and translational motions of product HBr share most of the reaction energy. Vibrational population of the HBr molecules produced from the ground state adsorbate-surface bond ($v_{HSi}$ =0) follows the Boltzmann distribution, but it deviates seriously from the Boltzmann distribution when the initial vibrational energy of the adsorbate-surface bond increases. When the vibration of the adsorbate-surface bond is in the ground state, the amount of energy dissipated into the surface is negative, while it becomes positive as vHSi increases. The energy distributions among the various modes weakly depends on surface temperature in the range of 0-600 K, regardless of the initial vibrational state of H(ad)-Si(s) bond.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권1호
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• pp.1-6
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• 2004

Dry etch characteristics of polysilicon with HBr/O$_2$ inductively coupled plasma (ICP) have been investigated. We determined etch late, uniformity, etch profiles, and selectivity with analyzing the cross-sectional scanning electron microscopy images obtained from top, center, bottom, right, and left positions. The etch rate of polysilicon was about 2500 $\AA$/min, which meets with the mass production for devices. The wafer level etch uniformity was within $\pm$5 ％. Etch profile showed 90$^{\circ}$ slopes without notches. The selectivity over photoresist was between 2:1∼4.5:1, depending on $O_2$ flow rate. The HBr-ICP etching showed higher PR selectivity, and sharper profile than the conventional Cl$_2$-RIE.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권9호
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• pp.886-890
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• 2003

단결정 LiNbO$_3$를 helicon wave plasma 방법으로 식각시 bias power와 CF$_4$, HBr, SR$_{6}$가 혼합된 gas 유량에 따른 식각 속도와 rms roughness 값의 특성을 관찰하였다. 식각된 깊이는 surface profiler로 관찰하였으며 rms roughness 값은 Atomic Force Microscopy (AFM)으로 측정하였다. Bias power 증가함에 따라 500W에서 가장 높은 식각 속도와 가장 평탄한 표면형상을 얻을 수 있었으며, CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량을 각각 10～30 sccm으로 증가시킴에 따라 식각 속도는 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 10 sccm, 30 sccm, 10 sccm에서 가장 높게 나타났으며, rms roughness 값은 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 30 sccm, 10 sccm, 30 sccm에서 가장 낮은 표면 조도를 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권12호
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• pp.915-918
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• 2010

In this work, the etching characteristics of ZnO thin films were investigated using an inductively coupled plasma(ICP) of HBr/Ar/$CHF_3$ gas mixtures. The plasma characteristics were analyzed by a quadrupole mass spectrometer (QMS) and double langmuir probe (DLP). The surface reaction of the ZnO thin films was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The etch rate of ZnO was measured as a function of the $CHF_3$ mixing ratio in the range of 0-15% in an HBr:Ar=5:2 plasma at a fixed gas pressure (6mTorr), input power (700 W), bias power (200 W) and total gas flow rate(50sccm). The etch rate of the ZnO films decreased with increasing $CHF_3$ fraction due to the etch-blocking polymer layer formation.

• 대한화학회지
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• 제53권2호
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• pp.133-136
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• 2009

4-아미노피리딘 (4AP)–HCl와 –HBr 복합체에 대한 양자화학적 계산을 수행하였다. 전하분리된 (즈비 터이온) 형태의 [4AP$H^+-Cl^-$]는 안정하지 않으나, [4AP$H^+-Br^-$]은 안정하여 저온기체상에서 관찰될 것으로 예측되었다. 이것은 HCl에 비하여 HBr의 해리에너지가 작다는 사실과, 4AP의 아미노기가 HBr의 “용매”로 작용 한 결과로 해석되었다.

• 한국진공학회지
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• 제15권6호
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• pp.630-636
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• 2006

플래시 메모리 반도체의 고집적화와 고밀도화가 진행함에 따라 플래시 메모리의 트랜지스터 안 선폭을 중심으로 게이트 패턴의 미세화가 진행 중이다. 최근 100 nm 이하의 선폭을 구현하기 위해서 ONO(oxide-nitride-oxide)를 사용하기 위한 연구가 개발 중이고, 이러한 100 nm이하의 미세 선폭으로 갈수록 식각 속도와 식각의 프로파일은 중요한 요인으로 작용하고 있다. ICP 식각 장비를 이용하여, power를 50 W 증가 하였을 때, 각각 식각 속도와 포토레지스트와의 선택비를 확인 한 결과 platen power를 100 W로 올렸을 경우 가장 좋은 결과를 나타내었다. 100 W에서 HBr가스의 유량에 변화를 주었을 경우 가스의 양을 증가 할수록 식각 속도는 감소하였지만, 포토레지스트와의 선택비는 증가함을 보였다. 유도결합 플라즈마 식각 장비를 가지고 platen power를 100 W, HBr gas를 35 sccm 공급하여 하부 층에 노치가 형성이 안되고, 식각 속도 320 nm/min, 감광액과의 선택비 3.5:1, 측면식각 프로파일이 수직인 공정 조건을 찾았다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제22권8호
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• pp.889-896
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• 2001

The reaction of gas-phase atomic bromine with highly covered chemisorbed hydrogen atoms on a silicon surface is studied by use of the classical trajectory approach. It is found that the major reaction is the formation of HBr(g), and it proceeds th rough two modes, that is, direct Eley-Rideal and hot-atom mechanism. The HBr formation reaction takes place on a picosecond time scale with most of the reaction exothermicity depositing in the product vibration and translation. The adsorption of Br(g) on the surface is the second most efficient reaction pathway. The total reaction cross sections are $2.53{\AA}2$ for the HBr formation and $2.32{\AA}2$ for the adsorption of Br(g) at gas temperature 1500 K and surface temperature 300 K.