• Nuclear Engineering and Technology
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• 제52권2호
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• pp.448-455
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• 2020

The H.B. Robinson Unit 2 (HBR-2) pressure vessel dosimetry benchmark is an in- and ex-Reactor Pressure Vessel (RPV) neutron dosimetry benchmark based on experimental data from the HBR-2 reactor, a 2300-MW PWR designed by Westinghouse and put in operation in March 1971, openly available through the SINBAD Database at OECD/NEA data Bank. The goals of the present work were to carry out three-dimensional (3D) fixed source transport calculations in both Cartesian (X,Y,Z) and cylindrical (R,θ,Z) geometries by using the TORT-3.2 discrete ordinates code on very detailed 3D HBR-2 geometrical models and to test the latest broad-group coupled (47 neutron groups + 20 photon groups) working cross section libraries in FIDO-ANISN format with same structure as BUGLE-96, such as BUGJEFF311.BOLIB, BUGENDF70.BOLIB and BUGLE-B7. The results obtained with all the cited libraries were satisfactory and are here reported and compared.

• 한국GIS학회:학술대회논문집
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• 한국GIS학회 2004년도 GIS/RS 공동 춘계학술대회 논문집
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• pp.11-16
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• 2004

최근 PDA와 같은 모바일 장치와 무선 인터넷의 사용이 확대되고, GPS의 개발로 인하여 위치 기반 서비스가 활발히 연구되고 있다. 그러나, 위치 기반 서비스의 중요한 요소인 이동 객체는 이동에 따른 갱신 비용이 높기 때문에 이전의 디스크 기반의 GIS에서 사용되던 인덱스를 이용하는 것은 효과적 이 지 못하다. 본 논문에서는 위치 기반 서비스를 위한 효과적인 현재 위치 데이타 처리를 위해 공간 해쉬 인덱스와 R-tree 인덱스를 결합한 형태인 HB(Hash Based)R-tree 인덱스를 개발하였다. HBR-tree 인덱스는 위치 기반 서비스에서 이동 객체의 위치 데이타가 빈번하게 갱신된다는 특징을 이용하여 갱신 작업은 HBR-tree 인덱스의 공간 해쉬 테이블 내에서 처리하고, 생성된 공간 해쉬 테이블을 이용하여 R-tree 인덱스를 구성함으로써 빠른 검색 질의 처리가 가능하고 갱신 비용을 줄일 수 있다는 장점이 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.212-212
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• 2010

최근 차세대 반도체 메모리 소자로 대두된 magnetic random access memory(MRAM)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 MRAM의 magnetic tunnel junction(MTJ) stack을 구성하는 자성 재료의 건식 식각에 대한 연구에서는 좋은 profile을 얻고, 재층착의 문제를 해결하기 위한 노력이 계속해서 진행되고 있다. 본 연구에서는 photoresist(PR)과 Ti 하드 마스크로 패턴 된 배리어(barrier) 층인 MgO 박막의 식각 특성을 유도결합 플라즈마를 이용한 고밀도 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching-ICPRIE)을 통해서 연구하였다. PR 및 Ti 마스크를 이용한 자성 박막들은 HBr/Ar, HBr/$O_2$/Ar 식각 가스의 농도를 변화시키면서 식각되었다. HBr/Ar 가스를 이용 식각함에 있어서 좋은 식각 조건을 얻기 위한 parameter로서 pressure, bias voltage, rf power를 변화시켰다. 각 조건에서 Ti 하드마스크에 대한 터널 배리어층인 MgO 박막에 selectivity를 조사하였고 식각 profile을 관찰하였다. 식각 속도를 구하기 위해 alpha step(Tencor P-1)이 사용되었고 또한 field emission scanning electron microscopy(FESEM)를 이용하여 식각 profile을 관찰함으로써 최적의 식각 가스와 식각 조건을 찾고자 하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권3호
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• pp.1063-1066
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• 2012

• 한국세라믹학회지
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• 제40권9호
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• pp.886-890
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• 2003

단결정 LiNbO$_3$를 helicon wave plasma 방법으로 식각시 bias power와 CF$_4$, HBr, SR$_{6}$가 혼합된 gas 유량에 따른 식각 속도와 rms roughness 값의 특성을 관찰하였다. 식각된 깊이는 surface profiler로 관찰하였으며 rms roughness 값은 Atomic Force Microscopy (AFM)으로 측정하였다. Bias power 증가함에 따라 500W에서 가장 높은 식각 속도와 가장 평탄한 표면형상을 얻을 수 있었으며, CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량을 각각 10～30 sccm으로 증가시킴에 따라 식각 속도는 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 10 sccm, 30 sccm, 10 sccm에서 가장 높게 나타났으며, rms roughness 값은 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 30 sccm, 10 sccm, 30 sccm에서 가장 낮은 표면 조도를 나타내었다.

• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.155-160
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• 1998

256M DRAM급에 해당하는 0.25$\mu\textrm{m}$의 회로선 폭을 가공하기 위해 Arc layer & DUV resist 사용이 필수적이다. Poly-Si 식각시 Arc layer 적용여부 및 resist 종류에 따른 차이 를 TCP-9408 etcher(Lam Research Co.)에서 $Cl_2/O_2, Cl_2/N_2, Cl_2$/HBr 3가지 gas chemistry 를 변화시키면서 조사하였다. 동일한 식각 조건에서 DUV resist사용의 경우에 I-line resist 에 비해 식각 profile이 profile이 positive하고 CD gain도 크게 나왔다. 이것은 resist손실에 의한 polymer생성의 증가가 식각시 측벽 보호막을 강화시키기 때문이다. Arc layer 적용의 경우 Arc layer 식각시 생기는 fluorine계 polymer가 poly-Si 식각시 mask역할을 하므로 CD gain이 증가하는 것으로 나타났다. Gas chemistry에 의한 영향은 $Cl_2/O_2$의 경우가 식각 시 polymer형성을 촉진시켜 positive profile 및 CD gain을 초래하였다. $Cl_2$/HBr의 경우에는 profile이 vertical 하였고 CD gain도 거의 없었다. 또한 dense pattern 과 isolated pattern 사이의 profile 및 CD 차이도 가정 작게 나타났다. HBr gas 사용이 식각시 pattern density 에 따른 측벽 보호막 형성의 불균일성을 최소화 시켜 양호한 특성을 보여주었다.

• 콘크리트학회논문집
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• 제19권4호
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• pp.401-409
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• 2007

본 연구는 국내 현장에서 적용되고 있는 SRC 기둥-RC 보 강축 방향 접합부의 구조 성능을 평가하기 위하여 국내 현장 조사 및 기존 연구 자료를 기초로 접합부 상세를 분류하였고, 6개의 실험체를 제작하여 구조 실험을 수행하였다. 실험 결과로부터 하중-변위 이력 및 최대 내력 도달 이후의 내력 저하 등에 대한 거동을 비교 분석하였다. 그 결과 넓은 보 단면 (RCW-P, RCW-W, RCW-F) 및 T형 보 단면 (RCT-W) 실험체들이 H형강 브라켓 부착형 실험체(HBR-L, HBR-S)에 비해 대체로 우수한 구조적 거동을 보여주었으며, 설계 내력을 상회하는 내력을 보유하고 있었다. 또한 현장에서 적용하여도 무리가 없는 것으로 판단된다. 특히, T형 보 단면 (RCT-W)을 갖는 실험체가 최대 내력 및 최대 내력 도달 이후 강도 저하 등 전반적으로 다른 접합 형태를 갖는 실험체에 비해 우수한 구조 성능을 보유하고 있었다. 그리고 H형강 브라켓 부착형 실험체들 (HBR-L, HBR-S)은 설계 내력에 미치지 못한 최대 내력을 보여 주었고 최대 내력 도달 이후 급격한 하중 저하를 나타내며 취성적인 거동을 보였다.

• 한국진공학회지
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• 제15권6호
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• pp.630-636
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• 2006

플래시 메모리 반도체의 고집적화와 고밀도화가 진행함에 따라 플래시 메모리의 트랜지스터 안 선폭을 중심으로 게이트 패턴의 미세화가 진행 중이다. 최근 100 nm 이하의 선폭을 구현하기 위해서 ONO(oxide-nitride-oxide)를 사용하기 위한 연구가 개발 중이고, 이러한 100 nm이하의 미세 선폭으로 갈수록 식각 속도와 식각의 프로파일은 중요한 요인으로 작용하고 있다. ICP 식각 장비를 이용하여, power를 50 W 증가 하였을 때, 각각 식각 속도와 포토레지스트와의 선택비를 확인 한 결과 platen power를 100 W로 올렸을 경우 가장 좋은 결과를 나타내었다. 100 W에서 HBr가스의 유량에 변화를 주었을 경우 가스의 양을 증가 할수록 식각 속도는 감소하였지만, 포토레지스트와의 선택비는 증가함을 보였다. 유도결합 플라즈마 식각 장비를 가지고 platen power를 100 W, HBr gas를 35 sccm 공급하여 하부 층에 노치가 형성이 안되고, 식각 속도 320 nm/min, 감광액과의 선택비 3.5:1, 측면식각 프로파일이 수직인 공정 조건을 찾았다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 1998년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.39-40
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• 1998

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.10-13
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• 2000

The notching effect in etching of un doped amorphous silicon gate had different characteristics and mechanism comparing with reported ones. The undoped amorphous silicon was etched by using HBr gas plasma, First, in the region of small line width, the potential was increased as a result of ions in the exposed surface of oxide, and the incident ions between the small line width were deflected more wide range, therefore the depth of notching was shallow and wide, Second, in the region of large line width of gate, electrons were charged on the top of photoresist and the side of gate, a part of ions deflected, The deflected ions were locally charged positive on the side of gate, and then the potential difference was produced, therefore, ions stored up more at independent line than at dense line, and nothing became deeper by Br ion bombardment.