4-아미노피리딘 (4AP)–HCl와 –HBr 복합체에 대한 양자화학적 계산을 수행하였다. 전하분리된 (즈비 터이온) 형태의 [4AP$H^+-Cl^-$]는 안정하지 않으나, [4AP$H^+-Br^-$]은 안정하여 저온기체상에서 관찰될 것으로 예측되었다. 이것은 HCl에 비하여 HBr의 해리에너지가 작다는 사실과, 4AP의 아미노기가 HBr의 “용매”로 작용 한 결과로 해석되었다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제10권1호
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pp.1-4
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2009
Dry etching characteristics of indium tin oxide films and etch selectivities over photoresist films were investigated using $Cl_2/HBr$ inductively coupled plasma. From a Langmuir probe diagnostic system, it was observed that while the plasma temperature was kept nearly constant in spite of the change of the HBr mixing ratio, the positive ion density decreases rapidly with increasing the mixing ratio. On the other hand, a quadrupole mass spectrometer showed that the neutral HBr and Br species increased. The etching mechanism in the $HBr/Cl_2$ plasma was analyzed.
We have calculated the probability of HBr formation and energy disposal of the reaction exothermicity in HBr produced from the reaction of gas-phase bromine with highly covered chemisorbed hydrogen atoms on a Si (001)-(2 ${\times}$1) surface. The reaction probability is about 0.20 at gas temperature 1500 K and surface temperature 300 K. Raising the initial vibrational state of the adsorbate(H)-surface(Si) bond from the ground to v = 1, 2 and 3 states causes the vibrational, translational and rotational energies of the product HBr to increase equally. However, the vibrational and translational motions of product HBr share most of the reaction energy. Vibrational population of the HBr molecules produced from the ground state adsorbate-surface bond ($v_{HSi}$ =0) follows the Boltzmann distribution, but it deviates seriously from the Boltzmann distribution when the initial vibrational energy of the adsorbate-surface bond increases. When the vibration of the adsorbate-surface bond is in the ground state, the amount of energy dissipated into the surface is negative, while it becomes positive as vHSi increases. The energy distributions among the various modes weakly depends on surface temperature in the range of 0-600 K, regardless of the initial vibrational state of H(ad)-Si(s) bond.
Dry etch characteristics of polysilicon with HBr/O$_2$ inductively coupled plasma (ICP) have been investigated. We determined etch late, uniformity, etch profiles, and selectivity with analyzing the cross-sectional scanning electron microscopy images obtained from top, center, bottom, right, and left positions. The etch rate of polysilicon was about 2500 $\AA$/min, which meets with the mass production for devices. The wafer level etch uniformity was within $\pm$5 %. Etch profile showed 90$^{\circ}$ slopes without notches. The selectivity over photoresist was between 2:1∼4.5:1, depending on $O_2$ flow rate. The HBr-ICP etching showed higher PR selectivity, and sharper profile than the conventional Cl$_2$-RIE.
Platinum thin films which hardly form volatile compounds with any reactive gas at normal process temperature was etched in Inductively Coupled Plasma (ICP) using Ar/HBr/$Cl_2$ gases. It is observed that the etch rate of platinum is reduced as increasing of HBr/$Cl_2$ gas mixing ratio when Ar gas ratio is fixed. However, we obtain good etching profile of platinum films without unwanted residues in 90% Ar/5% HBr/5% $Cl_2$ gas mixing ratio.
MERIE 플라즈마 장비를 사용하여 실리콘의 트렌치 식각을 HBr, He-$O_2,SiF_4,CF_4$ 등의 가스를 주입하여 수행하였으며 식각 속도, 식각 프로파일 변화, 잔류물 생성 및 표면 상태 등을 관찰하였다. HBr만을 이용한 플라즈마 식각시에는 트렌치 하부 영역에 상당한 횡방향 식각이 일어나 항아리 모양의 식각 프로파일이 관찰되었으며, HBr에 He-$O_2$가스와 $SiF_4$나 $CF_4$등의 주입량을 변화시켜 벽면 기울기와 횡방향 식각의 정도를 제어할 수 있었다. 표면 잔류물 특성 및 표면 거칠기(roughness)등은 HBr/He-$O_2$/$SiF_4$가스를 동시에 주입하여 식각하였을 때 가장 양호한 식각 특성을 나타내었으며, 첨가 가스로 $SiF_4$를 이용함으로써 기존의 C-F계 플라즈마를 이용한 트렌치 식각 특성들보다 우수한 공정 결과를 얻었다. 또 한 $SiF_4$를 이용함으로써 $CF_4$ 첨가시보다 C의 잔류물을 크게 줄이고 표면 손상을 개선할 수 잇음을 X-선 광전자 분석과 주사전자현미경(scanning electron microscopy) 및 AFM(atomic force microscopy)의 결과로써 확인하였다.
본 연구에서는 국내 농공단지로부터 배출되는 폐수를 대상으로 폐수의 처리효율 특성을 전형적인 $A_{2}O$ 공정계열의 변법인, 배양조-혐기조-간헐포기조로 구성된 HBR-II 공정을 적용하여 이를 규명하고자 하였다. 또한 고도처리를 위한 상용화 플랜트 설계 시에 공정 조업 및 제어변수 값을 도출하고 HBR-II 공정의 고도처리 효율성을 경제적 측면에서 분석검토 하고자 하였다. 이를 위해 본 실험에서는, HBR-II 공정을 bench (또는 pilot) 규모의 실험 장치에 적용시켜 처리효율 실험을 수행하였으며, 1차 침전지 설계를 위한 회분식(batch type) 침전실험과 인(T-P)의 제거와 2차 침전지로부터의 난분해성 미세 부유고형물 입자의 배출농도 안정화를 위한 응집실험을 병행하여 이를 고도처리효율과 연계하여 최적의 침전 및 응집을 위한 공정조업 변수 값을 도출하고자 하였다. F/M비를 0.20~0.25 $BOD_5/Kg{\cdot}MLSS/Day$로 유지시켰으며, $BOD_5$ 98.4%, $COD_{Mn}$ 92.9%, SS 97.5%, T-N 91.3%, T-P 82.3% 의 높은 제거효율을 나타내었다. 본 연구를 통하여서 HBR-II 공정을 농공단지 폐수처리에 접목 할 경우 안정적인 수처리가 가능할 것으로 사료된다.
This study was carried out to develop the new process for RBC process which is capable of nutrient removal and to obtain its design parameters for Sludge Settling Type Rotating Biological Contactors by comparing RBC with RBC combined with HBR (Hanmee Bio-Reactor). To achieve more than 90% of organic removal efficiency, organic loading rate less than $6.0g\;BOD/m^2/d$ is recommended. Nitrification rate was about 90% at $6.0g\;BOD/m^2/d$. TN removal efficiency of RBC+HBR was higher than those of RBC1 and RBC2. TN removal efficiency at condition of $5.0g\;BOD/m^2/d$ was about 60% in RBC1. When BOD loading rate was $6.0g\;BOD/m^2/d$. TN removal efficiencies in RBC2 and RBC+HBR were about 70%, 80%, respectively. TP removal efficiency was more than about 67% for RBC1, about 63% for RBC2 and about 71 % for RBC+HBR at the same loading rate. From the blank experiment to observe removal efficiency in the first stage, it can be known that COD removal efficiency was about 30% and suspend solids settling rate was about 45%. It was proved that RBC+HBR is much better in sludge dewatering than RBC.
본 연구에서 고밀도 플라즈마 식각 장치를 사용한 비정질 실리콘 막의 게이트 전극선 형성공정에서 여러 가지 식각 변수가 치수 제어와 식각 속도 및 식각 선택비 등 식각 특성에 미치는 영향을 분석하였다. $Cl_2/HBr/O_2$로 구성된 식각 기체의 전체 유량을 증가시키면 비정질 실리콘의 식각 속도가 증가하나 식각 전후의 형상치수는 변화없이 거의 일정하였다. 전체 유량을 고정시키고 $Cl_2$와 HBr 간의 유량비를 변화시키면 HBr의 유량이 커질수록 비정질 실리콘의 식각 속도가 감소하였다. $O_2$의 유량을 증가시키면 산화막의 식각 속도가 상대적으로 낮아져 식각 선택비를 증가시켜 식각 공정의 안정성을 높이나 게이트 전극선을 경사지게 하는 특성을 보인다. Source power의 증가는 비정질 실리콘 식각 속도의 증가와 더불어 형상치수의 증가를 가져오며, bias power의 증가는 비정질 실리콘과 산화막의 식각 속도를 증가시키나 식각 선택비를 크게 감소시키는 경향을 보였다.
최근 들어 무선 인터넷이 발전하고, PDA, HPC의 보급이 늘어남에 따라 GIS(Geographic Information System)와 관련된 연구 및 개발이 점차적으로 위치 기반 서비스(LBS: Location Based Service)를 제공하기 위한 실시간 모바일 GIS로 변화해 가고 있다. LBS를 효과적으로 제공하기 위해서는 이동 객체의 동적인 상황을 효과적으로 처리할 수 있는 실시간 GIS 플랫폼과 위치 데이타의 특성을 반영한 위치 인덱스가 필요하다. 위치 데이타는 이전의 GIS에서 사용되는 것과 동일한 데이타 타입(예, 점)이 사용되지만 위치 데이타의 관리는 이전 GIS와는 다른 처리 방식을 사용해야 한다. 이를 위하여 본 논문에서는 대용량의 위치 데이타를 효율적으로 처리할 수 있는 HBR-tree를 이용한 실시간 모바일 GIS의 개발에 대하여 연구하였다. 본 연구에서 개발된 실시간 모바일 GIS는 HBR-tree와 실시간 GIS 플랫폼으로 구성되어 있다. HBR-tree는 R-tree와 공간 해쉬가 결합된 위치 인덱스이다. 그러므로, 위치 데이타가 빈번하게 변경되더라도 갱신 연산은 HBR-tree의 동일한 해쉬 테이블에서 일어나기 때문에 다른 트리 기반 인덱스에 비하여 갱신 연산이 적으며, 검색 연산은 R-tree의 검색 메커니즘을 이용하기 때문에 공간 데이타를 신속하게 검색할 수 있다. 본 논문에서 실시간 GIS 플랫폼은 주기억장치 데이타베이스 시스템의 기능이 확장된 실시간 GIS 엔진, 공간 및 비공간 데이타를 서버와 클라이언트로 전송하기 위한 미들웨어, 그리고 모바일 장치에서 동작하는 모바일 클라이언트로 구성되어 있다. 특히, 본 논문에서는 실험적 방법을 사용하여 HBR-tree와 실시간 GIS 엔진의 성능 평가 결과에 대해서도 기술하였다. 확보하며 이루어져야 가능하다. 여러 지자체를 중심으로 수행된 지자체 GIS 감리와 컨설팅의 경험을 통해 도출된 문제점들을 일반화시켜 정리하였으며, 이를 통해 지자체 GIS사업의 추진 및 운영모델을 제시하였다. 표시할 수 있음으로서 의사결정에 보다 많은 도움을 줄 수 있을 것이다. 비트율의 증가와 화질 열화는 각각 최대 1.32%와 최대 0.11dB로 무시할 수 있을 정도로 작음을 확인 하였다.을 알 수 있었다. 현지관측에 비해 막대한 비용과 시간을 절약할 수 있는 위성영상해석방법을 이용한 방법은 해양수질파악이 가능할 것으로 판단되며, GIS를 이용하여 다양하고 복잡한 자료를 데이터베이스화함으로써 가시화하고, 이를 기초로 공간분석을 실시함으로써 환경요소별 공간분포에 대한 파악을 통해 수치모형실험을 이용한 각종 환경영향의 평가 및 예측을 위한 기초자료로 이용이 가능할 것으로 사료된다.염총량관리 기본계획 시 구축된 모형 매개변수를 바탕으로 분석을 수행하였다. 일차오차분석을 이용하여 수리매개변수와 수질매개변수의 수질항목별 상대적 기여도를 파악해 본 결과, 수리매개변수는 DO, BOD, 유기질소, 유기인 모든 항목에 일정 정도의 상대적 기여도를 가지고 있는 것을 알 수 있었다. 이로부터 수질 모형의 적용 시 수리 매개변수 또한 수질 매개변수의 추정 시와 같이 보다 세심한 주의를 기울여 추정할 필요가 있을 것으로 판단된다.변화와 기흉 발생과의 인과관계를 확인하고 좀 더 구체화하기 위한 연구가 필요할 것이다.게 이루어질 수 있을 것으로 기대된다.는 초과수익률이 상승하지만, 이후로는 감소하므로, 반전거래전략을 활용하는 경우 주식투자기간은 24개월이하의 중단기가 적합함을 발견하였다. 이상의 행태적 측면과 투자성과측면의 실증결과를 통하여 한국주식시장에 있어서 시장수익률을 평균적으로 초과할 수
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[게시일 2004년 10월 1일]
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