Proceedings of the Korean Society for Agricultural Machinery Conference
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한국농업기계학회 2000년도 THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON AGRICULTURAL MACHINERY ENGINEERING. V.III
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pp.819-826
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2000
This study was performed to develop a measurement system of tractor field performance for plow and rotary operations. Measurement system for tractor consisted of torque sensors to measure torque of drive axles and PTO axle, speed sensors to measure rotational speed of drive axles and engine, microcomputer to control data logger, and data logger as I/O interface system. The measurement system was installed on four-wheel-drive tractor. Four-element full-bridge type strain gages were used for torque measurement of drive axles and optical encoders were used to measure speeds of drive axles and engine. Slip rings were mounted on the rotational axles. Signals from sensors were inputted to data logger that was controlled by microcomputer with parallel communication. Sensors were calibrated before the field tests. Regression equations were found on completion of the calibrations. The field experiment was performed at paddy fields and uplands. Rotary and plow were used when the tractor was operated in the field. Travelling speeds of the tractor were 1.9 km/h, 2.7 km/h, 3.7 km/h, 5.5 km/h, 8.2 km/h, and 11.8 km/h. Operating depths of implements were maintained approximately 20cm during the tests. Torque data of drive axles were different at each location during plow and rotary operations. Results showed that torque of rear axles were greater than those of front axles. Total torque were 6860 - 11064 Nm at the upland and 7360 - 14190 Nm at the paddy field for plow operations. It was found that torque at the paddy field were about 20% greater than those at the upland for plow operations. Torque data showed that rotary operations required less power than plow operation at the paddy field and the upland. Torque measurements at each axle for rotary operations were only 8 - 16% of plow operations in the upland and 15 - 20% in the paddy field.
In order to further elucidate the process of electron solvation in liquids, the medium effect, as the difference between the free energy of $H^+$ in aqueous and non-aqueous states (${\Delta}{\Delta}G_0$), of THF-water mixtures has been investigated. (${\Delta}{\Delta}G_0$) were determined by electromotive force masurements of the cell Pt$H_2Q$, Q, HCI, THF, $H_2O$|KC1 | $Hg_2Cl_2$|Hg(Pt), where $H_2Q$ and Q are hydroquinone and quinone respectively. The effect of dielectric constant on the difference of free energy and the absorption energy of solvated electrons have been studied. For the consideration of these effect the polymerization of water in THF has been studied. Near infrared spectrum of O-H stetching energy has been used to measure the extent of water aggregates. The expermental results indicate that at least in some composition of binary mixtures the electrons or other ions are solvated preferentially with one component of solvents.
In a $2\times2$ table showing binary agreement between two raters, it is known that Cohen's $\kappa$, a chance-corrected measure of agreement, has two paradoxes. $\kappa$ is substantially sensitive to raters' classification probabilities(marginal probabilities) and does not satisfy conditions as a chance-corrected measure of agreement. However, $\kappa$ and other established measures have a reasonable and similar value when each marginal distribution is close to 0.5. The objectives of this paper are to present a new measure of agreement, H, which resolves paradoxes of $\kappa$ by adjusting unbalanced marginal distributions and to compare the proposed measure with established measures through some examples.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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제7권3호
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pp.468-473
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2003
In this paper, for enhancement of property on a-Si:H TFTs We measure interface characteristics of ferroelectrics thin film and a-Si:H thin film. First, SrTiO$_3$ thin film is deposited bye-beam evaporation. Deposited films are annealed for 1 hour in N2 ambient at $150^{\circ}C∼600^{\circ}C$. Dielectric characteristics of deposited SrTiO$_3$ films are very good because dielectric constant shows 50∼100 and breakdown electric field are 1 ∼ 1.5 MV/cm. a-SiN:H,a-Si:H(n-type a-Si:H) are deposited onto SrTiO$_3$ film to make MFNS(Meta1/ferroelectric/a-SiN:H/a-Si:H) by PECVD. After the C-V measurement for interface characteristics, MFNS structure shows no difference with MNS(Metal/a-SiN:H/a-Si:H) structure in C-V characteristics but the insulator capacitance value of MFNS structure is much higher than the MNS because of high dielectric constant of ferroelectric.
In order to study the electrical properties of silicone gel due to the curing condition, AC breakdown test is researched. For experiment, we have made up several samples cured during each 30[Min], 1[H], 2[H] at 100[$^{\circ}C$], 125[$^{\circ}C$], 150[$^{\circ}C$], 160[$^{\circ}C$], 170[$^{\circ}C$], 180[$^{\circ}C$]. The equipment for this test can measure the dipole output voltage to 50[kV], with increasing rate of about 3[kV] per second. A material of electrode using to the breakdown test is a copper(purity : 99%), the gap between electrodes is to 1[mm]~3[mm], and it thickness is 0.2[mm]. As a result of the experiment, the electrical properties of specimen cured at 170[$^{\circ}C$] for 2[H] is superior.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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한국표면공학회 2018년도 춘계학술대회 논문집
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pp.33.1-33.1
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2018
pH is expressed mathematically as $pH=-{\log}[H^+]$, is a measure of the hydrogen ion concentration, [$H^+$] to specify the acidity or basicity of an aqueous solution. The pH scale usually ranges from 0 to 14. Every aqueous solution can be measured to determine its pH value. The pH values below 7.0 express the acidity, above 7.0 are alkalinity and pH 7.0 is a neutral solution. The solution pH can be determined by indicator or by measurement using pH sensor, which measuring the voltage generated between a glass electrode and a reference electrode according to the Nernst Equation. The pH value of solutions depends on the temperature and the activity of contained ions. In nickel electroless plating process, the controlled pH value in some limited ranges are extremely important to achieve optimal deposition rate, phosphorus content as well as solution stability. Basically, nickel electroless plating solution contains of $Ni^{2+}ions$, reducing agent, buffer and complexing agents. The plating processes are normally carried out at $82-92^{\circ}C$. However, the change of its pH values with temperatures does not follow any rule. Thus, the purpose of study is to understand the relationship between pH and temperature of some based solutions and electroless nickel plating solutions. The change of pH with changing temperatures is explained by view of the thermal dynamic and the practical measurements.
The heat transfer and flow measurements were made on a cylindrical pedestal mounted on a flat plate with a turbulent impinging air jet. The heat transfer coefficient distributions on the flat plate were measured using the shroud-transient technique and liquid crystal was used to measure the surface temperature. The jet Reynolds number (Re) is 23,000, the dimensionless nozzle-to-surface distance (L/d) from 2 to 10, the dimensionless pedestal diameter-to-height (H/D) from 0 to 1.5, the dimensionless 2nd pedestal diameter-to-height ($H/D_2$) from 0 to 0.4 and the distance from the stagnation point to 2nd pedestal (p/D). The results show that for H/D = 0.5 to 1.5, the Nusselt number distributions on the plate surface exhibit a maximum between $r/d\;{\cong}\;1.0$ and 1.5. The presence of the pedestal appears to cause the flow separation and reattachment on the plate surface, which results in the maximum heal transfer coefficient. Also, for p/D = 2.5 and $H/D_2$ = 0.3, the local Nusselt number in the region corresponding to $r/d\;{\cong}\;1.1$ was increased up to 50% compared to that for $H/D_2=0$.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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pp.501-504
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2003
In this paper, for enhancement of property on a-Si:H TFTs We measure interface characteristics of ferroelectrics thin film and a-Si:H thin film. First, SrTiO$_3$ thin film is deposited bye-beam evaporation. Deposited films are annealed for 1 hour in N2 ambient at 150$^{\circ}C$ ∼ 600$^{\circ}C$. Dielectric characteristics of deposited SrTiO$_3$ films are very good because dielectric constant shows 50∼100 and breakdown electric field are 1∼1.5MV/cm. a-SiN:H,a-Si:H(n-type a-Si:H) are deposited onto SrTiO$_3$ film to make MFNS(Metal/ferroelectric/a-SiN:H/a-Si:H) by PECVD. After the C-V measurement for interface characteristics, MFNS structure shows no difference with MNS(Metal/a-SiN:H/a-Si:H) structure in C-V characteristics but the insulator capacitance value of MFNS structure is much higher than the MNS because of high dielectric constant of ferroelectrics.
We showed in [2] that if r≤2, zero mean Gaussian of average error of the Trapezoidal rule is proportional to h/sub i//sup 2r+3/ on the interval [0,1]. In this paper, if r≥3, we show that zero mean Gaussian of average error of the Trapezoidal rule is bounded by Ch⁴/sub i/h⁴/sub j/.
We derive a comparison theorem for solutions of the following stochastic partial differential equations in a Hilbert space H. $$Lu^i=\alpha(u^i)M(t,\; x)+\beta^i(u^i),\;for\;i=1,\;2,$$$where\;Lu^i=\;\frac{\partial u^i}{\partial t}\;-\;Au^{i}$, A is a linear closed operator on Hand M(t, x) is a spatially homogeneous Gaussian noise with covariance of a certain form. We are going to show that if $\beta^1\leq\beta^2\;then\;u^1{\leq}u^2$ under some conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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