• 천문학회보
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• 제41권1호
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• pp.43.1-43.1
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• 2016

With the Korean VLBI Network (KVN), both single dish and VLBI monitoring observations of H2O and SiO masers were performed toward the semi-regular variable star R Crateris. In the case of 11 VLBI monitoring observations from Jan. 5, 2014 to Jan. 7, 2016, successful superposed maps of H2O and SiO masers were obtained at 7 epochs by adopting the Source Frequency Phase Referencing (SFPR) method. These results enable us to investigate the development of outflow and asymmetric motions from SiO maser to H2O maser regions according to stellar pulsation which are closely related with a mass-loss process. Single dish monitoring observations of H2O and SiO masers were also carried out from 2009 June to 2016 Feb. Intensity variations between H2O and SiO masers were investigated according to stellar optical phases together with peak velocity variations with respect to the stellar velocity. We will compare the VLBI results among different maser transitions with those of single dish.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제20권1_2호
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• pp.541-548
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• 2006

We find a graded Artinian level O-sequence of the form $H\;:\;h_0\;h_1\;\cdots\;h_{d-1}\;h_d\cdots$ $^{(d+1-1_)-st}h_d$ < $h_{d+s}$ not having the Weak-Lefschetz property. We also introduce several algorithms for construction of some examples of non-unimodal level O-sequences using a computer program called CoCoA.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.871-872
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• 2009

본 연구에서는 석탄가스에 함유된 $H_2O/H_2S$ 농도변화에 따른 세가지 종류의 아연계 탈황제의 반응성능을 회분식 유동층반응기에서 분석하였다. 가스화에서 생성되는 가스의 조성은 모사가스를 이용하여 입구의 $H_2O$와 $H_2S$ 농도를 변화시켜 실험을 수행하였다. $H_2O$의 농도는 5%부터 30%까지 $H_2S$의 농도는 0.5%에서 2%로 변화시켜 탈황성능을 분석하였다. 실험 결과 $H_2O$의 농도가 증가할수록 탈황성능이 감소하였다. 입구의 $H_2S$ 농도가 증가할수록 탈황반응기 후단의 $H_2S$ 농도 역시 증가하였으나, 탈황성능은 최저 99.5%로 건식탈황제를 이용하여 99% 이상의 $H_2S$ 제거 성능을 보이는 것을 확인하였다.

• 전기화학회지
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• 제9권2호
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• pp.77-83
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• 2006

Anodic overpotential has been investigated with gas composition changes in a $100cm^2$ class molten carbonate fuel cell. The overpotential was measured with steady state polarization, reactant gas addition (RA), inert gas step addition (ISA), and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) methods at different anodic inlet gas compositions, i.e., $H_2:CO_2:H_2O=0.69:0.17:0.14\;atm\;and\;H_2:CO_2:H_2O=0.33:0.33:0.33\;atm$, at a fixed $H_2$ flow rate. The results demonstrate that the anodic overpotential decreases with increasing $CO_2\;and\;H_2O$ flow rates, indicating the anode reaction is a gas-phase mass-transfer control process of the reactant species, $H_2,\;CO_2,\;and\;H_2O$. It was also found that the mass-transfer resistance due to the $H_2$ species slightly increases at higher $CO_2\;and\;H_2O$ flow rates. EIS showed reduction of the lower frequency semi-circle with increasing $H_2O\;and\;CO_2$ flow rate without affecting the high frequency semi-circle.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제9권2호
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• pp.77-84
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• 1998

$H_2O/O_2$, $D_2O/H_2O$, $D_2O/H_$2 등의 반응계의 수소동위원소 교환반응용 전기방전을 이용하여 용이하게 일으킬 수 있다. 예를 들어, DC 코로나 방전을 위의 반응혼합물을 통하여 일으키면 여기된 상태의 반응물이 존재하는 플라즈마를 형성하게 된다. 이러한 플라즈마 내에서 반응물들은 양자에너지 준위의 여기, 이온화 그리고 라디칼 형성등을 통하여 매우 큰 반응성을 갖게되므로 실온에서도 용이하게 수소동위원소 교환반응을 일으킨다. 본 연구에서는 $H_2/D_2O$계의 기상에서의 교환반응에 대한 연구를 실시하였다. 위 반응계는 전기방전하에서 수소(H)와 중수소(D)간의 교환반응에 의하여 HDO와 HD를 생성하게 된다. 이러한 반응생성물을 FTIR 분광법을 이용하여 시간의 함수로 측정을 하였다.

• 공업화학
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• 제10권3호
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• pp.400-406
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• 1999

고효율 가스흡수식 냉방기를 위한 신 작동매체로 기존의 $LiBr-H_2O$ 용액에 $LiNO_3$, LiCl, LiI 성분을 첨가하여 4성분 용액을 제조하였다. 본 연구를 통하여 제조된 4성분계의 작동매체에 대한 용해도와 증기압을 측정하여 기존의 $LiBr-H_2O$계와 비교 분석하였으며, 이들에 대한 최적혼합 몰비를 각각 구하였다. 용해도 측면에서 $LiBr-LiNO_3-LiCl$계는 5:1:1~2, $LiBr-LiNO_3-LiCl$계는 5:1:1, LiBr-LiI-LiCl계의 경우 5:1:0.5~1로 나타났다. 한편 $LiBr-LiNO_3-LiCl-H_2O$계를 제외하고 모두 증기압이 $LiBr-H_2O$계에 비해 높게 나타났다. $LiBr-LiNO_3-LiCl-H_2O$계를 이용한 흡수성능 실험시 $LiBr-H_2O$계 보다 우수한 특성을 지녔다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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• pp.369-372
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• 1996

We prepared LiMn$_2$O$_4$ by reacting stoichiometric mixture of LiOH.$H_2O$ and MnO$_2$ (mole ratio 1 : 1) and heating at 80$0^{\circ}C$ for 24h, 36h, 48h, 60h and 70h. We obtained through X-ray diffraction that lattice parameter varied as function of heat treatment time. heated cathode active materials at 80$0^{\circ}C$ for 36h, (111)/(311) peak ratio was 0.37. It expected good charge/discharge characteristics. When (111)/(311) peak ratio was 0.37, it will be that crystal structure is farmed very well. In the result of charge/discharge test When heated at 80$0^{\circ}C$ for 36h, charge/discharge characteristic of LiMn$_2$O$_4$is the most property. It agree with our expectation.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제19권6호
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• pp.676-680
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• 1998

The relaxation process of photogenerated carriers was investigated using conductivity measurement on ZnO under He, $H_2,\; CO_2\; and\; O_2$. The process was well explained with the rate constant of reaction or recombination of hole and electron, $k_h \;and\; k_e ( k_h > k_e)$, respectively. Generally, $k_h$ increased with the pressure of the gases. The slope of $k_h$ with respect to the pressure increased in the order of $H_2{\le}He, while $k_h$ of $O_2$ was sensitive to the history of the sample. The relaxation process on ZnO which was exposed to oxygen at 298 K and 573 K was observed during the illumination at 298 K and it was found that the rate constant of hole decreased with illumination time. From the result, it was suggested that the rate constant of photogenerated excess carriers was affected by the surface barrier of the semiconductor.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제50권5호
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• pp.802-807
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• 2012

본 연구에서는 메탄으로부터 합성가스를 만드는 자열 개질(Autothermal reforming)반응 특성을 Ni (15 wt%)-Ru (1 wt%)/$Al_2O_3$-MgO 금속모노리스 촉매체와 전기 발열식 촉매를 사용하여 조사하였다. 자체 가동 형 반응기는 자열 개질 반응기에 $700^{\circ}C$ 반응물을 공급하는데 걸리는 start-up 시간이 2분 이내였다. 반응물의 $O_2/CH_4$와 $H_2O/CH_4$ 비가 메탄의 전환율과 반응기의 온도 분포에 미치는 영향은 매우 크다. 반응기의 온도는 $H_2O/CH_4$ 비가 감소할수록 흡열반응에서 발열반응으로 전환되어 증가한다. 또한 $H_2O/CH_4$ 비가 증가함에 따라 수성가스화 전이반응에 의하여 생성물 중에 $CO_2$양이 증가한다. $GHSV=10,000\;h^{-1}$, 반응물 조성($H_2O/CH_4=0.6$과 $O_2/CH_4=0.5$)의 자열 개질반응에서, 97%의 메탄의 전환율을 얻었으며, 반응기의 온도는 $600^{\circ}C$로 유지되었다. 이 반응조건에서 170 cc 금속모노리스 촉매체를 충진한 반응기에서 자열개질 반응으로 생성된 최대 합성가스의 유량은 $0.94\;Nm^3/h$ 이었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.877-881
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• 2006

We obtained sputtering yields for the MgO, $MgAl_2O_4$ and $MgAl_2O_4/MgO$ films using the FIB system. $MgAl_2O_4/MgO$ protective layers have been found to have less $24^{\sim}^30%$ sputtering yield values from 0.24 atoms/ion up to 0.36 atoms/ion than MgO layers with the values from 0.36 atoms/ion up to 0.45 atoms/ion for irradiated $Ga^+$ ion beam whose energies ranged from 10 keV to 14 keV. And $MgAl_2O_4$ layers have been found to have lowest sputtering yield values from 0.88 up to 0.11. It is also found that $MgAl_2O_4/MgO$ and MgO have secondary electron emission $coefficient({\gamma})$ values from 0.09 up to 0.12 for $Ne^+$ ion whose energies ranged from 50 eV to 200 eV.