Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.24
no.5
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pp.190-195
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2014
Because of the temperature gradient occurring during the growth of the ingot with directional solidification method, defects are generated and the residual stress is produced in the ingot. Changing the growth and cooling rate during the crystal growth process will be helpful for us to understand the defects and residual stress generation. The defects and residual stress can affect the properties of wafer. Generally, it was found that the size of grains and twin boundaries are smaller at the top area than at the bottom of the ingot regardless of growth and cooling condition. In addition to that, in the top area of silicon ingot, higher density of dislocation is observed to be present than in the bottom area of the silicon ingot. This observation implies that higher stress is imposed to the top area due to the faster cooling of silicon ingot after solidification process. In the ingot with slower growth rate, dislocation density was reduced and the TTV (Total Thickness Variation), saw mark, warp, and bow of wafer became lower. Therefore, optimum growth condition will help us to obtain high quality silicon ingot with low defect density and low residual stress.
Transplant production in a plant factory with artificial lighting provides several benefits; (1) rapid and uniform transplant production, (2) high production rate per unit area, and (3) production of disease free transplants production. To improve the growth of runner plants when strawberry transplants are produced in a plant factory, we conducted two experiments to investigate (1) the effect of different light intensity for stock and runner plants on the growth of runner plants, and (2) the effect of different container volume for runner plants on their growth. When the stock and runner plants were grown under nine different light conditions composed of three different light intensities (100, 200, and $400{\mu}mol{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}$ PPF) for each stock and runner plants, increasing the light intensity for stock plants promoted the growth of runner plants, however, the growth of runner plants was not enhanced by increasing the light intensity for runner plants under same light intensity condition for stock plants. We also cultivated runner plants using plug trays with four different container volumes (21, 34, 73, and 150 mL) for 20 days after placing the stock plants, and found that using plug trays with lager container volume did not enhance the growth of runner plants. These results indicate that providing optimal condition for stock plants, rather than the runner plants, is more important for increasing the growth of the runner plants and that the efficiency of strawberry transplant production in a plant factory can be improved by decreasing light intensity or container volume for runner plants.
A 60-day experiment was conducted to determine the effect of feeding and starvation on the survival, growth, and blood parameters of red sea bream Pagrus major. The starved group was not fed during the first 32 days of the experiment and was then fed for 28 days. The growth rate of the starved fish group was significantly lower than that of the fed fish group. Starvation resulted in growth retardation and reductions in final body weight, growth rate, specific growth rate, and condition factor, whereas the fed fish group grew well and maintained a good condition. The growth rate of the starved group that was refed was higher than that of the fed group. Red blood cells, hematocrit, and hemoglobin showed no significant differences between the fed and starved groups. The cortisol and glucose levels of the fed group of juveniles were higher than those of the starved group. The cortisol levels of the starved group of adults were higher than those of the fed group, whereas the glucose levels of the starved group were lower than those of the fed group. These results suggest that the survival, growth, and hematological parameters used to reflect starvation and feeding in this study provide a useful index of physiological response and survival rate in red sea bream.
This theoretical model makes three contributions to the study on economic growth and environment. First, emissions are generated during final goods production and technology accumulation. Second, this paper assumes that pollution is directly increasing with increase in final goods output or in consumption. Third, we use reproducible factors associated with labor and capital input in production function and assume constant return to scale in reproducible factors. From growth rate condition we derived, increases in reproducible factors, increases in productivity of either the abatment or technology sector, and decrease in social discount rate would increase the sustainable growth rate. In empirical test, the environmental degradation did not effect the economic growth rate though other factors satisfied the growth rate condition equation. However, through the reinterpretation of this result, we found indirectly the fact of that an inverted U relationship between air pollution and economic growth rate would exist in 20 OECD countries using a panel data for the period of 1986~1995.
This study was carried out to examine the effects of cutting condition on the rooting and their subsequent growth of cut flower in plug cutting of summer-flowering chrysanthemum 'Iwanohakusen'. The more leaves were attached to the cutting, the higher shoot growth and rooting were. Shoot growth of cuttings was not affected by cutting length, but rooting was better in over 5 cm long cutting. Shoot growth was enhanced by increasing thickness of cutting, and 5.5 mm thick cutting was favored in rooting. When the many leaves were attached on the cutting, the length and weight of cut flower increased. Over 7 cm long cutting showed higher values in growth of cut flower and ray flower number. Cutting of 5.5 mm diameter showed more favorable growth of cut flower than the other treatments. Therefore, it is concluded that rooting of cutting and consecutive growth of cut flower was improved when 7 cm long and 5.5 mm diameter cutting with 4 leaves was used in plug cutting of chrysanthemum 'Iwanohakusen'.
Changes in the cell growth and lipid accumulation of marine microalga Dunaliella tertiolecta were investigated in response to the combination of different stress factors including the variation of iron supply as a primary stress factor and different options in light irradiation and $CO_2$ supply as a secondary stress factor. High or limited Fe conditions could act as a stress for lipid synthesis. As a secondary stress factor, non-$CO_2$ condition was good for lipid accumulation, but the overall cell growth was sacrificed significantly after a long-time cultivation. Dark condition as a secondary stress factor also favored lipid accumulation and the extent of cell density reduction at the early period in the dark was small compared to other stress conditions. The two-stage cultivation strategy was necessary to maximize lipid production because tendencies of the cell growth and lipid content were not identical under the chosen stress condition. The first stage was for preparing a high cell density under the normal growth-favoring condition and the second stage was the stress condition to induce lipid accumulation in a short time. The short-term (12 h) incubation under the 5X Fe (3.25 mg/L) and dark conditions resulted in the best lipid productivity of 1.44 g/L/d providing 2 g/L inoculum at the second stage.
Suh, Su Jeoung;Jang, In Bae;Jang, In Bok;Moon, Ji Won;Yu, Jin
Korean Journal of Medicinal Crop Science
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v.27
no.6
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pp.390-396
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2019
Background: Usually ginseng seeds are sown during autumn and spring. Sowing in spring often results in poorer seedling establishment than in autumn. One of the reasons for poor germination could be cold-treatment condition for breakage of physiological dormancy during winter. Here we tested the effects of storage temperature used during cold treatment on germination. Methods and Results: Germination properties were observed after dehiscent seeds were stored as wet and dry at 2℃, -2℃, -3.5℃ and alternating temperature (AT). Seed dryness and storage temperature affected germination properties (p < 0.01). Wet and AT condition germinated highest, and wet and -3.5℃ condition germinated lowest, which was 91.2% and 1.4% respectively. Mean germination time (MGT) of the wet and AT condition was faster than other treatments at 2.4 days, and the dry and -2℃ condition was the longest. Germination performance index (GPI) was highest for wet and AT condition (37.7%) and the lowest for wet and -3.5℃ condition (0.5%). The growth of above-ground and below-ground were the best for wet and 2℃ condition, and wet seeds showed better growth than dry seeds (p < 0.01). Conclusions: For cold treatment, ginseng seeds may not be stored below -2℃ for successful germination during spring sowing.
We show the existence of the solutions for the following nonlinear elliptic problem under the Dirichlet boundary condition. To show the existence of the solutions we use the variational formulation.
Park, Cheol-Hyeon;O, Jae-Eung;No, Yeong-Gyun;Lee, Sang-Tae;Kim, Mun-Deok
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.183-184
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2013
Two main MBE growth techniques have been used: plasma-assisted MBE (PA-MBE), which utilizes a rf plasma to supply active nitrogen, and ammonia MBE, in which nitrogen is supplied by pyrolysis of NH3 on the sample surface during growth. PA-MBE is typically performed under metal-rich growth conditions, which results in the formation of gallium droplets on the sample surface and a narrow range of conditions for optimal growth. In contrast, high-quality GaN films can be grown by ammonia MBE under an excess nitrogen flux, which in principle should result in improved device uniformity due to the elimination of droplets and wider range of stable growth conditions. A drawback of ammonia MBE, on the other hand, is a serious memory effect of NH3 condensed on the cryo-panels and the vicinity of heaters, which ruins the control of critical growth stages, i.e. the native oxide desorption and the surface reconstruction, and the accurate control of V/III ratio, especially in the initial stage of seed layer growth. In this paper, we demonstrate that the reliable and reproducible growth of GaN on Si (110) substrates is successfully achieved by combining two MBE growth technologies using rf plasma and ammonia and setting a proper growth protocol. Samples were grown in a MBE system equipped with both a nitrogen rf plasma source (SVT) and an ammonia source. The ammonia gas purity was >99.9999% and further purified by using a getter filter. The custom-made injector designed to focus the ammonia flux onto the substrate was used for the gas delivery, while aluminum and gallium were provided via conventional effusion cells. The growth sequence to minimize the residual ammonia and subsequent memory effects is the following: (1) Native oxides are desorbed at $750^{\circ}C$ (Fig. (a) for [$1^-10$] and [001] azimuth) (2) 40 nm thick AlN is first grown using nitrogen rf plasma source at $900^{\circ}C$ nder the optimized condition to maintain the layer by layer growth of AlN buffer layer and slightly Al-rich condition. (Fig. (b)) (3) After switching to ammonia source, GaN growth is initiated with different V/III ratio and temperature conditions. A streaky RHEED pattern with an appearance of a weak ($2{\times}2$) reconstruction characteristic of Ga-polarity is observed all along the growth of subsequent GaN layer under optimized conditions. (Fig. (c)) The structural properties as well as dislocation densities as a function of growth conditions have been investigated using symmetrical and asymmetrical x-ray rocking curves. The electrical characteristics as a function of buffer and GaN layer growth conditions as well as the growth sequence will be also discussed. Figure: (a) RHEED pattern after oxide desorption (b) after 40 nm thick AlN growth using nitrogen rf plasma source and (c) after 600 nm thick GaN growth using ammonia source for (upper) [110] and (lower) [001] azimuth.
Securing sufficient planting strip for street shrubs has a limitation. So many different shrubs which have been planted in the streets looks consider its visual aspect rather than growth characteristics. In this study, we compared with the growth condition of planted shrubs and construction condition of its planting strip. $Photinia$$glabra$, $Euonymus$$japonicus$, $Camelia$$sasanqua$, $Nandina$$domestica$, $Abelia$$grandiflora$ were selected in the Busan City, Korea. The planting strips width were 0.5~0.9m which is not relatively different by each species. Species which have narrow growth character of root hair in the natural bed ($Nandina$$domestica$, $Abelia$$grandiflora$) have a good growth condition in the street planting strip, oppositely shrubs which have wide growth character of root hair ($Photinia$$glabra$, $Euonymus$$japonicus$, $Camelia$$sasanqua$) have a relatively bad growth condition. Hereupon, there have a necessity which should be select the different shrub species for the planting strip of the street.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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