• 한국작물학회지
• /
• 제41권6호
• /
• pp.729-735
• /
• 1996

동진벼의 현미에서 캘러스를 유도하여 증식할 경우 Ge첨가가 캘러스 내의 Ge함량에 미치는 영향을 검토한 결과는 다음과 같다. 배지별 Ge농도에 따른 캘러스 증식율과 캘러스내 Ge 및 무기원소의 함량은 N$_{6}$배지보다는 MS배지에서 캘러스증식이 좋았으며, 캘러스 내 K함량을 제외하고는 Ge 및 기타 무기원소의 함량이 대체로 높았다. N$_{6}$배지와 MS배지 내 Ge농도가 높을수록 캘러스 증식율은 감소되나 캘러스 내 Ge함량은 증가되었고 Ca, Mg, K의 함량은 감소되며 Fe, Mn, Zn, Cu의 함량 등은 Ge농도 100～200 mg/$\ell$까지는 증가되나 그 이상 농도에서는 감소되는 경향이었다. Ge의 종류 및 농도에 따른 캘러스 내 Ge함량은 처리 한 Ge농도가 높을수록 증가되었는데, Ge 시용량이 100 mg/$\ell$ 이하에서는 무기ee(GeOf) 처리가 유기Ge(Ge-132) 처리보다 캘러스 내 Ge함 량이 높았으나, 그 이상의 농도에서는 유기 Ge처리가 무기Ge처리보다 캘러스 내 Ge함량이 높았고 캘러스 활력도 좋았다. 배지의 pH가 낮을수록 캘러스의 활력은 떨어지나 캘러스 내 Ge함량은 높았으며, citric acid 와 myo-inositol의 0.1～l.0 mM을 배지에 처리한 경우 무시용보다 캘러스 생육이나 캘러스 내Ge 및 기타 무기원소의 함량이 증가되었는데, citric acid보다는 myo-inositol의 시용에서 더 증가되었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제34권12호
• /
• pp.3690-3694
• /
• 2013

The $H_2Ge=Ge:$ and its derivatives ($X_2Ge=Ge:$, X = H, Me, F, Cl, Br, Ph, Ar${\ldots}{\ldots}$) is a new species. Its cycloaddition reactions is a new area for the study of germylene chemistry. The mechanism of the cycloaddition reaction between singlet state Cl2Ge=Ge: and formaldehyde has been investigated with CCSD(T)//MP2/$6-31G^*$ method. From the potential energy profile, it could be predicted that the reaction has only one dominant reaction pathway. The reaction rule presented is that the two reactants first form a fourmembered Ge-heterocyclic ring germylene through the [2+2] cycloaddition reaction. Because of the 4p unoccupied orbital of Ge: atom in the four-membered Ge-heterocyclic ring germylene and the ${\pi}$ orbital of formaldehyde forming a ${\pi}{\rightarrow}p$ donor-acceptor bond, the four-membered Ge-heterocyclic ring germylene further combines with formaldehyde to form an intermediate. Because the Ge: atom in intermediate hybridizes to an $sp^3$ hybrid orbital after transition state, then, intermediate isomerizes to a spiro-Ge-heterocyclic ring compound via a transition state. The research result indicates the laws of cycloaddition reaction between $H_2Ge=Ge:$ and formaldehyde, and laid the theory foundation of the cycloaddition reaction between $H_2Ge=Ge:$ and its derivatives ($X_2Ge=Ge:$, X = H, Me, F, Cl, Br, Ph, Ar${\ldots}{\ldots}$) and asymmetric ${\pi}$-bonded compounds, which is significant for the synthesis of small-ring and spiro-Ge-heterocyclic compounds. The study extends research area and enriches the research content of germylene chemistry.

• 한국진공학회지
• /
• 제9권4호
• /
• pp.346-352
• /
• 2000

15%와 42%의 Ge함량을 갖는 poly $Si_{1-x}Ge_x$ 박막을 $700^{\circ}C$의 습식 산화 분위기에서 산화 공정을 진행하고, 박막의 산화 거동을 RBS, XPS, cross-sectional TEM으로 분석하였다. Poly $Si_{0.8}Ge_{0.15}$박막의 경우, $GeO_2$에 비해 열적으로 안정한 $SiO_2$가 우선 생성되고, 반응에 참여하지 못한 Ge은 산화막과 poly $Si_{1-x}Ge_{x}$박막의 계면에 축적되어 산화막 하부의 Ge농도가 증가함을 확인하였다. Poly $Si_{0.8}Ge_{0.42}$ 박막의 경우, 산화막내에 많은 양의 Ge이 $GeO_2$와 Ge 형태로 존재하였고, 이러한 $GeO_2$의 형성으로 인해 산화속도의 증가를 확인하였다. 이러한 분석 결과를 바탕으로 Ge 함량 증가에 따른 poly $Si_{1-x}Ge_x$ 박막의 산화 모델을 제시하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
• /
• pp.55-56
• /
• 2006

We investigated the diffraction grating efficiency by the DPSS laser beam wavelength to improve the diffraction efficiency on AsGeSeS & Ag/ AsGeSeS thin film. Diffraction efficiency was obtained from DPSS(532nm)(P:P)polarized laser beam on AsGeSeS, Ag/ AsGeSeS and AsGeSeS/Ag/AsGeSeS thin films. As a result, for the laser beam intensity, 0.24 mW, single AsGeSeS thin film shows the highest value of 0.161% diffraction efficiency at 300 s and for 2.4 mW, it was recorded with the fastest speed of 50 s, which the diffraction grating forming speed is faster than that of 0.24 mW beam. Ag/ AsGeSeS and AsGeSeS/ Ag/ AsGeSeS multi-layered thin film also show the faster grating forming speed at 2.4 mW and higher value of diffraction efficiency at 0.24 mW.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.578-588
• /
• 1997

RTCVD법으로 $SiH_4$과 $GeH_4$ 가스를 이용하여 oxidized Si 위에 SiH$_4$: $GeH_4$ flow ratio(1 : 0.1~2 : 1), 증착온도(400~$600^{\circ}C$) 그리고 증착압력(1~50 torr)인 조건에서 다결정 $Si_{1-x}Ge_x$박막을 증착하여, 증착변수 변화에따른 $Si_{1-x}Ge_x$ 박막의 Ge 조성 변화와, Ge 조성이 증착속도에 미치는 영향 등에 대해 살펴보았다. 실험결과, 증착온도와 Ge 조성 증가에따라 증착속도는 증가하였으나 증착온도 증가에따라 Ge 조성이 감소하였다. 또한 증착압력 변화에따른 증착속도와 Ge조성 변화는, 증착압력 10 torr까지는 거의 직선적으로 증가하였으나 그이상에서는 서서히 증가함을 알 수 있었다. 이와같이 10 torr 이상의 증착압력에서 증착속도가 서서히 증가하는것은 물질전달 속도에 비해 표면반응 속도가 늦어져 나타난 현상으로 생각된다.

• 한국식품저장유통학회지
• /
• 제16권5호
• /
• pp.675-679
• /
• 2009

본 연구는 게르마늄(Ge) 처리 및 처리방법에 따른 배 '신고' 과실품질에 미치는 영향을 구명하고자 실시하였다. 수확 6개월 후에 저온 저장된 과실을 분석한 결과 Ge처리에 의해서 배 '신고' 품종의 고유한 색깔을 나타내는 담황색을 많이 띄는 과실을 생산하였다. 과실의 형태나 무게는 Ge처리구와 대조구간에 유의성이 없었으며, Ge처리구는, 과실의 당산비를 높였다. 과실의 씹힙성을 저해하는 석세포 함량을 조사한 결과, 모든 Ge 처리구에서 대조구보다 낮은 함량을 나타냈고, 특히 Ge 복합처리구에서 가장 낮은 함량을 나타냈다. 모든 Ge처리구에서 과실 내 Ge함량을 증가시켰으나, 과실 내 칼슘함량을 감소시키는 결과를 가져왔다. 과실 내 다른 무기성분인 칼륨, 마그네슘, 인산함량은 Ge처리구와 대조구간에 유의적인 차이는 없었다. 모든 Ge 처리구에서 6개월 저장기간 동안 높은 과실경도와 과실 비중을 유지했으며, 과육 내 치밀한 세포 조밀도를 나타내서, 배 '신고'에서 흔히 일어날 수 있는 과실 내 바람들이 현상을 감소시켰다. 전체적으로 Ge처리구간에 유의적인 차이는 없었지만, Ge 복합처리구에서 보다 더 상품성 있는 과실을 생산한 것으로 판단된다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제8권3호
• /
• pp.442-447
• /
• 1998

스파크 제조법으로 제조된 Ge 및 양극산화 부식법으로 제조된 다공성 Ge으로부터 청색 및 녹생 영역에서 가시광선 광발광이 관찰되었다. 자외선 조사없이 양극산화 부식법으로 제조된 다공성 Ge은 광발광 피크의 최대값이 520nm(2.38eV)에서, 자외선 조사하에서는 470nm(2,63eV)로 청색전이가 되었다. 스파크법으로 제조한 Ge은 광발광 피크가 520nm에서 관찰되었고 420nm 및 610nm에서 shoulder 피크가 나타났다. 온도감소(300K에서 20K까지)에 따른 연속적인 광발광 피크의 청색전이값은 자외선 조사하에 양극 산화부식법으로 제조한 다공성 Ge에서는 0.53meVK-1이었고 자외선 조사없이 제조한 다공성 Ge에서는 약 3배정도 큰 값인 $1.89\;meVK^{-1}$을 나타내었다. 한편 스파크 방법에 의하여 제조된 Ge은 온도 감소에 따른 연속적인 광발광 피크 청색 전이가 나타나지 않았다. 이러한 온도에 따른 광발광 현상으로부터 청색 및 녹색 광발광 현상을 나타내는 Ge의 광발광기구를 고찰하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제4권3호
• /
• pp.713-719
• /
• 2000

고체상 켜쌓기법(solid phase epitaxy)으로$Ge_xSi_{1-x}/Si$(111) 이종접합을 형성하기 위해 Si(111) 기판위에 먼저 Au를 1000A 증착하고 그 위에 Ge을 1000A 증착시켜 a-Ge/Au/Si(111)구조를 형성하고 이를 고진공 조건에서 이단계 열처리 하였다. 열처리 후 Auger 전자분광분석(AES), X-ray 회절(XRD), 고분해 투과전자현미경(HRTEM) 등을 통해 Au와 Ge의 거동과 형성된 $Ge_xSi_{1-x}$막의 특성을 열처리 조건에 따라 분석하였다. a-Ge/Au/Si(111)구조는 열처리에 의해 Au/GeSi/Si(111)의 구조로 변했으며 형성된$Ge_xSi_{1-x}/$((111)층은 Si(111) 기판의 면 방향과 잘 일치하였다. 그러나 $Ge_xSi_{1-x}/Si$((111)층 내부에 적층결함, 전이, 쌍정, planar defect 등이 주로 (111)면 방향으로 형성되어 있음을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.66-66
• /
• 1999

최근 들어 다결정 SiGe은 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)에서 기존에 사용되던 다결정 Si 공정과의 호환성 및 여러 장점으로 인하여 다결정 Si 대안으로 많은 연구가 진행되고 있다. 고농도로 도핑된 P type의 다결정 SiGe은 Ge의 함량에 따른 일함수의 조절과 낮은 비저항으로 submicrometer CMOS 공정에서 게이트 전극으로 이용하려는 연구가 진행되고 있으며, 55$0^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서도 증착이 가능하고, 도펀트의 활성화도가 높아서 TFT(Thin Film Transistor)에서도 유용한 재료로 검토되고 있다. 현재까지 다결정 SiGe의 증착은 MBE, APCVD, RECVD. HV/LPCVD 등 다양한 방법으로 이루어지고 있다. 이중 HV/LPCVD 방법을 이용한 증착은 반도체 공정에서 게이트 전극, 유전체, 금속화 공정 등 다양한 공정에서 사용되고 있는 방법으로 현재 사용되고 있는 반도체 공정과의 호환성의 장점으로 다결정 SiGe 게이트 전극의 증착 공정에 적합하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 HV/LPCVD 방법을 이용하여 게이트 전극으로의 활용을 위한 다결정 SiGe의 증착 메카니즘을 분석하고 Ex-situ implantation 후 열처리에 따라 나타나는 활성화 정도를 분석하였다. 도펀트를 첨가하지 않은 다결정 SiGe을 주성엔지니어링의 EUREKA 2000 장비를 이용하여, 1000$\AA$의 열산화막이 덮혀있는 8 in 웨이퍼에 증착하였다. 증착 온도는 55$0^{\circ}C$에서 6$25^{\circ}C$까지 변화를 주었으며, 증착압력은 1mtorr-4mtorr로 유지하였다. 낮은 증착압력으로 인한 증착속도의 감소를 방지하기 위하여 Si source로서 Si2H6를 사용하였으며, Ge의 Source는 수소로 희석된 10% GeH4와 100% GeH4를 사용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 Ge 함량은 RBS, XPS로 분석하였으며, 증착된 박막의 두께는 Nanospec과 SEM으로 관찰하였다. 또한 Ge 함량 변화에 따른 morphology 관찰과 변화 관찰을 위하여 AFM, SEM, XRD를 이용하였으며, 이온주입후 열처리 온도에 따른 활성화 정도의 관찰을 위하여 4-point probe와 Hall measurement를 이용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 두게를 nanospec과 SEM으로 분석한 결과 Gem이 함량이 적을 때는 높은 온도에서의 증착이 더 빠른 증착속도를 나타내었지만, Ge의 함량이 30% 되었을 때는 온도에 관계없이 일정한 것으로 나타났다. XRD 분석을 한 결과 Peak의 위치가 순수한 Si과 순수한 Ge 사이에 존재하는 것으로 나타났으며, ge 함량이 많아짐에 따라 순수한 Ge쪽으로 옮겨가는 경향을 보였다. SEM, ASFM으로 증착한 다결정 SiGe의 morphology 관찰결과 Ge 함량이 높은 박막의 입계가 다결정 Si의 입계에 비해 훨씬 큰 것으로 나타났으며 근 값도 증가하는 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제13권8호
• /
• pp.643-650
• /
• 2000

Density-of-states effective mass(m*$_{d}$) and conductivity mass(m*$_{c}$)for Ge and Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$ are obtained by using 8$\times$8 k.p and strain Hamiltonians. It is shown that m*$_{d}$ and m*$_{c}$ for electrons in Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) and Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$/Ge(001) are much smaller than those for electrons in relaxed Ge mainly due to the increase of interaction caused by the strain between the conduction band and valence bands at the $\Gamma$ point. The lift of degeneracy in Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) and Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) makes m*$_{d}$ and m*$_{c}$ for holes smaller than those in relaxed Ge and results in the decrease of the interband scattering as well as interband scattering. The decrease of the interband scattering is more obvious in Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) because of its large splitting energy between the heavy hole and light hole band. Therefore, Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) is expected to be good candidate for the development of ultra high-speed CMOS device.CMOS device.eed CMOS device.CMOS device.