• 제목/요약/키워드: Gd_2O_3:Eu^{3+}$

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$Gd_2$O_3:EU^{3+}$ 형광체 박막의 결정성에 따른 발광특성 연구 (Optical properties of epitaxial $Gd_2$O_3:EU^{3+}$luminescent thin films depending on crystallinity)

  • 장문형;최윤기;정권범;황보상우;장홍규;노명근;조만호;손기선;김창해
    • 한국진공학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.275-280
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    • 2003

  • Si(III) 표면위에 Gd$_2O_3:Eu^{3+}$ 결정성 형광체 박막을 이온화 집단체 증착방법으로 증착하여 이온선을 주입, 결정을 파괴한 후에 열처리를 통하여 결정구조를 변화시켰다. 초기 생장시의 결정성은 고에너지 전자회절 (RHEED)을 통해 확인하고, X선 회절과 적외선 분광법을 이용하여 시료의 결정구조의 변화를 관측하였다. Near Edge X-ray Absorption Fine Structure (NEXAFS)를 통해 전자구조의 변화를 확인하였다. 이러한 변화들이 발광 특성에 미치는 영향을 Photoluminescence (PL), Cathodoluminescence (CL), 그리고 Vacuum Ultraviolet (VUV) spectrum으로 알아보았다. 본 연구는 결정구조에 의해 변화된 전자구조가 형광체 박막의 발광특성에 미치는 영향을 보고한다.

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