The study of 1700V TG-IGBT(Trench Gate Insulated Gate Bipolar Transistor)'s electrical characteristics using trench ion implantation (트렌치 ion implantation을 이용한 1700V급 TG-IGBT(Trench Gate Insulate Gated Bipolar Transistor)의 전기적 특성에 관한 연구)
-
- Proceedings of the KIEE Conference
- /
- 2007.07a
- /
- pp.1309-1310
- /
- 2007