Kim, HoSung;Kim, Tae-Soo;An, Shinmo;Kim, Duk-Jun;Kim, Kap Joong;Ko, Young-Ho;Ahn, Joon Tae;Han, Won Seok
ETRI Journal
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제43권5호
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pp.909-915
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2021
GaAs on Si grown via metalorganic chemical vapor deposition is demonstrated using various Si substrate thicknesses and three types of dislocation filter layers (DFLs). The bowing was used to measure wafer-scale characteristics. The surface morphology and electron channeling contrast imaging (ECCI) were used to analyze the material quality of GaAs films. Only 3-㎛ bowing was observed using the 725-㎛-thick Si substrate. The bowing shows similar levels among the samples with DFLs, indicating that the Si substrate thickness mostly determines the bowing. According to the surface morphology and ECCI results, the compressive strained indium gallium arsenide/GaAs DFLs show an atomically flat surface with a root mean square value of 1.288 nm and minimum threading dislocation density (TDD) value of 2.4×107 cm-2. For lattice-matched DFLs, the indium gallium phosphide/GaAs DFLs are more effective in reducing the TDD than aluminum gallium arsenide/GaAs DFLs. Finally, we found that the strained DFLs can block propagate TDD effectively. The strained DFLs on the 725-㎛-thick Si substrate can be used for the large-scale integration of GaAs on Si with less bowing and low TDD.
Thick films based on the mature crystalline silicon technology are expected to exhibit eversmaller cost reduction. The thin-film-based technology is, however, expected to exhibit a much sharper drop in cost as it develops. In this report, technology and recent R & D of thin film solar cell, such as amorphous silicon, cadnium telluride, copper indium diselenide and gallium arsenide, are described. Perspectives of world photovoltaic market and solar cell price are also described.
본 연구는 반도체 산업에서 반도체소자로서 주목받고 있는 GaAs, InP및 InAs의 세포독성을 평가하기 위해 햄스터의 폐포 대식세포를 사용하여 in vitro 자계 측정, LDH 활성치측정 및 세포의 형태학적 관찰 등을 검토하였다. 세포자계측정 결과 GaAs, InP 및 InAs첨가군 모두 대조군(PBS첨가군)에 비해 완화곡선이 유의하게 지연되었으며, 특히 GaAs 첨가군은 농도증가에 따라 용량의존적으로 완화곡선이 지연되는 경향이었다. 자화 후 2분간의 완화계수는 대조군에 비해 GaAs 첨가군은 농도증가에 따라 유의하게 낮아지는 용량의존성이 높은 경향이었으나, InP 및 InAs 첨가군에서는 모두 유의성이 인정되지 않았다. LDH활성치는 GaAs, InP 및 InAs첨가군 모두 용량 의존적으로 점차 높아지는 경향이었다. 세포의 형태학적 관찰소견은 GaAs첨가군에서는 용량의존적으로 세포막의 현저한 파괴, 핵의 형태적 변화 등 심한 세포장해가 유발된 반면, InP첨가군과 InAs첨가군에서는 세포내의 구조는 유지되었으나 세포질의 변성이 관찰되었다. 결과적으로 GaAs는 InP나 InAs보다 폐포 대식세포의 세포독성이 강한 것으로 보인다.
The heteroepitaxial growth of InP and GaInAs on GaAs substrates has been studied by using a new combination of source materials: ethyldimethylindium (EDMIn) and trimethylgallium (TMGa) as group III sources, and tertiarybutylarsine (TBAs) and tertiarybutylphosphine (TBP) as group V sources. Device quality InP heteroepitaxial layers were obtained by using a two-step growth process under atmospheric pressure, involving a growth of an initial nucleation layer at low temperature followed by high temperature annealing and the deposition of epitaxial layer at a growth temperature. The continuity and thickness of nucleation layer were important parameters. The InP layers deposited at 500$^{\circ}$- 55$0^{\circ}C$ are all n-type, and the electron concentration decreases with decreasing TBP/EDMIn molar ratio. The excellent optical quality was revealed by the 4.4 K photoluminescence (PL) measurement with the full width at half maximum (FWHM) of 4.94 meV. Epitaxial Ga\ulcorner\ulcorner\ulcornerIn\ulcorner\ulcorner\ulcornerAs layers have been deposited on GaAs substrates at 500$^{\circ}$ - 55$0^{\circ}C$ by using InP buffer layers. The composition of GaInAs was determined by optical absorption measurements.
본 논문에서는 InGaAs 반도체에 기반한 테라헤르쯔(THz) 송/수신기(Tx/Rx) 제작을 위한 기초 연구로서, InGaAs 박막의 THz 발생 및 검출 특성에 관한 결과를 보고한다. THz 발생과 검출 특성 조사에는 각각 MBE 장비로 고온(HT) 및 저온(LT)에서 성장한 InGaAs 박막이 사용되었으며, THz 발생에는 photo-Dember 표면방출 방법이 시도되었다. HT-InGaAs 기판 위에 제작한 전송선(Ti/Au)의 가장자리에 Ti:Sapphire fs 펄스 레이저(60 ps/83 MHz)를 조사하여 THz파를 발생시켰으며, 이때 THz 검출에는 LT-GaAs가 사용되었다. 시간지연에 따른 전류신호를 Fourier 변환하여 얻은 THz 스펙트럼의 주파수 범위는 약 0.5~2 THz이었으며, 여기 레이저 출력에 대한 신호의 세기는 지수함수적 변화를 보였다. THz 검출 특성에 사용한 LT-InGaAs Rx에는 쌍극자(5/20 ${\mu}m$) 구조의 안테나가 탑재되어 있으며, 차단 주파수는 약 2 THz이었다.
Choi, Sung Won;Park, Chang Hee;Lee, Chang Sug;Kim, Dong Hee;Park, Sung Kwon;Kim, Beob Gyun;Moon, Sang Ho
한국초지조사료학회지
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제33권3호
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pp.177-184
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2013
This work was conducted to assess the use of Near-infrared reflectance spectroscopy (NIRS) as a technique to analyze nutritional constituents of Distillers dried grain with solubles (DDGS) and corn quickly and accurately, and to apply an NIRS-based indium gallium arsenide array detector, rather than a NIRS-based scanning system, to collect spectra and induce and analyze calibration equations using equipment which is better suited to field application. As a technique to induce calibration equations, Partial Least Squares (PLS) was used, and for better accuracy, various mathematical transformations were applied. A multivariate outlier detection method was applied to induce calibration equations, and, as a result, the way of structuring a calibration set significantly affected prediction accuracy. The prediction of nutritional constituents of distillers dried grains with solubles resulted in the following: moisture ($R^2$=0.80), crude protein ($R^2$=0.71), crude fat ($R^2$=0.80), crude fiber ($R^2$=0.32), and crude ash ($R^2$=0.72). All constituents except crude fiber showed good results. The prediction of nutritional constituents of corn resulted in the following: moisture ($R^2$=0.79), crude protein ($R^2$=0.61), crude fat ($R^2$=0.79), crude fiber ($R^2$=0.63), and crude ash ($R^2$=0.75). Therefore, all constituents except for crude fat and crude fiber were predicted for their chemical composition of DDGS and corn through Near-infrared reflectance spectroscopy.
The objectives were to assess the use of near-infrared reflectance spectroscopy (NIRS) as a tool for estimating nutrient compositions of corn kernel, and to apply an NIRS-based indium gallium arsenide array detector to the system for collecting spectra and analyzing calibration equations using equipments designed for field application. Partial Least Squares Regression (PLSR) was employed to develop calibration equations based on representative data sets. The kennard-stone algorithm was applied to induce a calibration set and a validation set. As a result, the method for structuring a calibration set significantly affected prediction accuracy. The prediction of chemical composition of corn kernel resulted in the following (kennard-stone algorithm: relative) moisture ($R^2=0.82$, RMSEP=0.183), crude protein ($R^2=0.80$, RMSEP=0.142), crude fat ($R^2=0.84$, RMSEP=0.098), crude fiber ($R^2=0.74$, RMSEP=0.098), and crude ash ($R^2=0.81$, RMSEP=0.048). Result of this experiment showed the potential of NIRS to predict the chemical composition of corn kernel.
400 nm부터 1,600 nm까지의 파장 영역에서 단일모드 광섬유에 결합된 12개의 다이오드 레이저 광원를 기반으로 하는 레이저 복사출력계 교정시스템을 소개한다. 본 시스템은 복사출력 측정위치에서 레이저 출력요동을 최소화하였고 모든 광원에 대해 비슷한 빔 크기를 갖는다. 또한 감응도의 비균일도 및 비선형성을 최소화하기 위해 적분구 기준기를 사용하였다. 이 교정시스템의 최소 측정불확도는 대부분의 레이저 파장에서 1.1% (k=2)로 추정된다.
본 연구에서는 양자점(quantum dot, QD)에서의 전하트랩이 태양전지의 특성에 미치는 영향을 조사하기 위하여, GaAs 모체 태양전지(MSC)의 활성층에 InAs/GaAs QD을 삽입한 $p^+-QD-n/n^+$ 태양전지(QSC)를 제작하여 그 특성을 비교 조사하였다. Stranski-Krastanow (SK)와 준단층(quasi-monolayer, QML)의 2종류 QD를 도입하였으며, 표준 태양광(AM1.5)에서 얻은 전류-전압 곡선으로부터 태양전지의 특성인자(개방전압($V_{OC}$), 단락전류($I_{SC}$), 충만도(FF), 변환효율(CE))를 결정하였다. SK-QSC의 FF값은 80.0%로 MSC의 값(80.3%)과 비슷한 반면, $V_{OC}$와 $J_{SC}$는 각각 0.03 V와 $2.6mA/cm^2$만큼 감소하였다. $V_{OC}$ 및 $J_{SC}$ 감소 결과로 CE는 2.6% 저하되었는데, QD에 의한 전하트랩이 주요 원인으로 지적되었다. 전하트랩을 완화시키기 위한 구조로서 QML-QD 기반 태양전지를 본 연구에서 처음 시도하였으나, 예측과는 달리 부정적 결과를 보였다.
본 연구는 다이오드레이저가 골관절염에 주는 영향을 평가하기 위해 실시되었다. 연구에는 10주령의 수컷 Sprague-Dawley 랫드 60마리를 사용하였고 전십자인대의 절단 (ACLT)으로 골관절염을 유발하였다. 대조군, sham군, ACLT군, ACLT와 레이저조사를 병행한 군 (ACLT+L), ACLT와 meloxicam 투약을 병행한 군 (ACLT+M)의 다섯 개의 실험군으로 나누어 연구를 진행하였다. 8주간의 연구 기간 동안 808-nm indium-gallium-arsenide (InGaAs) 다이오드레이저 조사 방법으로 Low-level laser therapy (LLLT)를 일주일에 두 번 랫드의 수술 한 오른쪽 다리에 조사하였다. 수술 후 2주, 4주, 8주에 방사선학적, 형태학적, 조직병리학적 평가를 실시하였다. 8주에 실시한 방사선학적 평가와 일반 혈액검사, 혈청 화학 검사에서는 군 간의 유의한 차이가 나타나지 않았다. 형택학적 방법과 조직병리학적 방법으로 수술 후 2주, 4주, 8주의 ACLT+L 군과 sham 군을 비교 했을 때 ACLT+L 군에서 유의하게 연골의 손상정도가 높은 것으로 나타났다. ACLT+M 군 또한 sham 군과 비교했을 때 연골의 손상이 심한 것으로 나타났다. LLLT는 ACLT 모델에서 골관절염을 예방하는 효과는 제한적이었으며, 오히려 연골의 손상을 가속화 시키는 것으로 평가 되었다. LLLT가 세포의 생존에는 영향을 주지 않으므로 레이져에 의한 직접적인 연골손상 발생보다는 레이저의 통증완화효과로 인해 불안정한 무릎관절을 계속해서 사용함으로써 연골의 손상이 가속화 된 것으로 생각 된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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