• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.5
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• pp.80-86
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• 1998

Material characterizations were performed for In$_{0.53}Ga_{0.47}As/In$_{0.52}Al_{0.48}$/As MQWs grown on InP substrates by low-temperature modlecular beam epitaxy. MQW samples were grwon at different temperatures of 200.deg.C, 300.deg. C and 500.deg. C, and doped with 10$^{18}$ cm$^{3}$ Be. High resolution x-ray diffraction measurement showed the change in crystal qualities according to growth temperature. Hall measurement showed the changes in carrier concentrations and mobilities for different growth temperatures. The optical properties of MQW samples were investigated with photoluminescence and fourier-transform infrared spectroscopy measurements.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1996.07c
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• pp.1456-1458
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• 1996

In resonant tunneling diodes with the quantum well structure showing the negative differential resistance (NDR), it is essential to increase both the peak-to-valley current ratio (PVCR) and the peak current density ($J_p$) for the accurate switching operation and the high output of the device. In this work, a resonant interband tunneling diode (RITD) with single quantum well structure, which is composed of $In_{0.53}Ga_{0.47}As/ln_{0.52}Al_{0.48}As$ heterojunction on the InP substrate, is suggested to improve the PVCR and $J_p$ through the narrowed tunnel barriers. As the result, the measured I-V curves showed the PVCR over 60.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.16 no.6
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• pp.471-476
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• 2003

Au/oxide/n-InP Schottky diodes were fabricated from heteroepitaxial InP layers grown on GaAs substrates by the metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) method from a new combination of source materials: ethyldimethylindium (EDMIn) and tertiarybutylphosphine (TBP). Anodic oxidation technique by using a solution of 10 g of ammonium pentaborate in 100 cc of ethylene glycole as the electrolyte was used to deposit a thin oxide layer. The barrier heights determined from three different techniques, current-voltage (I-V) measurements at room temperature and in the temperature range of 273 K - 373 K, and room temperature capacitance-voltage (C-V) measurements are in good agreement, 0.7 - 0.9 eV which is considerably high as compared to the 0.45 - 0.55 eV in Au/n-InP Schottky diode without a Passivation layer. The ideality factors of 1.1 - 1.3 of the Schottky diodes were also determined from the I-Y characteristics. Deep level transient spectroscopy (DLTS) studies revealed only one shallow electron state at 92.6 meV below the bottom of the conduction band and no deep state in the heteroepitaxial InP layers grown from EDMIn and TBP.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.210-210
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• 2012

Ge 기판을 이용한 GaInP/GaAs/Ge 삼중접합 태양전지는 43.5%의 높은 광전효율을 기록하고 있으며, 이를 지상용 태양광 발전시스템에 이용하려는 연구가 진행 중이다[1]. 그러나, 이러한 다중접합 태양전지는 셀 제작 비용에 있어 Ge기판의 가격이 차지하는 비중이 높고 대면적 기판을 이용하기 힘든 단점이 있다. 한편, 무게, 기계적 강도와 열전도도 측면에서 Si 기판은 Ge 기판에 비해 장점이 있다. 아울러, 상대적으로 낮은 가격의 대면적 기판을 사용할 수 있기 때문에 Si 기판으로 Ge 기판을 대체할 경우 다중접합 태양전지의 높은 제작 비용을 낮추는 효과도 기대할 수 있다. Si 기판의 장점을 취하며 고효율 태양전지를 제작하기 위해, 이번 실험에서 우리는 Ge 에피층이 성장된 Si 기판 위에 GaAs 태양전지를 제작하였다. GaAs, GaInP와 비슷한 격자상수를 갖고 있는 Ge과 달리, Si은 이들 물질(GaAs, GaInP)과 4%의 격자상수 차이를 갖고 있으며 이로 인해 성장과정에서 관통전위가 발생하게 된다. 이러한 관통전위는 소자의 개방전압을 감소시키는 원인으로 작용한다. 실제로 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지에서 관통전위 밀도에 따른 개방전압 감소를 확인할 수 있었다. 관통전위로 인한 영향 이외에, Si 기판위에 제작된 태양전지에서는Ge 기판 위에 제작된 태양전지에 비하여 낮은 fill factor가 관찰되었다. 이것은 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지가 높은 직렬저항을 가지고 있기 때문이다. 따라서 이번 실험에서는 Si 기판 위에 제작한 GeAs/Ge 이중접합 태양전지의 직렬저항의 원인을 전산모사와 실험을 통하여 규명하였다. TCAD (APSYS-2010)를 이용한 전산모사 결과, Si 기판의 낮은 불순물 농도 ($1{\times}10^{15}/cm^3$)에 따른 직렬저항의 원인으로 파악되었으며, 전류-전압 특성을 측정하여 실험적으로 이를 확인하였다. 이러한 직렬저항 성분을 줄이기 위하여 Si 기판의 p형 불순물 농도가 전류 전압 특성 곡선에 미치는 영향을 전산모사를 통하여 알아보았으며, Si 기판의 불순물 농도가 $1{\times}10^{17}/cm^3$ 이상으로 증가할 경우, 직렬저항 성분이 크게 감소 하는 것을 전산모사 결과로 예상할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.161-161
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• 2012

본 연구에서는 InGaAs을 이용한 테라헤르쯔(THz) 발생과 검출 특성을 GaAs에 의한 특성과 비교, 조사하였다. 고온성장(HTG, $530^{\circ}C$) InGaAs를 이용하여 photo-Dember (pD) 효과(표면방출)에 의한 THz 발생 특성을 조사하였으며, THz 검출 특성에는 저온성장(LTG, $530^{\circ}C$) InGaAs: Be을 이용하였다. HTG-InGaAs 기판 위에 패턴한 금속전극 (Ti/Au, ${\sim}500{\times}500{\mu}m$)의 가장자리에 Ti: Sapphire fs 펄스 레이저(30 ps/90 MHz)를 조사하여 LTG-GaAs 수신기(Rx)로 THz를 검출, 전류신호(a)와 Fourier transform (FT) 주파수 스펙트럼(b)을 얻었다. HTG-InGaAs에서 얻은 파형은 SI-GaAs에서와 거의 비슷한 모양이었으나, 주파수 범위(0.5~2 THz)는 SI-GaAs의 1~3 THz 보다 좁고 FT 스펙트럼의 세기는 약 1/8 정도로 낮았다. LTG-InGaAs 수신기 (Rx)의 안테나는 쌍극자 ($5/20{\mu}m$) 형태를 가지고 있으며, SI-GaAs Tx로 발생시킨 광원을 사용하여 THz 영역의 검출 특성을 조사하였다. HTG-InGaAs Tx 및 LTG-InGaAs Rx의 이득은 각각 약 $5{\times}10^{-8}$ A/W과 $2.5{\times}10^{-8}$ A/W인 것으로 분석되었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.32A no.8
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• pp.119-125
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• 1995

Strained multiple quantum well(SMQW) PBH-DFB-LDs emitting at 1.55$\mu$m wavelength has been fabricated using OMVPE and LPE crystal growth tecnique. Using the SMQW active layer, a linewidty enhancement factor of 2.65 was obtained at lasing wavelength and consequnently, packaged 42 modules showed a very low average chirp of 0.44nm at 2.5Gbps NRZ direct modulation. The 77 devices showed average threshold current of 8.72mA and average slope efficiency of 0.181 mW/mA, and single longitudinal mode operation with SMSR larger than 30dB up to 5mW. Among the 77 devices, standard deviation of lasing wavelength of 3.57nm was obtained owing to a good crystal growth uniformity.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.31A no.9
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• pp.72-77
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• 1994

GaAs MISFETs, with photo-CVD grown P$_{3}$N$_{5}$ gate insulator and sulfide treatment, have been fabricated and showed the instability of drain current reduced less than 22 percent for the period of 1.0s~1.0${\times}10^{4}s$. The effective electron mobility and extrinsic transconductance of the device are about 1300cm$^{2}$/V.sec and 1.33mS at room temperature. The C-V characteristics of GaAs MIS Diode and AES analysis are also discussed with respect to effect of sulfide treatment conditions.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.22-23
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• 2000

GaAs/AlGaAs나 InGaAs/InGaAsP와 같은 반도체 기판을 이용한 전계광학 광변조기는 LD나 SOA와 같은 광소자와 단일기판 집적이 가능하고 낮은 chirping과 높은 변조대역폭을 갖는 외부광변조기로서의 장점으로 인하여 마이크로파 대역의 초고속광통신소자로 각광을 받아왔다. 특히 진행파의 속도가 정합된 traveling-wave 전극 구조를 갖는 경우 변조대역폭은 30-400Hz에 달하고 있다$^{(1)}$ . 그러나 한편으로는 반도체의 전계광학계수(electro-Optic Coefficient)가 LiNbO$_3$에 비해 10분의 1정도로 작아 상대적으로 동작전압이 커지는 단점이 대두되며 실제 구동전압이 수십 V에 이르고 있다. 이런 단점을 극복하기 위하여 p-i-n 구조를 이용하여 전계 집속도를 높이는 방법이 제안되어 동작전압이 2 V/mm 정도까지 감소하였다$^{(2)}$ . 본 논문에서는 이와 같은 반도체 전계광학 광변조기에서의 소신호 및 대신호 광변조특성을 분석함으로써 보다 높은 변조대역폭과 보다 낮은 동작전압을 갖는 구조를 연구하였다. (중략)

• Current Optics and Photonics
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• v.3 no.5
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• pp.445-450
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• 2019

The influence of high-power laser diode (HPLD) emitter width on the device performance is investigated for 975-nm (In,Ga)(As,P)/(Al,Ga)As broad-area HPLDs, using self-consistent electro-thermal-optical simulation. To guarantee the simulation's accuracy, simulated results are matched with the measured results for a sample HPLD with fitting parameters. The influences of HPLD emitter width on temperature distribution, output power, and the beam product parameter (BPP) are analyzed for three different emitter widths of 50, 70, and $90{\mu}m$. It is found that a device with smaller emitter width exhibits both thermal rollover and thermal blooming at lower output power, but smaller BPP.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.24 no.11
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• pp.1081-1090
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• 2013

In this paper, a C-band 10 W power amplifier with internally matched input and output matching circuit is designed and fabricated. The used power transistor for the power amplifier is GaAs pHEMT bare-chip. The wire bonding analysis considering the size of the capacitor and the position of transistor pad improves the accurate design. The matching circuit design with the package effect using EM simulation is performed. To reduce the unsymmetry of IMD3 in 2-tone measurement due to the memory effect, the bias circuit minimizing the memory effect is proposed and employed. The measured $P_{1dB}$, power gain, and power added efficiency are 39.8~40.4 dBm, 9.7~10.4 dB, and 33.4~38.0 %, respectively. Adopting the proposed bias circuit, the difference between the upper and lower IMD3 is less than 0.76 dB.