• 현장농수산연구지
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• 제15권1호
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• pp.85-93
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• 2013

수확 시 과방의 생장(과방중, 과방장, 과방폭, 과병의 직경크기, 과병장)은 무처리에 비하여 GA₃ 10 mg·L^-1 처리가 증가되었다. GA₃ 농도별 과립의 생장 (과립수, 과립중, 과립경, 과립장)은 차이가 없었으나 지경중은 무처리에 비하여 GA₃ 5, 10, 20, mg·L^-1 처리 농도에서 증가되었다. 그러나 GA₃ 40 mg·L^-1 처리는 차이가 없었다. 과립의 밀착정도, 과분 발생 정도, 가용성고형물 및 과피의 착색 정도는 큰 차이가 없었으나 무핵 정도는 GA₃ 10 mg·L^-1 처리에서 다른 처리에 비하여 증가하였다. 과립의 열과 발생률은 무처리에 비하여 GA₃ 농도 5, 10, 20, 40 mg·L^-1에서 현저하게 감소하였다. 과립의 탄저병 발생률은 큰 차이가 없었다. 과방당 총 지경장은 무처리, 20 및 40 mg·L^-1 처리에 비하여 5 및 10 mg·L^-1처리에서 현저하게 증가하였다. 지경 순서에 의한 1번 지경부터 15번 지경까지 지경장은 GA₃ 10 mg·L^-1 처리는 증가하였다.

• 생명과학회지
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• 제13권2호
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• pp.137-142
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• 2003

현재 수박접목묘로서 가장 많이 이용되고 있는 박 종자의 발아율을 높이기 위하여 Priming, $GA_3$, 저온의 단일처리 효과와 저온처리 전후에 가하여지는 priming과 $GA_3$ 의 복합처리 효과를 조사하였던 바 그 결과를 요약하면 다음 과 같다. $3^{\circ}C$에서 1주간 행하여지는 저온처리, 100 mM $KNO_3$에 1일간 행한 priming, 0.01 mM에 1일간 행한 $GA_3$의 단일처리에 대한 발아율을 조사한 결과 저온처리에서 가장 높게 나타났다. 그러나 발아율은 저온처리 후의 priming 처리는 무처리보다는 낮았고 처리기간이 길어질수록 발아율이 현저히 감소되었다. 저온처리 전에 행한 priming과 $GA_3$ 처리는 저온처리 전의 $GA_3$ 처리에서와 같이 농도와 처리기간에 따른 차이가 없었다. 따라서 박의 종자 발아율 향상을 위한 종자처리로써 여러 개의 단일처리를 조합한 복합처리는 처리조합과 순서에 따라 발아율이 영향을 받는 것으로 사료된다.

• 농업생명과학연구
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• 제43권2호
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• pp.23-30
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• 2009

본 실험은 지베렐린이 '신고'배 숙기와 비대에 미치는 영향을 조사하기 위하여 실시되었다. 과실중 조사에서 모든 Gibberellic acid $A_{4+7}$ 처리구는 대조구인 지베렐린 도포제와 비등한 약효가 나타났으며, 무처리구에 비해서는 증가를 나타내었다. 횡경은 $GA_{4+7}$을 만개후 35일째에 도포한 것이, 종경은 만개후 40일째 도포한 것이 가장 효과적인 것으로 나타났으며, 과형지수는 모든 처리구에서 비슷한 수치로 나타났다. '신고'배 발달 초기에는 $GA_{4+7}$ 2.4% 처리구가 $GA_{3}+GA_{4+7}$ 2.7% 처리구나 무처리구보다 현저하게 큰 차이로 비대가 되는 것을 볼 수가 있으나, 성숙기에 들어서면 $GA_{4+7}$ 2.4% 처리구와 $GA_{3}+GA_{4+7}$ 2.7% 처리구의 크기와 가시적인 착색도가 거의 비슷해지는 것을 볼 수 있었다. $GA_{3}+GA_{4+7}$의 성숙촉진 효과를 검토하기 위하여 에테폰 액제와 비교하여 실험한 결과, $GA_{3}+GA_{4+7}$를 만개후 35일째에 어린 과실에 도포한 것이 에테폰과 비슷한 정도로 착색이 되었으며, 무처리구와 비교했을 때에는 모든 $GA_{3}+GA_{4+7}$ 처리구와 에테폰 처리 모두 착색이 6일정도 빨라 착색 속도에 현저한 차이를 보여주었다. 모든 $GA_{3}+GA_{4+7}$ 처리구는 무처리구에 비하여 당도는 증가하고 산도는 감소하였으며, 과실의 경도는 무처리구보다 낮은 것으로 나타났으나 유의한 차이는 없었다. 상기의 결과로 $GA_{3}+GA_{4+7}$ 처리구 모두가 에테폰이나 무처리구보다 과실의 비대에 있어 효과가 큰 것으로 나타났다. 특히 $GA_{3}+GA_{4+7}$를 만개후 35일째에 처리한 것이 횡경 및 종경, 과형지수 모두 가장 높게 나타났으며 착색 또한 깔끔하게 되어 상품성이 높게 평가되었다.

• 한국약용작물학회지
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• 제9권1호
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• pp.68-75
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• 2001

더덕 재배시에 종자 발아율이 낮아 입묘가 불량함으로서 영농에 실패하는 경우가 빈번하다. 재배면적이 비교적 넓은 더덕의 입묘을을 향상시키고자 파종 이후 종자가 부딪히는 광조건을 고정한 후 Priming, $GA_3$, 건조, 침종 등 파종전 종자에 손쉽게 가할 수 있는 처리의 효과를 구명하여 더덕종자의 파종전 처리를 모형화하기 위하여 본 연구를 실시하였던 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 발아율은 청색광, 적색광 또는 암상태에서 $Ca(NO_3)_2$ 150 mM에 2일간 priming 처리하는 것보다는 0.1 mM에 3일간 1일 12시간의 청색광을 가하면서 $GA_3$를 처리하는 것에서 높았다. 그러나 $GA_3$ 처리 후의 건조는 적색광을 처리하면서 $35^{\circ}C$에 4시간 건조하는 것이 발아율이 가장 양호하였다. 한편 $GA_3$ 처리된 종자는 건조시켜야 발아율이 향상되었으며, 파종 직전 1일간 침종시켜야 발아 뿐만 아니라 유묘출현도 향상 촉진되었다. 이상의 결과로부터 입묘율을 높이기 위한 더덕종자의 파종전 처리는 $20^{\circ}C$에서 1일 12시간의 청색광을 가하면서 $GA_3$ 0.1 mM에 3일간 침종한 후에 $35^{\circ}C$에서 4시간 적색광을 처리하여 건조된 종자를 파종 직전 $20^{\circ}C$의 물에 1일간 침종하는 과정으로 모형화되었다.

• 한국작물학회지
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• 제37권3호
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• pp.257-263
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• 1992

GA$_3$ 농도 및 저온처리 기간이 보리의 춘화처리효과에 미치는 영향을 조사하고자, 추파성 정도가 IV인 올보리를 공시하여 출수후 13 및 20일이 경과한 미숙배를 GA$_3$농도별로 B$_{5}$배지에 치상하여 저온처리한 후 온도 20/15$^{\circ}C$, 14시간 일장으로 온냉조절실에 이식재배하여 실험한 결과는 다음과 같다. 1. 미숙배의 생육은 출수후 13일배 보다 20일배가 양호하여 발아율 및 유묘장은 증가하였고, 평균발아일수는 감소하였는데, GA$_3$1 및 10ppm이 효과가 좋았다. 2. GA$_3$농도가 증가할수록 상엽전개 및 출수일수가 단축되었으며, 춘화처리에 효과가 높은 GA$_3$농도는 1,10ppm이었고 GA$_3$와 저온처리가 병행될 때 춘화처리효과가 높았다. 3. GA$_3$ 처리에 따른 상엽전개일수 단축 효과는 3주 저온처리의 GA$_3$무처리구보다 2주 저온처리의 GA$_3$1,10ppm에서 각각 3, 16일 단축되었고, 3주저온처리의 1ppm에서 18일, 10ppm에서 20일 단축되었다. 4. 간장, 수장 및 일수립수는 공히 3주 저농처리에 GA$_3$ 10ppm 처리가 최소치를 보였는데, 실제육종상 중요한 일수립수의 확보는 충분할 것으로 보였다. 5. GA$_3$농도와 주요 형질과의 상관은 1주 저온처리시 각 형질들과 모두 상관 관계가 인정되지 않았으나, 2주 저온처리에서는 고도의 부상관이 인정되었고, 3주 저온처리에서는 출수일수를 제외한 모든 형질이 부의 상관이 있었다. 6. 저온처리 기간과 주요 형질들과의 상관은 GA$_3$무처리시 간장만 유의적인 부의 상관이 있었고, 기지 상관이 없었으며 GA$_3$1, 10ppm 처리시 모든 형질이 고도의 부상관이 있었다.다.

• 화훼연구
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• 제16권3호
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• pp.174-178
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• 2008

$GA_3$, 냉습저장 및 무기염 등의 처리가 동의나물의 종자발아에 미치는 영향을 살펴보았다. 동의 나물의 종자는 치상전에 $GA_3$를 처리하면 발아율이 현저히 높아졌다. 종자의 발이촉진을 위해서 $GA_3$를 처리할 경우, $100mg{\cdot}L^{-1}$ 용액에 1시간 정도 침지처리 하는 것이 가장 효과적인 것으로 나타났다. 동의나물의 종자발아에 있어서 냉습저장은 현저한 효과를 나타내었으며 저장기간 5주가 발아율이 60.3%로 가장 높았다. 또한 냉습저장의 효과는 $GA_3$ 처리효과에 비해서도 월등하게 좋았다. 그러나 $GA_3$나 냉습저장의 효과와는 달리 $Ca(NO_3)_2$ 및 $KNO_3$ priming처리는 동의나물의 종자발아촉진에 효과가 없었다.

• 한국약용작물학회지
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• 제9권3호
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• pp.198-204
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• 2001

자소엽의 연중생산에 필요한 파종전처리 기술을 확립하기 위하여, 자소종자의 $GA_3$ 처리시 적정 처리농도, 침지시간 및 고온발아에 미치는 영향을 조사하였고, 만기파종시 포장에서 $GA_3$ 처리, 복토깊이 및 왕겨피복 등이 출아에 미치는 상호작용을 비교하였다. $GA_3$ 처리농도에 따른 발아특성은 100 ppm에서 가장 좋았으며, 100 ppm $GA_3$ 처리시 종자의 침지시간에 따른 발아특성은 12시간 이상에서는 유의한 차이가 없었다. 발아온도에 따른 100 ppm $GA_3$ 처리효과는 온도가 높을수록 발아속도와 발아일수가 빨라졌으며, 11일째에는 발아온도에 관계없이 95%이상의 높은 발아율을 보였으나, 무처리구는 $20^{\circ}C$ 이상 온도가 높을수록 발아율이 낮았다. 만기파종시 출아율은 파종시기에 관계없이 100 ppm $GA_3$용액에 침지파종후 5 mm의 복토와 10 mm 왕겨피복구에서 가장 높았다.

• 한국약용작물학회지
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• 제8권4호
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• pp.319-326
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• 2000

삽주의 근경은 한방에서 중요한 생약재인 백출로 이용되고 있다. 그러나 국내의 백출수급은 자연산 채취 또는 수입품에 주로 의존하고 있기 때문에 시급히 재배가 이루어져야만 한다. 본 시험은 삽주재배에 관한 정보를 제공하고자 정식전 $GA_3$를 농도와 침지기간을 달리하여 처리한 후 삽주의 생장, 형태 및 수량을 조사하였으며 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. $GA_3$ 처리는 무처리에 비하여 줄기수, 잠아수, 생체중을 증가시켰다. 2. $GA_3$ 처리시 50 ppm에서는 줄기수, 100 ppm에서는 잠아수 및 근경생체중, 250 ppm에서는 지상부 생체중이 가장 많았다. 3. $GA_3$ 처리기간에 따라서는 1일 처리시에는 엽수, 뿌리수, 초장, 지상부와 뿌리의 생체중이, 2일 처리시에는 줄기수, 잠아수, 근경생체중이 가장 높았다. 4. $GA_3$ 처리에 따른 단위면적당 수량은 100 ppm으로 1일 처리할 경우 가장 높게 나타났다.

• 한국약용작물학회지
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• 제10권2호
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• pp.75-81
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• 2002

도라지의 재배과정에서 빈번히 부딪히는 문제점 중의 하나는 낮은 발아율로 인한 입묘불량이다. 파종전 종자 처리를 통하여 약용작물중에서 재배면적이 넓은 도라지의 입묘율을 높이고자 파종 이후의 광조건을 고려하여 priming, $GA_3$, 건조, 침종 등의 처리효과를 구명한 후 파종전 종자처리를 모형화하기 위하여 본 연구를 실시하였던 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 발아율은 priming 처리에서 가장 양호한 결과를 보인 암상태에서 $Ca(NO_3)_2$ 150 mM에 2일간 처리하는 것 보다는 0.01 mM에 3일간 1일 12시간의 적색광을 가하면서 $GA_3$를 처리하는 것에서 높았다. 2. $GA_3$로 처리된 도라지 종자의 최적 건조방법은 발아율로 평가할 경우 $35^{\circ}C$에 4시간 적색광을 처리하면서 건조하는 것이 가장 양호하였다. 3. $GA_3$ 처리 후에 건조된 종자는 파종 직전 2일간 증류수에 침종할 경우 발아와 유묘출현이 촉진되었다. 4. 이상의 결과로부터 입묘율을 높이기 위한 파종전 도라지 종자의 처리 모형은 $20^{\circ}C$의 $GA_3$ 0.01 mM의 용액에 3일간 1일 12시간의 적색광을 가하면서 침종한 다음 $35^{\circ}C$에서 4시간 적색광을 비추면서 건조한 종자를 파종 직전 2일간 $20^{\circ}C$의 물에 침종하는 과정으로 요약된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.12-13
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• 2006

$Ga_2O_3$ is associated with the fabrication of thin window layer of solar cell. Usually, $Ga_2O_3$ is synthesized from Ga-metal oxidation method and GaN mono-crystal heat treatment method. We synthesized $Ga_2O_3$ powder using two methods and analyzed powder using latter method compared with powder by former method. XPS, XRD, IR analysis are conducted. XPS result, surface of GaN powder is almost oxidized to $Ga_2O_3$ at $1124^{\circ}C$ heat treatment and XRD and IR result, the inside of GaN powder is dramatically oxidized at $1124^{\circ}C{\sim}1300^{\circ}C$.