• 한국환경농학회지
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• 제42권4호
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• pp.389-395
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• 2023

This study evaluated the effects of gibberellic acid (GA₃) on the growth and quality of creeping bentgrass (Agrostis palustris Huds.). Experimental treatments included a No application of fertilizer and GA₃ (NFG) Control [3 N active ingredient (a.i.) g/m²], 0.3GA₃ (GA₃ 0.3 a.i. mg/m²/200 mL), 0.6GA₃ (GA₃ 0.6 a.i. mg/m²/200 mL), 1.2GA₃ (GA₃ 1.2 a.i. mg/m²/200 mL), and 2.4GA₃ (GA₃ 2.4 a.i. mg/m²/200 mL). Additionally, the study included a 1.5N+GA₃ experiment with similar GA₃ treatments combined with 1.5N a.i. g/m² : NFG, Control (3N a.i. g/m²), 1.5N+ 0.3GA₃ (1.5N a.i. g/m²+GA₃ 0.3 a.i. mg/m²/200 mL), 1.5N+0.6GA₃ (1.5N a.i. g/m²+GA₃ 0.6 a.i. mg/m²/200 mL), 1.5N+1.2GA₃ (1.5N a.i. g/m²+GA₃ 1.2 a.i. mg/m²/ 200 mL), and 1.5N+2.4GA₃ (1.5N a.i. g/m²+GA₃ 2.4 a.i. mg/m²/200 mL). Compared to the NFG, turf color index chlorophyll content was not significantly different (p< 0.05). However, shoot length in 1.2GA₃, 2.4GA₃, 1.5N+0.3GA₃, 1.5N+0.6GA₃, 1.5N+1.2GA₃, and 1.5N+2.4GA₃ treatments increased by 0.8%, 10.6%, 5.15%, 8.3%, 13.5 %, and 21.6%, respectively, compared to the control. As compared to the control, clipping yield in 1.5N+1.2GA₃ and 1.5N+2.4GA₃ treatments increased by 7.1% and 14.3 %, respectively. These results indicated that GA₃ application increased shoot length, with the 1.2GA₃ treatment showing shoot length similar to the control (3N a.i. g /m² ).

• 한국결정성장학회지
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• 제29권6호
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• pp.245-250
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• 2019

라디오주파수 분말 스퍼터링 방법으로 sapphire (0001) 기판 위에 Sn을 함유한 β-Ga₂O₃(β-Ga₂O₃ : Sn) 나노와이어를 증착하였다. 후열처리 공정의 가스 분위기가 나노와이어 형상의 변화에 미치는 영향을 연구하였다. 800℃에서 진공 중 열처리 과정에서, as-grown 나노와이어는 다공성 구조로 전이하였다. 비화학양론 Ga₂O_3-x는 화학양론 Ga₂O₃로 바뀌고, Sn원자는 응집하여 나노클러스터를 형성한다. Sn 나노클러스터는 증발하여 Sn 원자의 함량은 1.31에서 0.27 at%로 감소하였다. Sn원자의 증발로 인하여 나노와이어 표면에 다수의 기공이 형성되고, 이는 β-Ga₂O₃ : Sn 나노와이어의 체적대비 표면적 비율을 증가시킨다.

• 한국재료학회지
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• 제34권4호
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• pp.185-193
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• 2024

In this study, NASICON-type Li_1+XGa_XTi_2-X(PO₄)₃ (x = 0.1, 0.3 and 0.4) solid-state electrolytes for all-solid-state batteries were synthesized through the sol-gel method. In addition, the influence on the ion conductivity of solid-state electrolytes when partially substituted for Ti⁴⁺ (0.61Å) site to Ga³⁺ (0.62Å) of trivalent cations was investigated. The obtained precursor was heat treated at 450 ℃, and a single crystalline phase of Li_1+XGa_XTi_2-X(PO₄)₃ systems was obtained at a calcination temperature above 650 ℃. Additionally, the calcinated powders were pelletized and sintered at temperatures from 800 ℃ to 1,000 ℃ at 100 ℃ intervals. The synthesized powder and sintered bodies of Li_1+XGa_XTi_2-X(PO₄)₃ were characterized using TG-DTA, XRD, XPS and FE-SEM. The ionic conduction properties as solid-state electrolytes were investigated by AC impedance. As a result, Li_1+XGa_XTi_2-X(PO₄)₃ was successfully produced in all cases. However, a GaPO₄ impurity was formed due to the high sintering temperatures and high Ga content. The crystallinity of Li_1+XGa_XTi_2-X(PO₄)₃ increased with the sintering temperature as evidenced by FE-SEM observations, which demonstrated that the edges of the larger cube-shaped grains become sharper with increases in the sintering temperature. In samples with high sintering temperatures at 1,000 ℃ and high Ga content above 0.3, coarsening of grains occurred. This resulted in the formation of many grain boundaries, leading to low sinterability. These two factors, the impurity and grain boundary, have an enormous impact on the properties of Li_1+XGa_XTi_2-X(PO₄)₃. The Li_1.3Ga_0.3Ti_1.7(PO₄)₃ pellet sintered at 900 ℃ was denser than those sintered at other conditions, showing the highest total ion conductivity of 7.66 × 10^-5 S/cm at room temperature. The total activation energy of Li-ion transport for the Li_1.3Ga_0.3Ti_1.7(PO₄)₃ solid-state electrolyte was estimated to be as low as 0.36 eV. Although the Li_1+XGa_XTi_2-X(PO₄)₃ sintered at 1,000 ℃ had a relatively high apparent density, it had less total ionic conductivity due to an increase in the grain-boundary resistance with coarse grains.

• 현장농수산연구지
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• 제15권1호
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• pp.85-93
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• 2013

수확 시 과방의 생장(과방중, 과방장, 과방폭, 과병의 직경크기, 과병장)은 무처리에 비하여 GA₃ 10 mg·L^-1 처리가 증가되었다. GA₃ 농도별 과립의 생장 (과립수, 과립중, 과립경, 과립장)은 차이가 없었으나 지경중은 무처리에 비하여 GA₃ 5, 10, 20, mg·L^-1 처리 농도에서 증가되었다. 그러나 GA₃ 40 mg·L^-1 처리는 차이가 없었다. 과립의 밀착정도, 과분 발생 정도, 가용성고형물 및 과피의 착색 정도는 큰 차이가 없었으나 무핵 정도는 GA₃ 10 mg·L^-1 처리에서 다른 처리에 비하여 증가하였다. 과립의 열과 발생률은 무처리에 비하여 GA₃ 농도 5, 10, 20, 40 mg·L^-1에서 현저하게 감소하였다. 과립의 탄저병 발생률은 큰 차이가 없었다. 과방당 총 지경장은 무처리, 20 및 40 mg·L^-1 처리에 비하여 5 및 10 mg·L^-1처리에서 현저하게 증가하였다. 지경 순서에 의한 1번 지경부터 15번 지경까지 지경장은 GA₃ 10 mg·L^-1 처리는 증가하였다.

• 현장농수산연구지
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• 제7권1호
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• pp.90-96
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• 2005

GA₃ 침지시간과 농도에 따른 출현소요일수는 GA₃ 처리가 무처리에 비하여 1.1~4.0일 단축되었으며 생육특성도 GA₃ 처리가 양호한 경향이었으나 GA₃ 침지 시간과 농도에 따른 차이는 적었다. 개화소요일수는 GA₃ 처리가 무처리보다, 30분 침지가 10초 침지보다, 그리고 농도가 높을수록 단축되었으나 화경장, 화경폭, 화고 및 화폭 등은 처리간 차이가 없었다. 또한 개화수는 GA₃ 농도에 따른 효과가 커서 250~500 mg·L^-1 처리가 4.0~4.3개로 최고 2배 많았으나 GA₃ 침지 시간에 따른 개화수 차이는 크지 않았다. 정상화율과 구근비대상황은 침지시간 및 농도에 관계없이 비슷하였다. 이로써 GA₃ 처리는 개화수 증가를 위해 반드시 필요하며 침지시간에 상관없이 처리농도는 250~500mg·L^-1가 적당할 것으로 판단된다.

• 생명과학회지
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• 제25권4호
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• pp.390-396
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• 2015

본 연구는 항산화 기능이 뛰어나다고 알려진 며느리배꼽(Persicaria perfoliata)의 캘러스를 사용하여, 어떤 식물호르몬이 부정근 형성에 영향을 미치는지 알아보기 위한 실험이다. 며느리배꼽의 잎으로부터 캘러스를 유도하고 이로부터 부정근 형성을 관찰하였다. 캘러스 유도의 최적 조건을 구한 결과 1% sucrose, 4.5 μM 2.4-D, 1/2 MS였다. 어떤 식물호르몬이 이 식물의 캘러스에서 부정근 형성 효과를 가지고 있는지 알아보기 위하여 GA₃, IAA, 2iP, 2,4-D를 캘러스 조직에 각각 첨가한 결과, GA₃와 IAA를 첨가한 배지에서만 부정근이 나타났음을 확인 할 수 있었다. 이를 자세히 조사하기 위해서 GA₃와 IAA의 농도별(0.1, 1, 10 mg/l) 부정근 형성, 길이 및 직경을 알아본 결과, 높은 수준의 GA₃ 또는 낮은 수준의 IAA처리에서 더 많은 부정근 형성을 보였다. 이 두 호르몬 중 어떤 것이 더욱 더 중요한 역할을 하는지 알아보기 위하여 옥신 유입 저해제인 NPA와 지베렐린 생합성 저해제인 PBZ를 처리한 실험을 한 결과, GA₃가 IAA 보다 부정근 형성에 더욱 더 중요한 역할이라는 것을 알았다. 하여 지베렐린의 수준을 증가 또는 감소시킨다고 알려진 식물호르몬(IAA, 2iP, kinetin, ABA)들을 GA₃와 혼용 처리한 결과, 이 역시 지베렐린이 부정근을 형성하는데 중요한 역할을 한다는 것을 재확인 하였다. 본 연구는 지베렐린이 며느리배꼽의 캘러스에서 부정근 형성을 증진시킨다는 것을 처음으로 밝힌다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제36권5호
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• pp.488-493
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• 2023

The effect of sputtering power on the amorphous Ga₂O₃ thin film deposited using the radio frequency sputtering system was evaluated. Amorphous Ga₂O₃ is cheaper and more efficiently fabricated than crystalline Ga₂O₃, and is studied in various fields such as RRAM, photodetector, and flexible devices. In this study, amorphous Ga₂O₃ was deposited by radio frequency sputtering system and represented a transmittance of over 80% in the visible light region and a homogeneous and dense surface. The optical band gap energy decreased as the sputtering power increased owing to the quantum size effect. Thus, the specific band gap of amorphous Ga₂O₃ can be obtained by adjusting the sputtering power, it indicates amorphous Ga₂O₃ can be used in various fields.

• 한국결정성장학회지
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• 제32권4호
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• pp.121-127
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• 2022

초광역대 반도체인 β-Ga₂O₃은 고전력 반도체 소재에 대한 유망한 응용으로 인해 큰 주목을 받고 있다. 5가지 다른 다형 중 가장 안정적인 상인 β-Ga₂O₃는 4.9 eV의 넓은 밴드갭과 8 MV/cm의 높은 항복 전계를 갖는다. 또한, 이는 용융 소스로부터 성장될 수 있어 전력반도체용 SiC, GaN 및 다이아몬드와 같은 다른 와이드 밴드갭 반도체보다 더 높은 성장률과 더 낮은 제조 비용으로 성장이 가능하다. 이 연구에서 β-Ga₂O₃ 단결정 성장은 EFG(edge-defined film-fed growth) 방법에 의해 성장되었다. 성장 방향과 주면을 각각 β-Ga₂O₃ 결정의 [010] 방향과 (100)면으로 성장하였다. Raman 분석의 스펙트럼으로 β-Ga₂O₃ 잉곳의 결정상과 불순물을 확인하였고, 고해상도 X선 회절(HRXRD)을 이용하여 결정 품질과 결정 방향을 분석하였다. 또한 EFG 방법으로 성장한 β-Ga₂O₃ 리본형태의 잉곳을 각 위치별로 결정 품질과 다양한 특성을 체계적으로 분석하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제31권4호
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• pp.149-153
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• 2021

ε-Ga₂O₃ 박막은 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD)에 의해 4H-SiC 기판에 성장되었으며, 결정성은 성장 조건에 따라 평가되었다. ε-Ga₂O₃의 최적 조건은 665℃의 성장 온도와 200 sccm의 산소 유량에서 성장한 것으로 나타났다. hexagonal 핵이 합쳐지면서 2차원으로 성장되었고, hexagonal 핵의 배열 방향은 기판의 결정 방향과 밀접한 관련이 있었다. 그러나 ε-Ga₂O₃의 결정 구조는 hexagonal이 아닌 orthorhombic 구조를 가짐을 확인하였다. 결정상 전이는 열처리에 의해 수행되었다. 그리고 상 전이된 β-Ga₂O₃ 박막과 비교하기 위해 4H-SiC에서 β-Ga₂O₃ 박막을 바로 성장하였다. 상 전이된 β-Ga₂O₃ 박막은 바로 성장한 것보다 더 나은 결정성을 보여주었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제20권2호
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• pp.98-102
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• 2021

GaOOH is obtained via hydrothermal synthesis procedure. The formed GaOOH is turned into α-Ga₂O₃ at 500℃ annealing. As the annealing temperatures increase the α-Ga₂O₃ is in part turned into β-Ga₂O₃ and fully turned into β-Ga₂O₃ after 1100℃. XPS and PL results reveal that heterojunction interface between α-Ga₂O₃ and β-Ga₂O₃ become maxim at 500℃ annealing condition, which result in the highest photocatalytic activity. The presence of heterojunction interface slows down the recombination process by separating photogenerated electron-hole pairs and thereby enhance the overall photocatalytic activity.