We discuss two possibilities of using femtosecond pulse lasers as a new interferometric light source for enhanced precision surface-profile metrology. First, a train of ultra-fast laser pulses yields repeated low temporal coherence, which allows unequal-path scanning interferometry, which is not feasible with white light. Second, the high spatial coherence of femtosecond pulse lasers enables large-sized optics to be tested in nonsymmetric configurations with relatively small-sized reference surfaces. These two advantages are verified experimentally using Fizeau and Twyman-Green type scanning interferometers.
We discuss two possibilities of using femtosecond pulse lasers as a new interferometric light source fer enhanced precision surface profile metrology. First, a train of ultra-fast laser pulses yields repeated low temporal coherence, which allows performing unequal-path scanning interferometry that is not feasible with white light. Second, high spatial coherence of femtosecond pulse lasers enables to test large size optics in non-symmetric configurations with relatively small size reference surfaces. These two advantages are verified experimentally using Fizeau and Twyman-Green type scanning interferometers.
본 연구에서는 미소한 진동진폭의 정밀한 측정을 위해 비교적 광선정렬(opti- cal alignment)이 쉽고 광손실이 적으며 국소부위의 진동측정이 가능한 다중반사계를 Michelson간섭계에 도입하였다.미소 진동진폭의 정밀한 값을 결정하기 위해서는 간 섭신호를 측정하여 간섭무늬 보간법과 곡선 맞춤법을 이용하는 방법이 있다. 전자는 간단한 계산과 시간을 절약할 수 있는 반면 후자는 복잡한 계산으로 인해 많은 시간이 소요된다. 그러나 정밀계측장비의 교정에서와 같이 경우에 따라서는 많은 시간과 노 력이 소요되더라도 정밀한 측정결과를 얻어야할 필요가 있기 때문에 이들 두가지 방법 의 정밀도를 확인하기 위해 컴퓨터에 의한 모의실험을 수행하였다.
저압 유기금속 화학증착법을 이용하여 (001) InP 기판 위에 격자 일치된 InAlAs 에 피층 성장 결과 620~$700^{\circ}C$범위에서 성장 온도가 증가할수록 산소 유입량의 감소 때문으로 생각되는 광학적 성질의 향상이 관찰되었으나 $750^{\circ}C$이상의 고온에서는 InP완충층의 열화에 의한 결정성의 감소가 발견되었다. 또한, AsH3의 유량이 증가됨에 따라 성장된 InAlAs층의 Al함유량이 증가하는 현상이 관찰되었고, 이는 Al-As와 In-As의 bond strength 차이로 설 명하였다. InGaAs/InAlAs 단일 양자우물구조에서 측정된 우물두께에 따른 photoluminescence peak energy는 계산 값과 잘 일치하였고, high resolution x-ray diffraction 측정을 통하여 뚜렷한 satellite peak와 fine thickness fringe들이 관찰되는 우수 한 계면특성을 가지는 다중 양자우물구조가 성장됨을 확인하였다.
The white-light scanning interferometer (WSI) is an effective optical measurement system for high-precision industries (e.g., flat-panel display and electronics packaging manufacturers) and semiconductor manufacturing industries. Its major disadvantages include a slow image-capturing speed for interferogram acquisition and a high computational cost for peak-detection on the acquired interferogram. Here, a WSI system is proposed for the semiconductor inspection process. The new imaging acquisition technique uses an 'on-the-fly' imaging system. During the vertical scanning motion of the WSI, interference fringe images are sequentially acquired at a series of pre-defined lens positions, without conventional stepwise motions. To reduce the calculation time, a parallel computing method is used to link multiple personal computers (PCs). Experiments were performed to evaluate the proposed high-speed WSI system.
최근 전자산업계에 새롭게 널리 생산되는 마이크로 전자부품들은 왜곡이 최소화된 정밀한 외관 형상을 갖도록 제조되고 관리되지만, 측정 대상의 표면이 가시광 영역에서 광산란되는 특징을 가짐으로 인해, 기존의 피죠나 마이켈슨 형태의 비교간섭법으로는 고정밀의 삼차원 형상측정이 용이하지 아니하였다. 본 논문에서는 광섬유를 이용한 새로운 개념의 점회절 간섭계를 제안하고, 이를 광산란 거친표면의 대표적인 제품인 칩패키지와 실리콘 웨이퍼의 삼차원 형상 측정에 적용하였다. 측정결과 66 mm 측정영역에서 측정 형상오차 PV(peak-to-valley value) 5.6 $\mu\textrm{m}$, 분산값($\sigma$) 1.5 $\mu\textrm{m}$를 획득함으로써 기존의 비교 간섭 측정법에 비해 더욱 향상된 측정 정밀도를 획득하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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