세슘빔 공진기에서 세슘D$_2$ 전이선으로 광펌핑된 원자가 램지공진기에서 마이크로파의 주파수에 따른 초미세준위의 바닥상태간의 원자밀도 전이에 의한 형광 신호의 분포를 펌핑광의 세기에 따라 관측하였다. 펌핑광의 편광방향이 자기장에 나란한 $\pi$편광일 때 각 제만부준위의 마이크로파 전이 신호는 mF=0을 중심으로 $\pm$mF의 신호세기가 대칭적이었으나 펌핑광의 편광 방향이 자기장에 수직인 $\sigma$$\pm$ 인 경우에는 비대칭적임을 확인하였다. 이것은 펌핑광의 주파수가 세슘빔 공진기에서의 세슘공진주파수에서 detuning이 있는 것에 의한 것으로 예상하였다. 이를 확인하기 위해 원자밀도행렬방정식으로 세슘빔공진기에서 마이크로파 전이신호를 계산하였다. 펌핑광의 세기와 편광방향, detuning에 따른 마이크로파 전이신호의 분포가 실험치와 잘 일치함을 알 수 있었다. 이 연구는 세슘빔 원자공진기에서 펌핑광의 주파수가 세슘공진주파수에 detuning된 정도를 관측할 수 있는 방법을 제시해 준다. (중략)
고리형 레이저에서 단일모드로 발진되는 양방향 광속의 출력세기를 맥스웰-블로흐 방정식을 사용한 준고전적 모형으로 분석하였다. Nd:YAG를 레이저 매질로 설정하고, 한쪽 방향의 광속이 반대 방향의 광속에 미치는 영향을 고려하여, 펌핑률과 감쇄율 및 진동수 어긋남에 따른 레이저 발진의 안정성과 출력변조를 조사하였다. 특히, 전산시늉을 통하여 진동수 어긋남에 따른 출력광속의 변화를 조사하고, 안정한 연속발진 조건을 규명하였다.
본 논문에서는 반도체레이저를 이용한 밀리미터파 대역의 신호를 생성하는 방법에 대해 제안하였다. 광대역에서의 밀리미터파 신호를 얻기 위해서는 윈하는 공진 주파수대역의 신호를 얻기 위해는 서브 하모닉의 좁은 신호 성분의 하모닉 신호인 다중의 신호를 서로 beating하여 원하는 주파수 대역의 신호를 얻을 수 있다. 따라서 본 논문에서는 반도체레이저를 사용한 광주입 방법을 통하여 실제적으로 원하는 주파수 대역의 신호를 얻기 위해 실험적으로 고찰하였으며, 신호 성분의 성능을 구하기 위해 phase noise 성분을 측정하였다.
본 논문은 Single Tuned Filter를 사용하여 11차와 13차 고조파를 동시에 제거하는 Hybrid 능동필터를 제안하였다. 제안된 Hybrid 능동필터는 Hybrid 능동필터의 Detuning 보상능력을 이용한 것으로, 하나의 필터를 이용하여 2개 이상의 고조파를 제거할 수 Topology를 보여주고 있다. 본 논문에서 다루는 Hybrid 능동필터는 Detuning 보상능력을 이용한 것이기 때문에 인버터 출력전압을 최적으로 설계하는 것이 필수적이다. 본 논문은 수동필터 부분의 커패시터 용량과 HVDC 시스템에서 발생되는 고조파 전류의 크기 그리고 수동필터의 공진주파수와 제어모드에 따라 인버터 출력전압이 변화함을 확인하였고, 이에 따른 최적의 인버터 전압을 구하였다.
By introducing a compressive-strained quanternary InGaAsP quantum-wells instead of a conventional ternary InGaAs quantum-wells in 1.55.mu.m DFB-LD, the lasing performances canb e improved and the problems caused by the thickness non-uniformity and the compositional abruptness among the hetero-interpaces canb e relaxed. In this paper, we investigated an iptimum InGaAsP/InGaAsP multiple-quantum-well(MQW) structure as an active layer in a direct-modulated 1.55.mu. DFB-LD from the view point of threshold current, chirping charcteristics, and resonance frequency. The optimum compressive-strained MQW structure was revealed as InGaAsP/InGaAsP structure with strain amount of about 1.2%, number of wells $N_{w}$ of 7, well width $L_{w}$ of 58.agns.. The threshold current density J of 500A/c $m^{2}$, the linewidth enhancement factor a of 1.8, and differential resonance frequency of d $f_{r}$/d(I-I)$^{1}$2/=2GHz/(mA)$^{1}$2/(atI=2 $I_{th}$) were expected in 1.55.mu.m .gamma./4-shifted DFB-LD with the cavity length of 400.mu.m long and kL value of 1.25. These values are considerably improved ones compared to those of 1.55um DFB-LD with InGaAs/InGaAsP MQW which have enhancement factor and the resonance frequence frequency by the detuning of lasing wavelength and gain-peak wavelength. It was found that the linewidth enhancement factor of 20% and differential resonance frequency of 35% without the degradation of the threshold current density could be enhanced in the range of -15nm~-20nm detuning which can be realized by controlling the thickness and Incomposition of InGaAsP well. well.and Incomposition of InGaAsP well. well.
In this paper, we theoretically demonstrate that semiconductor optical amplifiers (SOAs) with strong wavelength dependence of gain and phase are capable of all-optical inverted and non-inverted wavelength conversion (WC) over a wide range, with the assistance of an optical filter. First, the gain dynamics and phase dynamics in a common quantum well (QW) SOA with the $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.7322}Ga_{0.2678}As_{0.5810}P_{0.4190}$ material system are found to be strongly dependent on wavelength, which is mainly related to the wavelength dependence of the differential gain and the differential refractive-index change. Second, the wavelength dependence in an all-optical wavelength converter based on the QW SOA cascaded with a detuning band pass filter is studied. Simulations show that the quality of the converted signal has little dependence on the operation wavelength. Both inverted and non-inverted WC can be achieved, over a large wavelength range. Therefore, although the gain and phase change are strongly wavelength-dependent, the effects of this dependence can be erased by appropriate optical filtering.
Eon-Sang Kim;Sang-Rok Moon;Minkyu Sung;Joon Ki Lee;Seung-Hyun Cho
ETRI Journal
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제45권2호
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pp.193-202
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2023
We demonstrate the transmission of uncompressed 4K videos over the photonics-based terahertz (THz) wireless link using a directly modulated distributed feedback laser diode (DFB-LD). For optical heterodyne mixing and data modulation, a DFB-LD was employed and directly modulated with a 5.94-Gb/s non-return-to-zero signal, which is related to a 6G-serial digital interface standard to support ultra-high-definition video resolution. We derived the optimal frequency of the THz carrier by varying the wavelength difference between DFB-LD output and Tunable LD output in the THz signal transmitter to obtain the best transmission performances of the uncompressed 4K video signals. Furthermore, we exploited the negative laser-to-filter detuning for the adiabatic chirp management of the DFB-LD by the intentional discrepancy between the center wavelength of the optical band-pass filter and the output wavelength of the DFB-LD. With the help of the abovementioned methods, we successfully transmitted uncompressed 4K video signals over the 2.3-m wireless transmission distance without black frames induced by time synchronization error.
It is analyzed how performance of phase-locked loop driven by photodetector current in optical receiver will be changed under the condition that Gaussian thermal noise, pattern noise and shot noise are present and the loop has the nonzero detuning frequency. The phase error variance cahnges with the circuit configuration and the produced noise models. The analyzed results are applied to the previously implemented 90.194Mbps optic system whose loop filter is the improved active noninverting 1-st order lag-lead type.
Journal of information and communication convergence engineering
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제8권4호
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pp.457-460
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2010
we have analyzed tens of Giga pulse signal generation using sideband injection locking scheme. The numerical model for semiconductor lasers under the strong optical injection is based on the Lang's equation and has been extended in order to take into account the simultaneous injection of the multiple sidebands of the current-modulated laser. The numerical simulation results show that the unselected sidebands will affect the optical and RF-spectral characteristics even though the semiconductor laser is locked to the target sidebands.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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