• 제목/요약/키워드: Flicker Noise

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역 위상 깜박임 영역 순응에 의해 유도된 인접 영역의 3차원 운동잔여 효과 (3D motion aftereffect in a static region after adaptation to an adjacent counterphase flickering region)

  • 김정훈;남종호;정찬섭
    • 인지과학
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    • 제10권3호
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    • pp.29-37
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    • 1999
  • Murakami와 Cavanagh (1998a.b. 1999)가 보고한 무선 운동 영역 순응에 따른 정지된 인접 영역의 흔들림(jittering) 착시현상을 새로운 자극구성으로 검증하였다. 이 현상에 대한 설명으로 이 연구자들이 제안한 순응에 따른 안구운동 보상기제의 약화를 최소화하는 역 위상 깜박임(counterphase flickering)에의 순응과 코사인 패턴을 사용하였을 때에도 정지된 인접 영역에서의 착시현상이 경험되었다. 그러나, 이 자극 상황에서 관찰된 착시현상은 평면상의 흔들림이 아니라 정지된 인접 영역이 관찰자에서 멀어지는 것으로 지각되는 3차원상의 운동잔여효과(3D motion aftereffect)이었다. 본 연구에서 우리는 이 새로운 현상이 깜박임 영역의 휘도 대비감소(contrast reduction)가 정지된 인접 영역과의 지각된 깊이 차이를 유발시키고 깜박임 영역이 정지하였을 때 원래의 깊이로 복원하는 과정에서 정지된 인접 영역이 상대적으로 멀어지며 움직이는 것으로 지각되는 것에 기인했을 가능성을 조사하였다. 깊이 단서를 제거하거나, 휘도 대비감소를 최소화하는 고 공간주파수 코사인 패턴을 사용한 실험의 결과 관찰된 운동잔여효과의 소멸은 이 가능성을 강력히 지지하여 주었다.

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A Dual-Mode 2.4-GHz CMOS Transceiver for High-Rate Bluetooth Systems

  • Hyun, Seok-Bong;Tak, Geum-Young;Kim, Sun-Hee;Kim, Byung-Jo;Ko, Jin-Ho;Park, Seong-Su
    • ETRI Journal
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    • 제26권3호
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    • pp.229-240
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    • 2004
  • This paper reports on our development of a dual-mode transceiver for a CMOS high-rate Bluetooth system-onchip solution. The transceiver includes most of the radio building blocks such as an active complex filter, a Gaussian frequency shift keying (GFSK) demodulator, a variable gain amplifier (VGA), a dc offset cancellation circuit, a quadrature local oscillator (LO) generator, and an RF front-end. It is designed for both the normal-rate Bluetooth with an instantaneous bit rate of 1 Mb/s and the high-rate Bluetooth of up to 12 Mb/s. The receiver employs a dualconversion combined with a baseband dual-path architecture for resolving many problems such as flicker noise, dc offset, and power consumption of the dual-mode system. The transceiver requires none of the external image-rejection and intermediate frequency (IF) channel filters by using an LO of 1.6 GHz and the fifth order onchip filters. The chip is fabricated on a $6.5-mm^{2}$ die using a standard $0.25-{\mu}m$ CMOS technology. Experimental results show an in-band image-rejection ratio of 40 dB, an IIP3 of -5 dBm, and a sensitivity of -77 dBm for the Bluetooth mode when the losses from the external components are compensated. It consumes 42 mA in receive ${\pi}/4-diffrential$ quadrature phase-shift keying $({\pi}/4-DQPSK)$ mode of 8 Mb/s, 35 mA in receive GFSK mode of 1 Mb/s, and 32 mA in transmit mode from a 2.5-V supply. These results indicate that the architecture and circuits are adaptable to the implementation of a low-cost, multi-mode, high-speed wireless personal area network.

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Pillar Type Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Flash Memory Cells with Modulated Tunneling Oxide

  • Lee, Sang-Youl;Yang, Seung-Dong;Yun, Ho-Jin;Jeong, Kwang-Seok;Kim, Yu-Mi;Kim, Seong-Hyeon;Lee, Hi-Deok;Lee, Ga-Won;Oh, Jae-Sub
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제14권5호
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    • pp.250-253
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    • 2013
  • In this paper, we fabricated 3D pillar type silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) devices for high density flash applications. To solve the limitation between erase speed and data retention of the conventional SONOS devices, bandgap-engineered (BE) tunneling oxide of oxide-nitride-oxide configuration is integrated with the 3D structure. In addition, the tunneling oxide is modulated by another method of $N_2$ ion implantation ($N_2$ I/I). The measured data shows that the BE-SONOS device has better electrical characteristics, such as a lower threshold voltage ($V_{\tau}$) of 0.13 V, and a higher $g_{m.max}$ of 18.6 ${\mu}A/V$ and mobility of 27.02 $cm^2/Vs$ than the conventional and $N_2$ I/I SONOS devices. Memory characteristics show that the modulated tunneling oxide devices have fast erase speed. Among the devices, the BE-SONOS device has faster program/erase (P/E) speed, and more stable endurance characteristics, than conventional and $N_2$ I/I devices. From the flicker noise analysis, however, the BE-SONOS device seems to have more interface traps between the tunneling oxide and silicon substrate, which should be considered in designing the process conditions. Finally, 3D structures, such as the pillar type BE-SONOS device, are more suitable for next generation memory devices than other modulated tunneling oxide devices.

Performance Evaluations of Four MAF-Based PLL Algorithms for Grid-Synchronization of Three-Phase Grid-Connected PWM Inverters and DGs

  • Han, Yang;Luo, Mingyu;Chen, Changqing;Jiang, Aiting;Zhao, Xin;Guerrero, Josep M.
    • Journal of Power Electronics
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    • 제16권5호
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    • pp.1904-1917
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    • 2016
  • The moving average filter (MAF) is widely utilized to improve the disturbance rejection capability of phase-locked loops (PLLs). This is of vital significance for the grid-integration and stable operation of power electronic converters to electric power systems. However, the open-loop bandwidth is drastically reduced after incorporating a MAF into the PLL structure, which makes the dynamic response sluggish. To overcome this shortcoming, some new techniques have recently been proposed to improve the transient response of MAF-based PLLs. In this paper, a comprehensive performance comparison of advanced MAF-based PLL algorithms is presented. This comparison includes HPLL, MPLC-PLL, QT1-PLL, and DMAF-PLL. Various disturbances, such as grid voltage sag, voltage flicker, harmonics distortion, phase-angle and frequency jumps, DC offsets and noise, are considered to experimentally test the dynamic performances of these PLL algorithms. Finally, an improved positive sequence extraction method for a HPLL under the frequency jumps scenario is presented to compensate for the steady-state error caused by non-frequency adaptive DSC, and a satisfactory performance has been achieved.

3DTV 엑티브 셔터 안경을 위한 저전력 이산-사건 SoC (Low-Power Discrete-Event SoC for 3DTV Active Shutter Glasses)

  • 박대진;곽승호;김창민;김탁곤
    • 대한전자공학회논문지SP
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    • 제48권6호
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    • pp.18-26
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    • 2011
  • 엑티브 셔터 안경 기반 3DTV와 페시브 편광 필터 안경 방식 3DTV의 화질 비교는 최근에 이슈로 대두되고 있다. 엑티브 셔터 안경 방식 기술이 Full-HD 3D영상 구현이 가능함에도 불구하고 스테레오 영상에 대한 동기 신호의 전송, 수신, 및 재구성 과정 중에 내부/외부 잡음 환경에 영향을 받아 3D안경에 탑재된 동기화 프로세서 칩의 오동작으로 영상 플리커가 자주 발생한다. 이러한 문제를 극복하기 위해 동기 신호에 실리는 잡음의 제거 및 오차 보정을 추가적으로 수행하는 과정이 필요하며 이로 인해 추가로 소모되는 전력이 증가하고 있다. 본 논문에서는 3DTV 엑티브 셔터 안경을 위한 동기 신호 처리 프로세서를 구현하는 저 전력 이산 사건 (Discrete-Event) 기반 SoC (DE-SoC)칩을 제안한다. 이를 위해 이벤트 적재기와 소수점 타이머 하드웨어를 구현한다. 제안한 기법을 통해 실시간으로 수신되는 동기 수신 회로 구동을 최대한 지연시킴으로써 전력을 소모하는 하드웨어를 부분을 최소화 하며 소수점 타이머를 이용하여 동기 신호 수신 부를 완전히 정지시킨 상태에서도 일정 시간 동기를 유지하는 특성을 이용하여 무선 동기 수신부의 전력소모를 줄이고 외부 잡음의 영향을 완벽하게 차단할 수 있다. 제안한 기법을 위해 약 15,000개의 로직 게이트와 1Kbytes SRAM 버퍼를 추가로 사용한다. 그럼에도 불구하고 전력 소모는 기존대비 약 20%이하로 떨어질 뿐만 아니라 TV로부터 오는 동기 신호 없이도 2시간동안 1%정도의 동기 오차를 보여준다.

얼굴 추적 기반의 잡파 혼입 방지가 가능한 뇌파 DB구축 시스템 구현 (An Implementation of Brain-wave DB building system for Artifacts prevention using Face Tracking)

  • 신정훈;권형오
    • 융합신호처리학회논문지
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    • 제10권1호
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    • pp.40-48
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    • 2009
  • 컴퓨터를 중심으로 한 IT 기술의 비약적인 발전과 더불어, 정보산업사회가 고도화되어 감에 따라 사용자 편리를 위한 인터페이스의 지능화, 인간화에 대한 요구가 나날이 증가하고 있다. 이러한 사용자의 요구에 따라 다양한 형태의 인간친화형 사용자 인터페이스 중, 인간의 뇌를 활용한 사용자 인터페이스 즉, BCI에 관한 연구가 최근 산발적으로 다양하게 진행되고 있다. 최근 연구 개발중인 다양한 형태의 BCI 관련 연구들은 DB구축과 관련된 원천기술 확보 측면의 연구가 배제된 체 응용기술 개발 위주로 진행되고 있는 실정이다. 이와 같은 문제점으로 인하여 BCI 관련 연구들은 연구 초기 수준을 극복하지 못하고 있으며, 체계적인 연구가 진행되어지지 않고 있는 실정이다. BCI 관련 연구의 경우 피험자로부터 수집되어지고 있는 뇌파 신호가 실험에 필요한 적절하고 의미 있는 신호인지 구분하기 힘든 실정이다. 또한, 뇌파 수집 시 실험에 불필요한 행동 즉, 심한 눈 깜박임, 침 삼키기, 얼굴 및 몸 움직임에 의한 근전도와 전극의 부착상태, 주변소음, 진동 둥 실험환경에 따른 잡파의 혼입으로 인하여 정확한 뇌파 DB수집에 어려움을 겪고 있다. 이러한 피험자의 움직임 및 실험환경에 의해 혼입된 잡파의 손상된 정보로 인해 BCI 시스템 구현 시 인식률 및 성능저하를 초래할 수 있다. 따라서 본 논문에서는 뇌파를 활용한 BCI 시스템 구현 시 보다 정확하고 높은 인식률을 위한 기반 연구로서 정확하고 효율적인 뇌파 DB구축 시스템을 제안하며, 잡파가 혼입된 뇌파 DB의 최소화를 위해 피험자의 얼굴 추적을 통하여 불필요한 행동 발생 시 DB수집의 사전 차단 및 자동 제어가 가능한 DB구축 시스템을 제안한다.

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