The study was carried out to determine the effect of storage property and qualities on soybean sauce and paste by adding different amount of pyroligneous liquor obtained by sujpercritical fluid extraction(SFE). Purified pyroligneous liquor obtained by SFE at 4$0^{\circ}C$/110 bar contained p-cresol, o-cresol and m-cresol food sterilizers, but no toxic substances such as tar, scorched, furfuraland and monophenol. Thus pyroligneous liquor was considered to be suitable as natural food preservative. In case of soybean sauce, pyroligneous liquor was tested to determine the potential of natual food preservative to prevent flim formation on soybean ksauce 15days at 3$0^{\circ}C$. Increasing amounts of purified pyroligneous liquor added to soybean sauce prevented film forming yeasts. In case of paste, pyroligneous liquor was tested to determine the potential of natural food preservative to inhibit browning on paste 60 days at 3$0^{\circ}C$. Purified pyroligneous liquor added to paste inhibited brown pigment. As a result, purified pyroligneous liquor offered a promising way of improving the quality and storage property of soybean sauce and paste.
Kim, Jong-Gi;Lee, Sung-Hoon;Lee, Kyu-Min;Na, Hee-Do;Kim, Young-Jae;Ko, Dae-Hong;Sohn, Hyun-Chul
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.286-287
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2012
Reset-first resistive switching mechanism based on reduction reaction in HfO2-x with oxygen drift-diffusion was studied. we first report that the indirect evidence of local filamentary conductive path formation in bulk HfO2 film with local TiOx region at Ti top electrode formed during forming process and presence of anion-migration at interface between electrode and HfO2 during resistive switching through high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), electron disperse x-ray (EDX), and electron energy loss spectroscopy (EELS) mapping. Based on forming process mechanism, we expected that redox reaction from Ti/HfO2 to TiOx/HfO2-x was responsible for an increase of initial current with increasing the post-annealing process. First-reset resistive switching in above $350^{\circ}C$ annealed Ti/HfO2 film was exhibited and the redox phenomenon from Ti/HfO2 to TiOx/HfO2-x was observed with high angle annular dark field (HAADF) - scanning transmission electron microscopy (STEM), EDX and x-ray photoelectron spectroscopy. Therefore, we demonstrated that the migration of oxygen ions at interface region under external electrical bias contributed to bipolar resistive switching behavior.
Jung, Ki-Chnag;Lim, Sung-Muk;Lee, Chang-Sub;Kang, Young-Goo;Kim, Hong
Fire Science and Engineering
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v.10
no.3
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pp.29-40
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1996
The AFFF(Aqueous Film Forming Foam : 3M Company's Light Water) agent are synthetic compounds that foams which are similar to those produced by protein based materials. The foam extinguishing agent was used In the extinguisher was the AFFF agent. We sought, however, to make other foams by using halon 1301 (CF$_3$Br) and halon alternatives, such as HCFC Blend A($CHCIF_2$ 82%, $CF_3$CHCIF 9.5%m $C_{10}$$H_{16}$ 3.75%), HFC-227ea ($CF_3$$CHFCF_3$) We selected these alternatives instead of air in order to raise the expansion ratio of the AFFF agent. By these means we discovered that it is possible to increase the expansion ratio of the AFFF agent up to 44:1 and up to 24:1 when HFC-227ea was used as a halon alternatives. Therefore our new foam extinguishing agents can be used in a portable extinguish agents can be used in a portable extinguishers.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.30
no.6
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pp.589-595
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2013
Solution processed conjugated molecules enable to manufacture various electronic devices by unconventional and cost effective patterning methods as screen or gravure printing. Spin-coating is the most popularly used method to form conjugated polymeric film for various electronic devices. The coating method has certain disadvantages such as a large amount of unwanted wastes, difficulty forming a film with a large area, and impossible to apply roll-to-roll manufacturing. We present here a promising alternative coating method, bar-coating for conjugated polymer film and OLED with the bar coated light emitting layer. In this papers, we show atomic force microscope images of spin- and bar-coated Poly[(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(benzo[2,1,3]thiadiazol-4,8-diyl)] (F8BT) films on substrate. The bar-coated film showed a slight lower RMS roughness (1.058 [nm]) than spin-coated film (1.767 [nm]). It means the bar-coating is suitable method to form light emitting layers in OLEDs. By using bar-coating process, an OLED obtained with 4.7 [cd/A] in maximum current efficiency.
Kim, Eundo;Jeong, Ye-Sul;Jung, Da Woon;Eom, Gi Seog;Hwang, Do Weon;Cho, Seong Jin
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.06a
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pp.85.1-85.1
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2010
$Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) thin film solar cell is currently 19.5% higher efficiency and developing a large area technology. The structure of CIGS solar cell that make five unit layers as back contact, light absorption, buffer, front transparent conducting electrode and antireflection to make them sequentially forming. Materials and various compositions of thin film unit which also manufacture a variety method used by the physical and chemical method for CIGS solar cell. The construction and performance test of evaporator for CIGS thin film solar cell has been done. The vapor pressures were changed by using vapor flux meter. The vapor pressure were copper (Cu) $2.1{\times}10^{-7}{\sim}3.0{\times}10^{-7}$ Torr, indium (In) $8.0{\times}10^{-7}{\sim}9.0{\times}10^{-7}$ Torr, gallium (Ga) $1.4{\times}10^{-7}{\sim}2.8{\times}10^{-7}$ Torr, and selenium (Se) $2.1{\times}10^{-6}{\sim}3.2{\times}10^{-6}$ Torr, respectively. The characteristics of the CIGS thin film was investigated by using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy/energy dispersive spectroscopy (SEM/EDS) and photoluminescence (PL) spectroscopy using a He-Ne laser. In PL spectrum, temperature dependencies of PL spectra were measured at 1137 nm wavelength.
The effect of alloying element Ca (0, 1, and 2 wt%) on corrosion resistance and bioactivity of the as-received and anodized surface of rolled plate AM60 alloys was investigated. A plasma electrolytic oxidation (PEO) was carried out to form anodic oxide film in $0.5mol\;dm^{-3}\;Na_3PO_4$ solution. The corrosion behavior was studied by polarization measurements while the in vitro bioactivity was tested by soaking the specimens in Simulated Body Fluid (1.5xSBF). Optical micrograph and elemental analysis of the substrate surfaces indicated that the number of intermetallic particles increased with Ca content in the alloys owing to the formation of a new phase $Al_2Ca$. The corrosion resistance of AM60 specimens improved only slightly by alloying with 2 wt% Ca which was attributed to the reticular distribution of $Al_2Ca$ phase existed in the alloy that might became barrier for corrosion propagation across grain boundaries. Corrosion resistance of the three alloys was significantly improved by coating the substrates with anodic oxide film formed by PEO. The film mainly composed of magnesium phosphate with thickness in the range $30-40{\mu}m$. The heat resistant phase of $Al_2Ca$ was believed to retard the plasma discharge during anodization and, hence, decreased the film thickness of Ca-containing alloys. The highest apatite forming ability in 1.5xSBF was observed for AM60-1Ca specimens (both substrate and anodized) that exhibited more degradation than the other two alloys as indicated by surface observation. The increase of surface roughness and the degree of supersaturation of 1.5xSBF due to dissolution of Mg ions from the substrate surface or the release of film compounds from the anodized surface are important factors to enhance deposition of Ca-P compound on the specimen surfaces.
Edible films were developed from jujube (Zizyphus jujube Miller) using depolymerization processes of ultrasound and high-pressure homogenization. A 4.6% (w/w) jujube hydrocolloid was treated by ultrasound (600W, 20 min) or homogenized at high pressure (172 MPa, 6 s) and mixed with whey protein isolate, glycerol, xanthan, and sucrose esters of fatty acids to form film-forming solutions from which films were formed by drying. The film prepared by highpressure homogenization (HPH film) produced more homogeneous films without particles than those prepared without depolymerization or with the ultrasound treatment. HPH films possessed the highest tensile strength (4.7MPa), the lowest water vapor permeability ($2.9g{\cdot}mm/kPa{\cdot}h{\cdot}m^2$), and the most uniform and dense microstructures among the films. Flavor profiles of jujube powder and the films were distinguishable. Heat seal strength and oxygen permeability of the HPH films were 44.4 N/m and $0.025mL{\cdot}{\mu}m/m^2$/day/Pa, respectively. Antioxidant activities of jujube power and HPH films were not significantly different.
Soon-Gil, Jung;Duong, Pham;Won Nam, Kang;Byung-Hyuk, Jun;Chorong, Kim;Sunmog, Yeo;Tuson, Park
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.24
no.4
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pp.1-5
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2022
We investigate the effect of surface disorder on the lower critical field (Hc1) of MgB2 thin films with a thickness of 850 nm, where the disorder on the surface region is produced by the irradiation of 140 keV Co ions with the dose of 1 × 1014 ions/cm2. The thickness of the damaged region by the irradiation is around 143 nm, corresponding to ~17% of the whole thickness of the film, thereby forming the disordered MgB2 overlayer on the pure MgB2 layer. The magnetic field dependence of magnetization, M(H), for the pristine MgB2 thin film and the film with overlayer is measured at various temperatures, and Hc1 is determined from the difference (△M) between the Meissner line and magnetization signal with the criterion of △M = 10-3 emu. Intriguingly, the film with the disordered overlayer shows a remarkably large Hc1(0) = 108 Oe compared to the Hc1(0) = 84 Oe of pristine film, indicating that the disordered MgB2 overlayer on the pure MgB2 layer serves to prevent the penetration of vortices into the sample. These results provide new ideas for improving the superheating field to design high-performance superconducting radio-frequency cavities.
Gelatin films containing grapefruit seed extract (GSE) were prepared by incorporating different amounts (0, 0.6, and 1.0%, w/v) of GSE into film-forming solutions. Film elongation was improved by the addition of GSE, but film tensile strength decreased to 31.96 MPa for film containing 1.0% GSE, compared with 46.39 MPa for the control. Incorporation of 1.0% GSE inhibited the growth of pathogenic bacteria such as Escherichia coli O157:H7 and Listeria monocytogenes. Packaging of strawberries with a gelatin film containing 1.0% GSE decreased the levels of total aerobic bacteria and yeast/molds after 12 days of storage by 1.60 and 1.43 log CFU/g, respectively, compared with control values. Sensory evaluation results indicated that packaging of strawberries with GSE-gelatin film resulted in better sensory scores than those of the control. These results indicate that strawberries can be packaged using gelatin film containing GSE, to extend shelf-life.
TSV(through silicon via) filling technology is making a hole in Si wafer and electrically connecting technique between front and back of Si die by filling with conductive metal. This technology allows that a three-dimensionally connected Si die can make without a large number of wire-bonding. These TSV technologies require various engineering skills such as forming a via hole, forming a functional thin film, filling a conductive metal, polishing a wafer, chip stacking and TSV reliability analysis. This paper addresses the TSV filling using Cu electrodeposition. The impact of plating conditions with additives and current density on electrodeposition will be considered. There are additives such as accelerator, inhibitor, leveler, etc. suitably controlling the amount of the additive is important. Also, in order to fill conductive material in whole TSV hole, current wave forms such as PR(pulse reverse), PPR(periodic pulse reverse) are used. This study about semiconductor packaging will be able to contribute to the commercialization of 3D TSV technology.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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