• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제30권8호
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• pp.927-933
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• 2006

The structural and electrical characteristics of PLZT thin films fabricated onto $Pt/IrO_2/Ir/Ti/SiO_2/Si$ substrates by a pulsed laser deposition were investigated to develop the high dielectric thin films for capacitor layer of semiconductor memory devices The slim region 14/50/50 PLZT thin films were fabricated by PLD and estimated the characteristics for memory application 14/50/50 PLZT thin films have crystallize into perovskite structure at the $600^{\circ}C$ deposition temperature, 200 mTorr of oxygen pressure, and 2 $J/cm^2$ of laser energy density. In this condition PLZT thin films had the dielectric constant as high as 985, storage charge density 8.17 ${\mu}C/cm^2$ and charging time 0.20 ns. Leakage current density was less than $10^{-10}A/cm^2$ up to 5 V bias voltage.

• 한국재료학회지
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• 제23권6호
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• pp.329-333
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• 2013

The structural phase transformations of $0.7Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-0.3PbTiO_3$ (PMN-0.3PT) were studied using high resolution x-ray diffraction (HRXRD) as a function of temperature and electric field. A phase transformational sequence of cubic (C)${\rightarrow}$tetragonal (T)${\rightarrow}$rhombohedral (R) phase was observed in zero-field-cooled conditions; and a $C{\rightarrow}T{\rightarrow}$monoclinic $(M_C){\rightarrow}$ monoclinic ($M_A$) phase was observed in the field-cooled conditions. The transformation of T to $M_A$ phase was realized through an intermediate $M_C$ phase. The results also represent conclusive and direct evidence of a $M_C$ to $M_A$ phase transformation in field-cooled conditions. Beginning from the zero-field-cooled condition, a $R{\rightarrow}M_A{\rightarrow}M_C{\rightarrow}T$ phase transformational sequence was found with an increasing electric field at a fixed temperature. Upon removal of the field, the $M_A$ phase was stable at room temperature. With increasing the field, the transformation temperature from T to $M_C$ and from $M_C$ to $M_A$ phase decreased, and the phase stability ranges of both T and $M_C$ phases increased. Upon removal of the field, the phase transformation from R to $M_A$ phase was irreversible, but from $M_A$ to $M_C$ was reversible, which means that $M_A$ is the dominant phase under the electric field. In the M phase region, the results confirmed that lattice parameters and tilt angles were weakly temperature dependent over the range of investigated temperatures.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제26권4호
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• pp.63-68
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• 2019

온도 및 압축응력 변화에 따른 PIN-PMN-PT계 압전 단결정의 유전 특성과 압전 특성을 조사하였다. 단결정의 결정상은 110℃ 영역에서 강유전 rhombohedral 구조에서 tetragonal 구조로, 190℃ 영역에서 tetragonal 구조로부터 상유전 cubic 구조로 변화하였다. 전계 인가에 따른 분극 및 변위의 변화율로부터 압전상수와 비유전율을 계산하였으며, 이는 계측기로부터 측정된 값과 유사한 수준을 나타내었다. 샘플에 인가되는 압축응력이 증가할수록 압전상수 d₃₃과 비유전율값은 증가하는 경향성을 나타내었다. 측정 온도 5℃에서 샘플에 인가되는 압축응력이 60 MPa인 경우 d₃₃ 값이 4500 pC/N로 계산되었으며, 측정 온도 60℃인 경우, 샘플에 인가되는 압축응력이 40 MPa 일 때 비유전율 62000이 계산되었다. 압축응력이 높아질 때 압전상수와 비유전율 값이 상승한 것은 rhombohedral 상에서 orthorhombic 상으로의 전이에 기인한 것으로 판단된다.

• 센서학회지
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• 제8권1호
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• pp.10-15
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• 1999

ZnS 형광체와 BST 강유전체 박막을 절연층으로 사용한 백색방출 전계발광소자를 제작하였다. BST 박막의 제조조건으로 target의 조성비가 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$이며, 기판온도가 $400^{\circ}C$, 분위기압이 30 mTorr, A:$O_2$의 비가 9:1일때 유전율이 1 kHz의 주파수에서 209를 나타내었다. 형광층으로 ZnS:Mn, ZnS:Tb 및 ZnS:Ag를 사용하였으며, 활성제 각각의 첨가량은 0.8, 0.8 및 1 wt%로 하였다. 형광층 전체의 두께가 500 nm로 하고 하부 절연층을 200 nm, 상부절연층을 400 nm로 증착하였을 때, 박막 전계발광소자의 발광문턱전압은 약 95 V 였고, 최고휘도는 150 V에서 약 $3000\;cd/m^2$이었다. 발광스펙트럼를 관찰한 결과 청색영역(450 nm), 녹색영역(550 nm) 그리고 적색영역(600 nm)의 파장에서 각각의 피이크가 나타나는 것을 관찰하였다.