We report a nickel optical MEMS switch, being able to rotate through a large angle and to accommodate multiple channels. The proposed optical switch consists of a thin nickel mirror and two torsion springs supporting the mirror. The torsion springs are designed using a finite element method (FEM) such that plastic deformation of the thin nickel is avoided during the large torsion actuation. For switching speed improvement, transient vibration of the released mirror is suppressed by optimizing the mirror design and a fast switching response of $200\;{\mu}s\;(pull-down)/300\;{\mu}s\;(pull-up)$ is demonstrated.
전력전자학회 2001년도 Proceedings ICPE 01 2001 International Conference on Power Electronics
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pp.656-659
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2001
In this paper a neural network controller for achieving maximum power tracking as well as output voltage regulation, for a wind energy conversion system(WECS) employing a permanent magnet synchronous generator, is proposed. The permanent magnet generator (PMG) supplies a dc load via a bridge rectifier and two buck-boost converters. Adjusting the switching frequency of the first buck-boost converter achieves maximum power tracking. Adjusting the switching frequency of the second buck-boost converter allows output voltage regulation. The on-times of the switching devices of the two converters are supplied by the developed neural network(NN). The effect of sudden changes in wind speed ,and/or in reference voltage on the performance of the NN controller are explored. Simulation results showed the possibility of achieving maximum power tracking and output voltage regulation simultaneously with the developed neural network controller. The results proved also the fast response and robustness of the proposed control system.
Due to the fast response to algae bloom issue in drinking water treatment plant, very fast determination methodology for algal toxin is required. In this study, column switching technique based online preconcentration method was combined with high resolution full scan mass spectrometer to save sample preparation time and to obtain fast and accurate result. After parameter optimization of online preconcentration, 1mL filtered sample was directly injected to trap column with switching valve system. Next, target toxins are eluted by 98% acetonitrile and analysed with 150 - 1,100 amu scan range at 50,000 resolving power. Method detection limit (MDL) for microcystin-LR, the most toxic isomer, was 0.1 ng/mL and others such as microcystin-YR, microcystin-RR and nodularin were 0.08, 0.03 and 0.04 ng/mL, respectively. This is the best improved sensitivities with 1mL volume in the literature. Furthermore, due to the use of ultra pressure HPLC (UPLC), the whole method run was completed in 4 min. Real sample applications for 173 sample including 55 surface water and 118 treatment plant samples for raw and treated water could be done within 16 hours. In our calculation, this methodology is roughly 80% faster than the previous manual solid-phase extraction with LC-MS/MS method.
Resistive random access memory devices have been widely studied due to their high performance characteristics, such as high scalability, fast switching, and low power consumption. However, fluctuation in operational parameters remains a critical weakness that leads to device failures. Although the random formation and rupture of conducting filaments (CFs) in an oxide matrix during resistive switching processes have been proposed as the origin of such fluctuations, direct observations of the formation and rupture of CFs at the device scale during resistive switching processes have been limited by the lack of real-time large-area imaging methods. Here, a novel imaging method is proposed for monitoring CF formation and rupture across the whole area of a memory cell during resistive switching. A hybrid structure consisting of a resistive random access memory and a light-emitting diode enables real-time monitoring of CF configuration during various resistive switching processes including forming, semi-forming, stable/unstable set/reset switching, and repetitive set switching over 50 cycles.
한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.1108-1111
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2003
We consider geometrical conditions of liquid crystals of bent-shape molecules that result in optically isotropic antiferroelectric structure that can be reversibly switched to birefringent states. An example of an ester based banana-shape substance is discussed that almost fulfills the ideal conditions and provides fast electro-optical switching with or without crossed polarizers.
OFDM/FH 시스템 등 고속 호핑을 요구하는 통신 시스템에서는 빠른 스위칭 속도와 낮은 위상잡음을 갖는 주파수 합성기가 필요하다. 본 논문에서는 기존의 PLL 주파수 합성기와 DH-PLL 주파수 합성기의 위상잡음과 스위칭 속도를 비교하고, OFDM/FH 시스템에 미치는 영향을 분석하였다. DH-PLL 주파수 합성기는 기존의 PLL 주파수 합성기에 비해 회로의 복잡도와 많은 전력 소모를 갖지만, 빠른 스위칭 속도를 갖고 있다. 일정한 루프필터 대역 하에서 위상잡음과 스위칭 속도가 반비례 관계를 갖고 있는 기존의 PLL 주파수 합성기와는 달리 DH-PLL 주파수 합성기는 매우 빠른 스위칭 속도와 낮은 위상잡음을 동시에 얻을 수 있다. 결과적으로 동일한 호핑 속도 요구를 만족해야 하는 경우 DH-PLL 주파수 합성기는 기존의 PLL 주파수 합성기보다 더 빠른 스위칭 속도와 더 적은 SNS손실을 얻을 수 있어 OFDM/FH 시스템 성능을 향상시킬 수 있다.
The conventional high frequency phase-shifted full bridge DC-DC converter has a disadavantage that a circulating current flows through transformer and switching devices during the freewheeling interval Due to this circulating current, RMS current stress, conduction losses of transformer and switching devices are increased. To alleviate this problem, this study provides a novel circulating current free type high frequency soft switching phase-shifted full bridge DC-DC converter which applies the energy recovery snubber(ERS) attached at the secondary side of transformer. The ERS adopted in this study is consisted of three fast recovery diode($Ds_1$, $Ds_2$, $Ds_3$), two resonant capacitor($Cs_1$, $Cs_2$) and a small resonant inductor [(Lr) : It can be ignored because the transformer leakage inductance(Ll) is able to use in stead of inserting the resonant inductor(Lr)]
Resistance random access memory (ReRAM) is a promising candidate for next-generation nonvolatile memory because of its advantageous qualities such as simple structure, superior scalability, fast switching speed, low-power operation, and nondestructive readout. We investigated the resistive switching behavior of tantalum oxide that has been widely used in dynamic random access memories (DRAM) in the present semiconductor industry. As a result, it possesses full compatibility with the entrenched complementary metal-oxide-semiconductor processes. According to previous studies, TiN is a good oxygen reservoir. The TiN top electrode possesses the specific properties to control and modulate oxygen ion reproductively, which results in excellent resistive switching characteristics. This study presents fully room temperature fabricated the TiN/$TaO_x$/Pt devices and their electrical properties for nonvolatile memory application. In addition, we investigated the TiN electrode dependence of the electrical properties in $TaO_x$ memory devices. The devices exhibited a low operation voltage of 0.6 V as well as good endurance up to $10^5$ cycles. Moreover, the benefits of high devise yield multilevel storage possibility make them promising in the next generation nonvolatile memory applications.
The speed variation of SRM is fulfilled throughout a transition from chopping control to single pulse operation. (i,e., low speed to high speed operation). It is unsatisfied with performance at all operational regimes. In this paper, the operational performance of SRM can be improved by using current hysteresis control method. This method maintains a generally flat current waveform. At the high speed, the current chopping capability is lost due to the development of the back-EMF. Therefore SRM operates in single pulse mode. By using zero-current switching and zero-voltage switching technique, the stress of power switches can be reduce in chopping mode. When the commutation from one phase winding to another phase winding, the current can be zero as fast as possible in this period because several times negative voltage of DC-source voltage produce in phase winding. This paper is compared to performance based on conventional C-dump converter topology and the proposed resonant C-dump converter topology. Simulation and experimental results are presented to verify the effectiveness of the proposed circuit.
The superconducting magnets have a large inductance as well as high operating current. Therefore, mega-joule scale energy can be stored in the magnet. The energy stored in the magnet is sufficient to damage the magnet when a quench occurs. Quench heater and dump resistor can be used to protect the magnet. However, using quench heater to create quench resistors through heat transfer can be slower than instantly switching resistors. Also, electrical short, overheating and breakdown can occur due to quench heater. Moreover, the number of dump resistor should be limited to avoid large terminal voltage. Therefore, in this paper, we propose a quench protection method for extracting the energy stored in a magnet by charging and discharging energy through a capacitor switching without increasing resistance. The simulation results show that the proposed system has a faster current decay within the allowable voltage level.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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