포토리지스트 마스크로 패턴된 CoTb 및 CoZrNb 자성 박막에 대한 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각이 $Cl_2/Ar$와 $C_2F_6/Ar$ 가스를 이용하여 진행되었고 식각 속도와 식각 프로파일 측면에서 조사되었다. $Cl_2$와 $C_2F_6$ 가스의 농도가 증가함에 따라서 자성 박막들의 식각 속도는 감소하였고 식각 경사는 낮아졌다. 자성 박막들의 식각 가스로서 $Cl_2/Ar$이 빠른 식각 속도와 가파른 식각 경사를 얻는데 있어서 $C_2F_6/Ar$ 보다 더 효과적이었다. Coil rf power의 증가는 플라즈마 내의 Ar 이온과 라디칼의 밀도를 증가시키고 dc bias voltage의 증가는 기판으로 스퍼터되는 Ar 이온의 에너지를 증가시키기 때문에 coil rf power와 dc bias voltage가 증가할수록 식각 속도와 식각 경사는 증가하였지만 패턴의 측면에서 재증착이 일어났다. 자성 박막들의 적층으로 형성된 magnetic tunnel junction stack에 고밀도 플라즈마 반응성 이온 식각을 적용하여, 높은 식각 경사와 재증착이 없는 깨끗한 식각 프로파일을 얻었다.
본 연구에서는 코크스공장의 Coke Oven Gas (COG) 정제 과정에서 발생되는 폐수의 특성을 규명하고 폐수를 안정적으로 처리하기 위한 최적 운전조건을 도출하였다. 코크스 제조공장에서 발생되는 폐수 중에는 미생물에 유해한 $S^{-2}$, $SCN^-$이 각각 6.8~11.2 mg/L, 190~320 mg/L로 높은 농도로 함유되어 있다. $S^{-2}$ 이온농도가 10 mg/L 이하인 경우 활성슬러지의 $SV_{30}$값이 280~340 mL로 슬러지 침강성이 양호했지만 $S^{-2}$ 이온농도가 15 mg/L 이상에서는 $SV_{30}$가 560~680 mL로 슬러지 침강성이 악화되었다. 또한 $SCN^-$ 이온의 경우는 $SCN^-$ 이온의 농도가 300 mg/L 이하인 경우 $SV_{30}$값이 245~320 mL로 슬러지 침강성이 양호했지만, $SCN^-$ 이온농도가 400 mg/L 이상에서는 $SV_{30}$ 값이 470~567 mL로 슬러지 침강성이 악화되었다. 따라서 코크스공장 가스 정제공정에서 발생되는 폐수를 효율적이고 안정적으로 처리하고 미생물활성을 양호하게 유지하기 위해서는 폐수처리설비의 유입원수 중 $S^{-2}$와 $SCN^-$ 이온농도를 각각 15 mg/L, 400 mg/L 이하로 유지해주어야 바람직하다는 것을 알 수 있었다.
LiNixMnyCo1-(x+y)O2의 자기특성을 고려한 자기장 이용 결정방향 제어 연구를 통해, LiNi0.6Mn0.2Co0.2O2 결정 내 많은 비율의 (00l) plane들이 전극집전체 표면에 수직으로 정렬된 결정배향 전극을 확보하였다. 해당 결정배향 전극은 리튬이차전지의 충방전 과정 중에 낮은 전극 polarization 특성을 나타내었으며, 일반 LiNi0.6Mn0.2Co0.2O2 전극 대비 높은 용량을 기록하였다. 결정 배향 전극은 빠른 리튬이온 전달에 적합한 구조적 특성으로 인해 리튬이차전지 성능 향상에 기여한 것으로 예상되었다. 결정배향 전극에 의한 성능 향상을 다양한 전기화학적 이론 및 분석 결과를 통해 검증, 해석하였다.
The solubility of N,N'-Bis(salicylidene) ethylenediamine (n-salen) and N,N'-bis(3,5-di-tert-butylsalicylidene) ethylenediamine (t-butyl-salen) was studied with in-situ UV-VIS spectrometer. n-Salen is 3-5 times more soluble than t-butyl-salen in liquid or supercritical $CO_2$. This behavior may be attributed to Lewis acid-base interaction between salen and $CO_2$. The chelation of salen with $Co^{++}$ ion in supercritical condition was confirmed to be fast enough above room temperature. However, the metal ion extraction capability of t-butyl salen is relatively poor because of its low solubility and ionic nature of complex.
Resins with cryptand 22 macrocyclic ligand attached to chloromethylated styrene-1,4-divinylbenzene by substitution reaction were prepared and the effect of pH, metal concentration and cross-linkage of the matrix on the adsorption for $UO_2^{2+}$, $Cd^{2+}$ and $Sm^{3+}$ was investigated. The metal ion was not adsorbed on the resins pH range below 3 but above pH 4 fast adsorption behavior was showed. The resin selectivity determined in ethanol matrix was in increasing order $UO_2^{2+}{\;}>Cd^{2+}{\;}Sm^{3+}$. In addition, these metal ion could be separated on the column packed with 1% crosslinked resin by pH 2.5 $HNO_3$ as an eluent.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제17권2호
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pp.109-112
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2016
We demonstrated an alternative electrically controlled birefringence liquid crystal (ECB-LC) system with ion beam (IB)-irradiated yttrium gallium oxide (YGaO) alignment films using a sol-gel process. The surface roughness of the films was dependent on the annealing temperature; aggregated particles on surface were observed at lower annealing temperatures, whereas a smooth surface could be obtained with higher annealing temperatures. Higher transmittance in the visible region was observed at higher annealing temperatures. The film had an amorphous crystallographic state irrespective of the annealing temperature. Furthermore, ECB-LC cell with our IB-irradiated YGaO film yielded faster response time when compared to ECB-LC cell with rubbed polyimide. Considering the fast response time and high transmittance, the IB-irradiated YGaO-base LC system is a powerful alternative application for the liquid crystal display industry.
게이트절연층을 위한 HCI 열처리법 텅그스텐 metallization 및 fumed silica epoxy를 쓴 다중층 encapsulation 기술을 감이온 전장효과 트랜지스터(ISFET) 제조에 활용하고 이의 동작특성을 조사하였다. 또 ISFET를 위한 이론적 모형을 제시하고 이 것이 실험사실과 잘 일치함을 보였다. 제조된 ISFET는 빠른 반응, 긴 수명 및 작은 이압특성을 나타내었는데, 특히 안정부는 크게 개선되었다.
The evolution of solar magnetic arcades is investigated with the use of MHD simulations imposing resistivity on sheared magnetic fields. It is found that there is a critical amount of shear, over which magnetic reconnection can take place ill an arcade-like field geometry to create a magnetic island. The process leading to reconnect ion cannot. be solely attributed to a tearing instability, but rather to a reactive evolution of the magnetic arcade under resistivity. The natures of the arcade reconnection are governed by the spatial pattern of resistivity. A fast reconnection with a small shock angle can only be achieved when the diffusion region is localized. In this case. a highly collimated reconnect ion outflow can tear the plasmoid into a pair, and most of principal features in solar eruptive processes are reproduced.
Prebreakdown current pulses arising from avalanche growth in SF6 were recorded under static uniform field at pressures up to about 400kpa. At pressures less than 100kpa the current pulses consist of the electron component observed as the fast rise of current, the negative ioncomponent which is superimposed, and the positive ion component comprising the tail of the pulse. The values of positive ion drift velocity were measured from the present pulse data. At pressures in excess of about 100 Kpa the pulse shapes becam distorted such that quantitative analysis was no longer possible, and did not indicate the action of any photosecondary process at the cathode. Breakdown appers to result from the seperate development of single avalanche.
In this paper a new high voltage dc power supply is proposed. The proposed power supply is suitable for a load having frequent short circuit. A spark down occurs frequently in a load such as ion source. To protect the ion source and power supply in case of spark down the fast switch off of the power supply is necessary. The proposed power supply scheme improves the performance, efficiency and reliability of the conventional power supply.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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