• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제13권1호
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• pp.27-31
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• 2002

6MeV 전자선의 output 인자를 결정하기 위해 간편하게 output 인자를 예측하는 수단인 1D(Dimension) 방법을 이용하였으며 그리고 1D 방법으로 결정된 output 인자를 개별적 beam cutout 하에서 직접 측정한 output 인자와 비교하여 1D 방법의 정확성을 분석하였다. 1D 방법은 정방형 field의 한 변과 항상 동일한 한 변을 갖는 사각형 field의 output 인자로서 규정되며, 임의의 사각형 field (X,Y)의 output은 1D output 인자의 곱으로 주어진다. 6MeV 전자선의 대단히 큰 정방형 field의 output은 1D 방법을 사용하면 실제보다 높은 값을 나타내지만 교정인자 CF=C.[(X-10)(Y-10)/$\mid$(X-10)(Y-10)$\mid^{1/2}]$를 적용하면 개별적 cutout하에 직접 측정된 output 인자와 잘 일치하였으며 그 오차 범위는 1% 이내였다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제28권1호
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• pp.19-24
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• 2003

해석적인 방법과 MCNP 로드를 사용하여 $^{198}Au$ 선원시료에 대한 자체감쇠인자와 검출기의 원반형 Al 덮개에 대한 0.412 MeV 감마선의 투과율을 구하였다. 그 결과, 비교적 반경이 큰 Au 시료를 제외하고 모든 경우에서 해석적인 해가 MCNP 코드의 결과와 잘 일치하는 것으로 나타났다. 이때 두 방법의 최대 편차는 약 9 %로서 Au 시료의 반경이 1.5 mm인 경우에 나타났다. 검출기 Al 덮개의 직경이 7.62 cm인 경우에 대한 0.412 MeV 감마선의 투과율에 대한 해석적인 해는 HCNP 코드의 결과와 표준편차의 범위내에서 잘 일치하는 것으로 나타났다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권9호
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• pp.1717-1723
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• 2007

본 연구에서는 PLZT(10/30/70), PLT(10), PZT(30/70) 강유전체 박막을 이용한 quasi-MFISFET (Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor FET) 소자를 제작하여 드레인 전류 특성을 조사하였다. 이로부터, quasi-MHSFET 소자의 드레인 전류 크기가 강유전체 박막의 분극 크기에 따라 직접적인 영향을 받으며 결정된다는 사실을 알 수 있었다. 또, ${\pm}5V$ 와 ${\pm}10V$의 게이트 전압변화를 주었을 때 메모리 윈도우는 각각 0.5V 와 1.3V 이었고, 강유전체 박막에 인가되는 전압에 의해 만들어지는 항전압의 변동에 따라 메모리 윈도우가 변화된다는 사실을 확인할 수 있었다. MFISFET 소자의 retention 특성을 알아보기 위 해 PLZT(10/30/70) 박막의 전기장과 시간지연에 따른 누설전류 특성을 측정하여 전류밀도 상수 $J_{ETO}$, 전기장 의존 요소 K, 시간 의존 요소 m을 구하고, 이들 파라미터를 이용하여 시간에 따른 전하밀도의 변화를 정량적으로 분석하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제7권1호
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• pp.51-55
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• 2007

This paper investigates the subthreshold behavior of Fin Field Effect Transistor (FinFET). The FinFET is considered to be an alternate MOSFET structure for the deep sub-micron regime, having excellent device characteristics. As the channel length decreases, the study of subthreshold behavior of the device becomes critically important for successful design and implementation of digital circuits. An accurate analysis of subthreshold behavior of FinFET was done by simulating the device in a 3D process and device simulator, Taurus. The subthreshold behavior of FinFET, was measured using a parameter called S-factor which was obtained from the $In(I_{DS})\;-\;V_{GS}$ characteristics. The value of S-factor of devices of various fin dimensions with channel length $L_g$ in the range of 20 nm - 50 nm and with the fin width $T_{fin}$ in the range of 10 nm - 40 nm was calculated. It was observed that for devices with longer channel lengths, the value of S-factor was close to the ideal value of 60 m V/dec. The S-factor increases exponentially for channel lengths, $L_g\;<\;1.5\;T_{fin}$. Further, for a constant $L_g$, the S factor was observed to increase with $T_{fin}$. An empirical relationship between S, $L_g$ and $T_{fin}$ was developed based on the simulation results, which could be used as a rule of thumb for determining the S-factor of devices.

• 전기학회논문지
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• 제61권5호
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• pp.711-716
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• 2012

To assess the insulation deterioration of stator windings, diagnostic and AC breakdown tests were performed on the eleven high voltage (HV) motors rated at 6kV. After completing the diagnostic tests, the AC overvoltage test was performed by gradually increasing the voltage applied to the stator windings until electrical insulation failure occurred, to obtain the breakdown voltage. Stator winding of motors 1, 3, and 8 failed at above rated voltage at 14 kV, 13.8kV, and 16.4kV, respectively. The breakdown voltage of three motors was higher than expected for good quality windings in 6kV motors. Based on deterioration evaluation criteria, the stator winding insulation of eleven HV motors are confirmed to be in good condition. The turning point of the current, $P_{i2}$, in the AC current vs. voltage characteristics occurred between 5kV and 6kV, and the breakdown voltage was low between 13.8kV and 16.4kV. There was a strong correlation between the breakdown voltage and various electrical characteristics in diagnostic tests including Pi2.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.965-969
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• 2018

염료감응형 태양전지에서 반도체 산화물은 전자의 생성과 이동에 중요한 역할을 하므로 이에 관한 광범위한 연구가 지속적으로 수행되고 있다. 본 연구에서는 $V_2O_5$를 첨가시킨 반도체 산화물을 제작하여 염료 감응 태양 전지의 특성을 연구하였다. $V_2O_5$가 첨가된 $TiO_2$ 페이스트는 졸 겔 공정의 스크린 인쇄 법으로 제조하였고, 이에 따른 표면특성 및 전기적 특성을 측정하였다. $V_2O_5$가 첨가됨에 따라 결정립 크기가 증가하였고 염료감응태양전지의 개방 회로 전압, 단락 전류, 충전 계수 및 변환 효율 특성이 개선됨을 확인할 수 있었다.

• 대한화학회지
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• 제43권4호
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• pp.407-411
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• 1999

본 연구에서는 유리질 탄소전극과 백금 전극의 표면에 폴리피롤 막을 도포 시킨 PPy/GC 및 PPy/Pt 변성전극을 제조하고, 이들 변성 전극들을 작업전극으로 구성한 3-전극 장치를 이용하여 Cr(VI)의 정량분석을 시도하였다. 변성전극들은 +1.0V∼-1.0V를 50 mV/sec로 전위를 걸어주어 순환 전압 전류법으로 쉽게 제조할 수 있었으며, 26회 반복 주사함으로써 연구에 필요한 막의 두께를 조절하였다. PPy/GC 변성전극에서 Cr(VI)의 환원 반응은 +0.6V∼-0.5V(vs. Ag/AgCl)까지 넓은 범위에서 환원되는 경향을 보였으며,-0.25V(vs.Ag/AgCl)의 전위에서 최대 환원 봉우리를 가짐을 알 수 있었다. 이 전위에서 검량곡선을 조사한 결과, 0.1 ppm에서 60.0 ppm의 농도범위에서 기울기가 1.75 mA/ppm이고, 상관계수가 0.998인 좋은 직선관계를 가졌다. PPy/Pt 변성전극에서도 Cr(VI)의 환원 거동은 PPy/GC 변성전극과 유사하였으며, 검량곡선은 1.0 ppm∼60.0ppm의 농도범위에서 직선관계를 가졌다. 이때의 기울기와 상관계수는 각각 0.5 mA/ppm 및 0.923이었다. 그러나 선택성은 PPy/GC 변성전극이 약 3 배정도 우수하였다. PPy/GC 변성전극에서 Cu(II), As(III), pb(II) 및 Cd(II)등은 환원 경향을 보이지 않았으므로, Cr(VI)의 정량분석에는 방해하지 않았다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권7호
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• pp.662-666
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• 2006

Microstructure and electrical properties of ZnO varistors as a function of sintering temperature and times were investigated. Sintering temperature and times greatly affected electrical properties and Bi-rich liquid phase of the microstructure. The varistor which were sintered at $1125^{\circ}C\sim1150^{\circ}C$, for 2 hr exhibited the varistor voltage$(V_c)$, nonlinear coefficient $(V_{10mA}/V_{1mA})$, leakage current$(I_L)$ dielectric constant and dissipation factor as $225\sim250V/mm,\;0.89\sim0.92,\;0.8\sim1.1{\mu}A,\;720\sim740\;and\;1.8\sim2.0%$, respectively.

• 한국재료학회지
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• 제26권10호
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• pp.556-560
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• 2016

Using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements, the electrical properties of Au and Cu Schottky contacts to n-Ge were comparatively investigated. Lower values of barrier height, ideality factor and series resistance were obtained for the Au contact as compared to the Cu contact. The values of capacitance showed strong dependence on the bias voltage and the frequency. The presence of an inversion layer at the interface might reduce the intercept voltage at the voltage axis, lowering the barrier height for C-V measurements, especially at lower frequencies. In addition, a higher interface state density was observed for the Au contact. The generation of sputter deposition-induced defects might occur more severely for the Au contact; these defects affected both the I-V and C-V characteristics.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.938-940
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• 1999

We have fabricated SiC Schottky diode for high temperature applications. SiC thin film for drift region has been deposited by ICP-CVD. In order to establish metallization conditions, we have extracted the device parameters of the Schottky diode from the forward I-V characteristics and the C-V characteristics as a function of temperature. The ideality factor was varied from 2.07 to 1.15 and the barrier height was also varied from 1.26eV to 1.92eV with increase of temperature. The reverse blocking voltage was 183 V.