• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제22권4호
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• pp.26-31
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• 2023

We investigated the impact of NF₃ / H₂O remote plasma dry cleaning conditions on the SiO₂ etching rate at different preparation states during the fabrication of ultra-large-scale integration (ULSI) devices. This included consideration of factors like Si crystal orientation prior to oxidation and three-dimensional structures. The dry cleaning process were carried out varying the parameters of pressure, NF₃ flow rate, and H₂O flow rate. We found that the pressure had an effective role in controlling anisotropic etching when a thin SiO₂ layer was situated between Si₃N₄ and Si layers in a multilayer trench structure. Based on these observations, we would like to provide further guidelines for implementing the dry cleaning process in the fabrication of semiconductor devices having 3D structures.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2007년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.185-186
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• 2007

• 대한기계학회논문집A
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• 제34권11호
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• pp.1637-1642
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• 2010

본 연구는 초슬림의 광학 시스템에 적용 가능한 서브 미크론의 패턴으로 구성된 고효율 회절 렌즈의 금형을 가공하는 방법에 관한 것이다. 서브미크론의 패턴으로 구성된 고효율 회절 렌즈를 가공하기 위해 분해능이 뛰어난 전자빔 노광장치와 고속 원자 빔 플라즈마 에칭 공정을 바탕으로 다중 정렬방식을 이용하였다. 다중 정렬 방식을 이용하여 고효율 회절 렌즈를 가공 하기 위해서는 정렬 오차, 노광 오차 그리고 에칭 오차를 최소화 해야만 한다. 본 연구에서는 이 주요한 세 가지 가공 오차를 최소화 하였으며, 이를 바탕으로 지름 $267\;{\mu}m$ (NA=0.25), 최소 선 폭 226 nm, 렌즈 두께 819 nm 를 가지는 고효율 회절 렌즈 가공을 실현 하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2010년도 임시총회 및 하계학술연구발표회
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• pp.70-71
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• 2010

In this study, We fabricated FePt-based perpendicular patterned media using a selective combination of E-beam lithography and either Ar plasma etching (deposition-first process) or FePt lift-off (deposition-last process). We employed the deposition-last process to avoid chemical and structural disordering by impinging Ar ions (deposition-first process). For a patterned medium with 100 nm patterns made by this process, the out-of-plane coercivity was measured to be 5 fold larger than its in-plane value. The deposition-last process may be a promising way to achieve ultra-high density patterned media.