This paper presents the physiological signal processing CMOS one chip for transmitting human bodys small electrical signals such as electrocardiogram(EKG) or electromyogram(EMG) and the external system for receiving signals was implemented by the commercial ICs. For simultaneous four-subject four-channel telemetry, a new enfored synchronization techniqeu using infrared bi-directional communication has been proposed. The telemeter IC with the size of 5.1*5.1mm$^{2}$ has the following functions: receiving of command signal, initialization of internal state of all functional blocks, decoding of subject-selection signal, time multiplexing of 4-channel modulated physiological signals, transmitting of telemetry signal to external system and auto power down control. The newly designed synchronized oscillator with low supply voltage dependence in the telemeter IC operates at a supply voltage from 4.6~6.0V and the nonlinearity error of PIM modulator was less than 1.2%F.S(full scale). The power saving block operates at the period of 2.5ms even if the telemetry IC does not receive command signal from external system for a constant time.
To detect external vibration signals on the latticed fence structure, distributed fiber optic sensor using Sagnac interferometer was fabricated and tested. The latticed structure fabricated with dimension of 170cm in width and 180cm in height, the optical fiber, 50m in lengtn, distributed and fixed on the latticed structure. It was verified the sensitivity of the Sagnac interferometer using the PZT phase modulator. Fiber-optic external vibration signal applied to the latticed structure from 100㎐ to several ㎑. (omitted)
Frequency-multiplication technology based on microwave photonic principles can be used to generate microwave and millimeter wave signals with a wide frequency tuning range. However, the existing cascaded external modulation frequency-tupling scheme needs to ensure the phase coherence of the modulated Radio Frequency (RF) signal, while the phase modulation directly limits the frequency tuning range of the external modulation frequency multiplication. In this paper, a novel approach for generating an incoherent frequency 12-tupling signal with cascade modulation is proposed. The structure of cascaded dual-parallel Mach-Zehnder modulators can generate a frequency 12-tupling signal. The proposed structure uses no filter or phase control of the RF driving signal. Microwave photonic frequency-tupling was realized under incoherent conditions. Software simulations and experiments validated the proposed structure and proved that it can generate frequency 12-tupling microwave signals under incoherent conditions. Both the frequency range and reliability of the frequency-tupling system has been improved by the proposed structure.
광선로에 존재하는 분산의 영향은 외부 변조기에서 일어나는 Chirp현상과 비선형 현상인 SPM에 따라서 달라지게 된다. SPM의 영향은 신호 파워에 따라 달라지게 되고, 외부 변조하에서의 Chirp은 외부 변조기의 변조 조건에 따라 달라진다. 따라서 광통신 시스템에서는 분산과 SPM, 그리고 처핑 현상을 적절히 이용하여 수신 감도 저하를 최소화할 수 있게 된다. 주어진 광통신 시스템의 광신호 세기 분포 하에서 SPM과 외부 변조기 Chirp을 고려하여 신호 펄스폭의 변화를 Split Step Fourier 방법을 이용하여 수치해석하였으며, 400 km 전송을 목표로 한 경우 수신 감도 저하를 최소화하는 최저의 Chirp인자 값을 얻을 수 있었다. 또한 실제 전송 실험을 통하여 계산 결과와 비교하였다.
PXLM(Phosphor based x-ray light modulator) has a combined structure by phosphor, photoconductor, and liquid crystal and it can realize x-ray image of high resolution in clinical diagnosis area. In this study, we fabricated a photoconductor and investigated electrical and optical properties to confirm application possibility of radiator detector of PXLM structure. As photoconductor, amorphous selenium(a-Se), which is used most in DR(Digital radiography) of direct conversion method, was used and for formation of thin film, it was formed as $20{\mu}m-thick$ by using thermal vacuum evaporation system. For a produced a-Se film, through XRD(X-ray diffraction) and SEM(Scanning electron microscope), we investigated that amorphous structure was uniformly established and through optical measurement, for visible light of 40 $0\sim630nm$, it had absorption efficiency of 95 % and more. After fabricated a-Se film on the top of ITP substrate, hybrid structure was manufactured through forming $Gd_2O_3:Eu$ phosphor of $270{\mu}m-thick$ on the bottom of the substrate. As the result to confirm electrical property of the manufactured hybrid structure, in the case of appling $10V/{\mu}m$, leakage current of $2.5nA/cm^2$ and x-ray sensitivity of $7.31nC/cm^2/mR$ were investigated. Finally, we manufactured PXLM structure combined with hybrid structure and liquid crystal cell of TN(Twisted nematic) mode and then, investigated T-V(Transmission vs. voltage) curve of external light source for induced x-ray energy. PXLM structure showed a similar optical response with T-V curve that common TN mode liquid crystal cell showed according to electric field increase and in appling $50\sim100V$, it showed linear transmission efficiency of $12\sim18%$. This result suggested an application possibility of PXLM structure as radiation detector.
A lot of studies are undergoing on the magneto-optical (MO) properties of patterned magnetic systems for the reason that they have potential application to information technology such as ultrahigh-speed computing. Moreover, they can be considered as the future candidates for high-density MO storage devices. Not only the technical aspects, but there have been also tremendous interests in studying their properties related to the fundamental physics. The MO Kerr-rotation effects (both in reflected and the diffracted modes) and the magnetic force microscopy (MFM) are very useful techniques to investigate the micromagnetic properties of such periodic structures. Hence, in this study, we report on the MO properties of bilayered Cobalt (Co)/ nickel (Ni) micro-patterned anti-dot arrays. Such a ferromagnetic structure was made by sequentially depositing co (40 nm)/Ni (5 nm) bilayer on a Si substrate. The anti-dot patterning with hole diameter of $1{\mu}m$ was done only on the upper Co layer using photolithography technique, while the Ni underlayer was kept uniform. The longitudinal Kerr rotation (LKR) of the zeroth- and the first-order diffracted beams were measured at an incidence of $30^{\circ}$ by using a photoelastic modulator method. The external magnetic field was applied perpendicularly to the reflected and the diffracted beams using an electromagnet capable of a maximum field of ${\pm}5$ kOe. Significantly, it was observed that the LKR of the first-order diffracted beam is nearly 4 times larger than that of the zeroth-order beam. The simulated results for the hysteresis loops matched qualitatively well with the experimentally obtained ones. In conjunction with the LKR, we also investigated the magnetic-domain structure by using a MFM system, which were analyzed to elucidate the origin of the enhanced MO rotation.
본 논문에서는 self-seeding FP-LD (Fabry Perot Laser Diode)를 이용하여 WDM-PON (Wavelength Division Multiplexing - Passive Optical Network)에서 사용될 수 있는 새로운 파장 가변 광원의 가능성을 검증한다. 파장 가변 광원을 이용한 WDM-PON의 기존 구현은 AWG (Arrayed Waveguide Grating) 소자의 중심 파장과 광원의 중심 파장을 세밀히 정렬해 주어야 하는 단점이 발생한다. 그러나, 본 논문에서 제안하는 파장 가변 광원은 매우 간단한 구조로 구성되며, 가변 파장이 AWG의 중심 파장에 자동 정렬되는 장점을 갖는다. 구현된 파장 가변 광원은 약 14 nm 정도 이상의 파장 가변 대역을 보였고, 상대적 세기 잡음, RIN (Relative Intensity Noise)은 최대 약 -124dB/Hz로 나타났으며, 외부 변조기를 통해 변조한 결과 10Gb/s 신호에 대한 변조 가능성을 확인 할 수 있었다.
Chattopadhyay, S.N.;Overton, C.B.;Vetter, S.;Azadeh, M.;Olson, B.H.;Naga, N. El
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제10권3호
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pp.213-224
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2010
An optically controlled silicon MESFET (OPFET) was fabricated by diffusion process to enhance the quantum efficiency, which is the most important optoelectronic device performance usually affected by ion implantation process due to large number of process induced defects. The desired impurity distribution profile and the junction depth were obtained solely with diffusion, and etching processes monitored by atomic force microscope, spreading resistance profiling and C-V measurements. With this approach fabrication induced defects are reduced, leading to significantly improved performance. The fabricated OPFET devices showed proper I-V characteristics with desired pinch-off voltage and threshold voltage for normally-on devices. The peak photoresponsivity was obtained at 620 nm wavelength and the extracted external quantum efficiency from the photoresponse plot was found to be approximately 87.9%. This result is evidence of enhancement of device quantum efficiency fabricated by the diffusion process. It also supports the fact that the diffusion process is an extremely suitable process for fabrication of high performance optoelectronic devices. The maximum gain of OPFET at optical modulated signal was obtained at the frequency of 1 MHz with rise time and fall time approximately of 480 nS. The extracted transconductance shows the possible potential of device speed performance improvements for shorter gate length. The results support the use of a diffusion process for fabrication of high performance optoelectronic devices.
본 연구에서는 다채널 결맞음 빔결합 시스템에서 공분산 행렬 적응 진화 전략(covariance-matrix-adaptation-evolution-strategy, CMA-ES) 알고리즘의 구현 가능성을 실험적으로 확인하였다. 파장이 635 nm인 결맞음 광원과 함께 공간 광 변조기를 다채널 위상 변조기 배열로 활용하는 다채널 결맞음 빔결합 시스템을 구성하고, 확률적 병렬 경사 하강(stochastic parallel gradient descent, SPGD) 및 CMA-ES 알고리즘을 결맞음 빔결합 시스템에 적용하여 획득한 두 알고리즘의 동작 특성을 비교하였다. 사각 구조인 16채널 및 벌집 구조인 19채널 결맞음 빔결합 시스템에서 두 알고리즘의 동작 특성을 평가한 결과 두 알고리즘의 동작 특성은 주어진 조건에서 평균적으로 유사하였으나, CMA-ES 알고리즘이 SPGD 알고리즘에 비해 초기 위상값 설정에 따른 동작 특성 변동이 상대적으로 작아 보다 안정적으로 동작할 수 있음을 확인하였다. 본 연구는 저자가 아는 범위 내에서 CMA-ES 위상제어 알고리즘을 다채널 결맞음 빔결합 시스템에 적용한 최초의 원리증명 시연이며, 향후 CMA-ES 위상제어 알고리즘에 기반한 다채널 결맞음 시스템에서 채널 수 증가 혹은 외부 위상잡음 효과 등을 실험적으로 연구할 때 유용하게 활용될 수 있을 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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