• 아동학회지
• /
• 제22권3호
• /
• pp.195-209
• /
• 2001

The purpose of this study was to identify differences by gender and experimental treatment in the effectiveness of an anti handicap-bias program using a persona doll. The subjects were 60 kindergarten children of middle socio-economic status in Kyunghi Province, S. Korea. Treatment effects showed that the handicap-acceptance attitude scores of the experimental group were higher than those in the control group, and there were no significant differences in handicap-acceptance attitudes between boys and girls. Young children perceived the persona doll as a soul and a playmate and showed close attachment to it. They recognized the story of the persona doll as fact rather than fiction.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2007년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.136-137
• /
• 2007

Wear resistant TiAlN thin film has been widely deposited on the surface of cutting and forming tools by using Arc Ion Plating. TiAlN films are deposited by the processes designed by the Taguchi L18 experimental design. The L18 experimental design is applied to achieve surface properties and adhesion. The deposition parameters are working pressure, substrate temperature, bias voltage, arc power and pre-sputtering bias voltage and time. The most influential parameters on surface properties and adhesion are substrate bias voltage, working nitrogen pressure and arc power. The optimal coating processes are obtained for surface properties and adhesion.

• 한국생산제조학회지
• /
• 제9권6호
• /
• pp.49-56
• /
• 2000

Due to the rapid increase of long-distance transportation, particular attentions have been paid to truck tires, especially to their dynamic characteristics. In this research, experimental modal analysis on two kinds of light-duty truck tires, i.e., radial tire and bias tire, are performed by using GRFP(global rational fraction polynomial) method to investigate differences of the dynamic behavior of the two tires. The test results have shown that the modal frequencies of bias tire are much higher than the corresponding values of radial tire with a similar mode shape, which is in accordance with the fact that the radial rigidity of bias tire is higher than that of radial tire. And most of the modal decay rates of bias tire are larger than those of radial tire within the scope of this experiment. In the frequency domain range of test, the bias tire has extra modes, which do not occur in the radial tire. This difference is based on the fact that the circumferential rigidity of the bias tire is quire low whereas that of radial tire is so high that the frequencies of the corresponding modes are out of the frequency range of test.

• 한국언론정보학보
• /
• 제48권
• /
• pp.191-210
• /
• 2009

본 연구에서는 뉴스 메시지의 프레임과 개인의 관여도가 과학기술 관련 위험인식에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 이를 위해 위험에 대한 낙관적 편견과 제3자 효과 이론을 이론적 근거로 하여 가설을 제시하고 실험을 통해 검증하고자 하였다. 실험에서는 피험자를 방사선 조사식품에 대한 고관여자와 저관여자 집단으로 구분하고 뉴스 메시지의 프레임에 따라 이들이 자신과 다른 사람들에 대한 위험인식 과정에서 어떠한 특징을 보이는가를 조사하였다. 연구결과, 부정프레임 기사를 접한 저관여자를 제외하면 실험조건 별 사회수준 위험인식은 상대적으로 유사한 것으로 나타났다. 반면 개인수준의 위험인식은 기사 프레임과 관여도에 따라 다르게 형성되었다. 본 연구에서는 이러한 두 수준의 위험인식을 실험조건 별로 비교하여 낙관적 편견이 나타나는 과정에 대한 이해를 시도하였다.

• 한국심리학회지:법
• /
• 제11권1호
• /
• pp.63-87
• /
• 2020

판단과 의사결정 연구에서 사람들이 판단 대상과 무관한 정보에 의해 영향을 받아, 예측 가능한 방향으로 편향이 일어날 수 있다. 이런 편향은 법적 판단에서도 나타난다는 연구도 많다. 그 중 하나는 피고인의 성격증거에 의해 유도된 편향이다. 본 연구에서는 성격증거로 편향을 유도한 다음, 판단자의 사고를 촉진하는 활동을 통해 편향을 감소시키는 방안을 모색하였다. 실험 1에서는 대학생 121명을 대상으로 하여 토론, 반사실적 사고와 토론, 그리고 반사실적 사고와 동료평가를 한 경우로 나누어 어떤 방법이 피고인의 성격증거로 유도된 편향을 줄이는데 효과가 있는지를 알아보았다. 연구결과 탈편향 활동을 한 집단은 통제 집단보다 유의미하게 편향이 줄어들었지만, 세 가지 다른 탈편향 활동을 한 집단들 간에는 감소량에서 차이가 없었다. 동일한 설계와 절차로 일반인 125명을 대상으로 실시한 실험 2에서는, 대학생 집단과는 달리, 반사실적사고와 토론을 병행한 집단에서만 유의미하게 편향이 줄어들었다. 종합 논의에서는 대학생과 일반인 간에 왜 이런 차이가 나타났는지에 대한 탐색과 연구의 한계점, 그리고 향후 연구방향에 대해 다루었다. 본 연구는 탈편향 전략이 피고인의 성격증거로 인해 발생할 수 있는 오판을 축소시킬 수 있음을 확인하였다는 점에서 의의가 있다.

• 응용통계연구
• /
• 제28권6호
• /
• pp.1227-1234
• /
• 2015

전통적으로 최적실험을 위한 실험기준들은 기본적으로 가정된 모형에 의존한다. 따라서 모형에 대한 완벽한 정보를 가지지 않는 경우 실험자는 곤란에 빠질 수 밖애 없다. Box와 Draper (1959) 이런 상황에 대비해 적분된 평균제곱오차의 편의부분에 해당하는 적분된 편의를 최소화하는 실험기준을 제안하고 필요충분조건을 명시하였다. 그러나 간단한 예제를 제외하고는 문헌에서는 이러한 필요충분조건을 만족하는 실험에 대한 구채적인 예제는 계산상의 문제로 예상외로 많이 연구가 되어 있지 않다. 비록 수치적인 해이긴 하지만 다항회귀모형을 중심으로 최소편의를 만족하는 실험의 성격을 파악하였는데 결론적으로 양극단에서 안쪽 방향으로 이탈되는 위치에서 받힘점이 형성되는 것을 알 수 있었다.

• Current Optics and Photonics
• /
• 제4권4호
• /
• pp.273-276
• /
• 2020

We report on the relationship between output current for quadrant photodetector (QPD) and bias voltage in silicon-based p-i-n (positive-intrinsic-negative) QPD examined using millisecond pulse laser (ms pulse laser) irradiation. The mechanism governing the relationship was further studied experimentally. The output current curves were obtained by carrying out QPD under different bias voltages (0-40 V) irradiated by ms pulse laser. Compared to other photodetectors, the relaxation was created in the output current for QPD which is never present in other photodetectors, such as PIN and avalanche photodetector (APD), and the maximum value of relaxation was from 6.8 to 38.0 ㎂, the amplitude of relaxation increases with bias value. The mechanism behind this relaxation phenomenon can be ascribed to the bias voltage induced Joule heating effect. With bias voltage increasing, the temperature in a QPD device will increase accordingly, which makes carriers in a QPD move more dramatically, and thus leads to the formation of such relaxation.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
• /
• 제10권1호
• /
• pp.176-187
• /
• 2015

DC bias will cause abnormal vibration of transformers. Aiming at such a problem, transformer vibration affected by DC bias has been studied combined with transformer core and winding vibration mechanism use multi-physical field simulation software COMSOL in this paper. Furthermore the coupling model of electromagnetic-structural force field has been established, and the variation pattern of inner flux density, distribution of mechanical stress, tension and displacement were analyzed based on the coupling model. Finally, an experiment platform has been built up which was employed to verify the correctness of model.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.1502-1504
• /
• 1996

The effects of electrical stress in hydrogen passivated and as-fabricated poly-Si TFT's are investigated. It is observed that the charge trapping in the gate dielectric is the dominant degradation mechanism in poly-Si TFT's which has been stressed by the gate bias alone while the creation of defects in the poly-Si film is prevalent in gate and drain bias stressed devices. The degradation due to the gate bias stress is dramatically reduced with hydrogenation time while the degradation due to the gate and drain bias stress is increased a little. From the experimental results, it is considered that hydrogenation suppress the charge trapping at gate dielectrics as well as improve the characteristics of poly-Si TFT's.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제17권2호
• /
• pp.239-244
• /
• 2017

We experimentally investigate the physical mechanism for asymmetrical degradation in amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) under simultaneous gate and drain bias stresses. The transfer curves exhibit an asymmetrical negative shift after the application of gate-to-source ($V_{GS}$) and drain-to-source ($V_{DS}$) bias stresses of ($V_{GS}=24V$, $V_{DS}=15.9V$) and ($V_{GS}=22V$, $V_{DS}=20V$), but the asymmetrical degradation is more significant after the bias stress ($V_{GS}$, $V_{DS}$) of (22 V, 20 V) nevertheless the vertical electric field at the source is higher under the bias stress ($V_{GS}$, $V_{DS}$) of (24 V, 15.9 V) than (22 V, 20 V). By using the modified external load resistance method, we extract the source contact resistance ($R_S$) and the voltage drop at $R_S$ ($V_{S,\;drop}$) in the fabricated a-IGZO TFT under both bias stresses. A significantly higher RS and $V_{S,\;drop}$ are extracted under the bias stress ($V_{GS}$, $V_{DS}$) of (22 V, 20V) than (24 V, 15.9 V), which implies that the high horizontal electric field across the source contact due to the large voltage drop at the reverse biased Schottky junction is the dominant physical mechanism causing the asymmetrical degradation of a-IGZO TFTs under simultaneous gate and drain bias stresses.