• 제목/요약/키워드: Equivalent Dielectric Constant

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손실있는 실리콘 반도체위에 제작된 전송선로의 유한차분법을 이용한 해석 (Analysis of a transmission line on Si-based lossy structure using Finite-Difference Time-Domain(FDTD) method)

  • 김윤석
    • 한국통신학회논문지
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    • 제25권9B호
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    • pp.1527-1533
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    • 2000
  • MIS(도체-부도체-반도체) 구조로된 전송선로를 해석하기 위하여 기본적으로 특성임피던스와 전파상수의 추출에 기초한 일반적인 특성화 절차가 사용된다. 본논문에서는 Si와 Si02층 사이에 0전위를 가진 도체를 일정한 간격의 주기적인 배열로 고안된 새로운 모델의 MIS구조에 대한 유한차분법을 이용한 해석방법을 제안한다. 특히 전송선로에 대한 유전체의 영향을 줄이기 위하여 0전위를 가진 주기적인 결합의 도체로 이루어진 구조가 시간영역의 신호를 통해 시험된다. Quality factor 뿐만아니라 주파수 의존적인 추출된 전송선로 파라미터와 등가회로 파라미터가 주파수 및 0전위 도체 간격의 함수로서 나타내진다. 특히 전송선로의 Quality factor가 특성임피던스 및 유효유전 상수의 큰 변화없이 개선될수 있음을 볼 수 있다.

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MOS 소자를 위한 $HfO_3$게이트 절연체와 $WSi_2$게이트의 집적화 연구 (Investigation of $WSi_2$ Gate for the Integration With $HfO_3$gate oxide for MOS Devices)

  • 노관종;양성우;강혁수;노용한
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.832-835
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    • 2001
  • We report the structural and electrical properties of hafnium oxide (HfO$_2$) films with tungsten silicide (WSi$_2$) metal gate. In this study, HfO$_2$thin films were fabricated by oxidation of sputtered Hf metal films on Si, and WSi$_2$was deposited directly on HfO$_2$by LPCVD. The hysteresis windows in C-V curves of the WSi$_2$HfO$_2$/Si MOS capacitors were negligible (<20 mV), and had no dependence on frequency from 10 kHz to 1 MHz and bias ramp rate from 10 mV to 1 V. In addition, leakage current was very low in the range of 10$^{-9}$ ~10$^{-10}$ A to ~ 1 V, which was due to the formation of interfacial hafnium silicate layer between HfO$_2$and Si. After PMA (post metallization annealing) of the WSi$_2$/HfO$_2$/Si MOS capacitors at 500 $^{\circ}C$ EOT (equivalent oxide thickness) was reduced from 26 to 22 $\AA$ and the leakage current was reduced by approximately one order as compared to that measured before annealing. These results indicate that the effect of fluorine diffusion is negligible and annealing minimizes the etching damage.

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아임계수 추출 기술을 이용한 당귀 추출물의 유효성분 및 산화방지 평가 (Antioxidant activities of phenolic compounds from Angelica gigas Nakai extract using subcritical water)

  • 고민정;이정현;남화현;정명수
    • 한국식품과학회지
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    • 제49권1호
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    • pp.44-49
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    • 2017
  • 아임계수 추출 기술을 이용하여 참당귀로부터 데쿠신, 노다케닌을 추출하고 HPLC, HPLC-ESI/MS를 이용하여 추출조건에 따른 유효성분을 정성 및 정량적으로 비교 분석하였다. 추출결과, 데쿠신과 노다케닌의 추출함량은 아임계수 추출법과 비교하여 열수 추출 방법을 이용하는 것이 약간 많거나 유사하였지만, 추출 시간은 아임계수 추출법이 5-10분 이내로 매우 빠르게 추출할 수 있는 장점이 있다. 그리고 총 페놀함량, 총 플라보노이드 함량은 아임계수 추출법이 우수하게 많이 추출됨을 확인 할 수 있었고, DPPH, ABTS 라디칼 소거능을 이용한 산화방지 효과도 아임계수 추출법이 우수하였다. 특히, 아임계수 추출 조건인 추출 온도와 추출 시간이 증가할수록 총 페놀함량 및 총 플라보노이드 함량, 그리고 산화방지 효과 또한 점차적으로 증가하는 경향을 나타내었고 높은 상관관계를 보였다. 이는 오직 물만을 사용하여 유효성분을 추출하는 친환경적이며 안전하고 독성이 없는 아임계수 추출의 잠재성과 우수성을 확인한 결과이며, 다양한 한약재뿐만 아니라 다른 식품 추출 산업에 응용하여 사용될 수 있을 것이다.

1,3 Propanediol을 이용해 제작된 PZT(30/70) 후막의 초전특성에 관한 연구 (A Study on the Pyroelectric Properties of PZT(30/70) Thick film Prepared by Using 1,3 Propanediol)

  • 송금석;장동훈;정양희;윤영섭
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권6호
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    • pp.9-15
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    • 2004
  • 1,3 propanediol 을 이용한 sol-gel 방법으로 PZT(30/70) 후막을 제작하였다. 제작된 film 의 초전특성은 dynamic 방법을 이용하여 변조 주파수 의존성을 조사하였다. 초전계수 (pyroelectric coefficient) 는 약 $5.0{\times}10^{-8}\;C/cm^2{\cdot}K$를 나타내었다. 전압감도와 비검출능에 대한 재료평가지수는 비교적 높은 유전률과 높은 초전계수로 인해 각각 $3.4{\times}10^{-11}\;C{\cdot}cm/J$$5.9{\times}10^{-9}\;C{\cdot}cm/J$을 나타내었다. 전압감도는 저주파 영역에서 증가하다가 고주파 영역에서는 주파수에 반비례하는 경향을 보이며, 10Hz에서 최대값 1.84 V/W를 나타내었다. 잡음전압은 Johnson 잡음의 영향으로 거의 $f^{-1/2}$ 에 비례하여 증가하였다 잡음등가전력과 비검출능은 같은 주파수 80Hz 에서 각자 $2.83{\times}10^{-7}\;W/Hz^{1/2}$3.13{\times}10^5\;cm{\cdot}Hz^{1/2}/W$를 나타내었다.