A conventional power supply to drive a microwave oven has ferro-resonant transformer and high voltage Capacitor(HVC). Though it is simple, transformer is bulky, heavy and has low-efficiency. To improve this defect a high frequency inverter type power supply has been investigated and developed in recent years. But, because of additional control circuit and switching device, inverter-type power supply is more expensive than conventional one. In this study, A new pulse power supply for Microwave Oven using novel HVC embedded high frequency transformer is proposed for down-sizing, cost reduction, and efficiency emprovement of Inverter type power supply. Also, equivalent circuit model is derived by impedance measurements. And the operation of proposed pulse power supply is verified by simulations and experimental results.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.5
no.1
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pp.19-23
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2004
A novel method of high speed, accurate circuit simulation in 3-dimensional (3-D) parallel-plate capacitors is investigated. The basic concept of the circuit simulation methods is partial element equivalent circuit model. The three test structures of 3-D parallel-plate capacitors are fabricated by using multi-layer low-temperature co-fired ceramic (LTCC) process and their S-parameters are measured between 50 MHz and 5 GHz. S-parameters are converted to Y-parameters, for comparing measured data with simulated data. The circuit model parameters of the each building block are optimized and extracted using HSPICE circuit simulator. This method is convenient and accurate so that circuit design applications can be easily manipulated.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.18
no.2
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pp.260-267
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2014
In this paper, the unit cell of LH structure using microstrip transmission line and chip capacitor is devised, and the reactive components of equivalent circuit are extracted from the proposed unit cell. And then, we have analyzed for the unit cell parameters and applied the characteristics to the wideband high pass filter design. This filter cascading several unit cells with high pass property has been implemented on microstrip transmission line, and the performance has been the band rejection characteristics of 62.9 dB in the stop band to 0~2.18 GHz and less than the insertion loss of 1.17 dB in the pass band from 3.0G Hz to 12.75 GHz.
In this paper, a new method for the online estimation of equivalent series resistances (ESR) of the DC-link capacitors in induction machine (IM) drive systems with a front-end diode rectifier is proposed, where the ESR estimation is conducted during the regenerative operating mode of the induction machine. In the first place, a regulated AC current component is injected into the q-axis current component of the induction machine, which induces the current and voltage ripple components in the DC-link. By processing these AC signals through digital filters, the ESR can be estimated by a recursive least squares (RLS) algorithm. To acquire the AC voltage across the ESR, the DC-link voltage needs to be measured at a double sampling frequency. In addition, the ESR current is simply reconstructed from the stator currents and switching states of the inverter. Experimental results have shown that the estimation error of the ESR is about 1.2%, which is quite acceptable for condition monitoring of the capacitor.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.332-335
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2000
We fabricated organic electroluminescent (EL) devices with single layer of poly(3-dodeoylthiophene) (P3DoDT) hlended with different amounts of poly(N-vinylcarbazole) (PVK) as a emitting layer. The molar ratio between P3DoDT and PVK changed with 1:0, 2:1 and 1:1. To improve the external quantum efficiency of EL devices, we applied insulating layer, LiF layer, between polymer emitting layer and Al electrode. All of the devices emit orange-red light and it's can be explained that the energy transfer occurs from PVK to P3DoDT. In the voltage-current and voltage-brightness characteristics of devices applied LiF layer, current and brightness increased with increasing applied voltage. The brightness of the device have a molar ratio 1:1 with LiF layer was about 10 times larger than that of the device without PVK at 6V. Electrical impedance properties of ITO/emitting layer/LiF/Al devices were investigated. In the Cole-Cole plots of impedance data, one semicircle was observed. Therefore, the equivalent circuit for the devices can be designed as a single parallel resistor and capacitor network with series resistor.
Kim, Hyun-Min;Park, Hyung-June;Lee, Jun-Sin;Oh, Se-Myoung;Jung, Dong-Ggeun
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.436-437
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2006
In this work, impedance Spectroscopic analysis was applied to study the effect of plasma treatment on the surface of indum-tin oxide (ITO) anodes using $O_2$ gas and to model the equivalent circuit for organic light emitting diodes (OLEDs) with the $O_2$ plasma treatment of ITO surface at the anodes. This device with ITO/TPD/Alq3/LiF/Al structure can be modeled as a simple combination of a resistor and a capacitor. The $O_2$ plasma treatment on the surface of ITO shifts the vacuum level of the ITO as a result of which the barrier height for hole injection at the ITO/organic interface is reduced. The impedance spectroscopy measurement of the devices with the $O_2$ plasma treatment on the surface of ITO anodes shows change of values in parallel resistance ($R_p$) and parallel capacitance ($C_p$).
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.171-172
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2007
We fabricated the metal-ferroelectric-insulator-semiconductor filed-effect transistors (MFIS-FETs) using the $(Bi,La)_4Ti_3O_{12}\;and\;LaZrO_x$ thin films. The $LaZrO_x$ thin film had a equivalent oxide thickness (EOT) value of 8.7 nm. From the capacitance-voltage (C-V) measurements for an Au/$(Bi,La)_4Ti_3O_{12}/LaZrO_x$/Si MFIS capacitor, a hysteric shift with a clockwise direction was observed and the memory window width was about 1.4 V for the bias voltage sweeping of ${\pm}9V$. From drain current-gate voltage $(I_D-V_G)$ characteristics of the fabricated Fe-FETs, the obtained threshold voltage shift (memory window) was about 1 V due to ferroelectric nature of BLT film. The drain current-drain voltage $(I_D-V_D)$ characteristics of the fabricated Fe-FETs showed typical n-channel FETs current-voltage characteristics.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.7
no.2
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pp.14-27
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1990
Electromagnetic Pulse Forming is the one of the high velocity forming method. When the electric energy which is charged in the capacitor bank is suddenly discharged into the electromagnetic coil, the high magnetic field occurs at the airgap between the electromagnetic coil and workpiece. Thus we can obtain the high electromagnetic pressure, which is proportional to the square of magnetic flux density. This is the basic principle of the electromagnetic pulse forming. In this paper, the equivalent L-R-C circuit is derived by computing the magnetic field and its loss of the total system. Thus, the values of the magnetic flux density and pressure can be obtained from the equation of this circuit. As a result, the computed and measured values of the maximum magnetic flux density and pressure are compared and the characteristics of the tapered field shaper are further discussed as follows; 1) The strength of magnetic flux density and pressure can be controlled by the charged energy and the size of the airgap between the inner field shaper and the workpiece. 2) During the design of the tapered field shaper, the penetration of the magnetic flux through the sharp edge should be considered.
A three-phase, three-switch, and three-level boost-type PWM rectifier (Vienna rectifier) is proposed as an active front-end power factor correction (PFC) rectifier for telecom loads. The proposed active front-end PFC rectifier system is modeled by the switching cycle average model. The relation between duty ratios and DC link capacitor voltages is derived in terms of the system input currents. Furthermore, the feasible switching states are identified and applied to the proposed system to reduce the switching stress and DC ripples. A detailed equivalent circuit analysis of the proposed front-end PFC rectifier is conducted, and its performance is verified through simulations in MATLAB. Simulation results are verified using an experimental setup of an active front-end PFC rectifier that was developed in the laboratory. Simulation and experimental results demonstrate the improved power quality parameters that are in accordance with the IEEE and IEC standards.
The purpose of this paper is to study a high-performance control scheme for neutral-point-clamping three-level (NPC-3L) inverter fed dual three-phase permanent magnet synchronous motor (PMSM) drives by considering some asymmetric factors such as the non-identical parameters in phase windings. To implement this, the system model is analyzed for dual three-phase PMSM drives with asymmetric factors based on the vector space decomposition (VSD) principle. Based on the equivalent circuits, PI controllers with feedforward compensation are used in the d-q subspace for regulating torque, where the cut-off frequency of the PI controllers are set at the twice the fundamental frequency for compensating both the additional DC component and the second order component caused by asymmetry. Meanwhile, proportional resonant (PR) controllers are proposed in the x-y subspace for suppressing the possible unbalanced currents in the phase windings. A dual three-phase space vector modulation (DT-SVM) is designed for the drive, and the balancing factor is designed based on the numerical fitting surface for balancing the DC link capacitor voltages. Experimental results are given to demonstrate the validity of the theoretical analysis and the proposed control scheme.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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