• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.371-372
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• 2008

본 논문은 새롭게 초음파 분산기법을 이용하여 제조된 나노콤포지트 와 원형에폭시 수지에 대한 전기적 특성인 트리현상의 여러특성을 연구하였다. 나노필러인 Layered Silicate Particles가 에폭시수지 중에 Power Ultrasonic으로 분산된 나노콤포지트를 제조하였다. 충진된 혼합물에서 나노입자의 영향을 조사하기위해 열적, 구조적 특성을 연구하였고, 장시간 절연파괴 특성을 조사하기위해 침대평판 전극으로 원형에폭시수지와 나노콤포지트와 비교 측정하였다. 연구는 에폭시원형수지에 대한 인가전압레벌(교류 10, 15, 20kV)의 변화와 온도변화에 대한 (30,90,$130^{\circ}C$)의 트리특성을 연구하였다. 모든 전압레벨에서는 일정전압까지 1kV/s 로 승압 후 일정하게 인가되었고, 파괴에 이를 때까지 측정한 결과 10kV, 15Kv, 20KV의 경우 1042,75,488분후에 파괴에 이르렀다. 그러나 트리진행속도는 인가전압이 높을수록 빠르게 진행하였다. 온도 변화에 대한 트리특성으로서 15kV인가 후 파괴에 이르는 시간은 30,90,$130^{\circ}C$의 경우 75.3, 970, 226분으로 $90^{\circ}C$의 경우 절연성능이 가장 우수하였고, 트리진전속도는 $30^{\circ}C,130^{\circ}C,90^{\circ}C$ 순으로 나타났다. 이는 트리진전으로 파괴에 이르는 시간과 속도는 트리형태에 지배적으로 영향을 맡고 있음을 알 수 있었다. 또한 나노콤포지트 트리의 경우 15kV인가시 10902에 파괴에 이르렀고, 트리진전속도는 0.000729mm/min으로 원형에 비하여 53.36배의 트리진전시간이 느리고, 파괴시간은 145배 오래 견디는 절연내력을 측정할 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.05a
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• pp.193-195
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• 2008

에폭시-층상실리케이트 나노콤포지트의 여러 가지 특성인 전기적, 기계적, 구조적 특성에 대해서 많은 연구가 진행되었고, 그에 대한 특성 향상을 가져왔다. 그러나 절연성능에 대한 평가는 우수하지만 열적특성 중열전도에 대한 영향은 그히 부족한 상태였다. 열적특성은 열적열화의 원인이 되어 신뢰성에 크게 영향을 준다. 여러종류 Organoclay(10A, 15A, 20A, 30B, 93A)의 에폭기-층상실리케이트 나노콤포지트 Tg 분석결과 10A의 경우 우수한 열적특성을 나타내었다. DNA 점탄성 및 기계적 손실측정에서도 10A의 경우 고온부($140^{\circ}C$) 탄성계수 및 기계적손실 피르가 가장작고, 고온으로 이동되어 발생된 경우로 열적 특성이 우수함을 알 수 있었다. 열전도 측정결과 강력초음파를 적용한 경우와 미적용의 경우 열전도측정으로 볼 때 전반적으로 초음파 적용 경우 열전도향상이 크게 증가된 결과를 얻었다. 향후 몰드 및 함침절연의 전력기기 적용시 유용한 자료로 이용이 가능하여, 더욱더 많은 연구가 필요할 것으로 생각된다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• v.12 no.3
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• pp.93-97
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• 2011

In this paper, we discuss design considerations for an n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with a lateral asymmetric channel (LAC) doping profile. We employed a 0.35 ${\mu}M$ standard complementary MOSFET process for fabrication of the devices. The gates to the LAC doping overlap lengths were 0.5, 1.0, and 1.5 ${\mu}M$. The drain current ($I_{ON}$), transconductance ($g_m$), substrate current ($I_{SUB}$), drain to source leakage current ($I_{OFF}$), and channel-hot-electron (CHE) reliability characteristics were taken into account for optimum device design. The LAC devices with shorter overlap lengths demonstrated improved $I_{ON}$ and $g_m$ characteristics. On the other hand, the LAC devices with longer overlap lengths demonstrated improved CHE degradation and $I_{OFF}$ characteristics.