Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.14
no.1
/
pp.24-27
/
2013
In this paper, we investigated the effect of luminescence properties of various concentrations of magnesium-doped ZnS:Mn phosphor excited by plasma luminescence device. The PL intensity was evaluated in the range of 300~500 nm excitation wavelengths. We found the highest PL intensity of the phosphors excited by 365 nm and 450 nm was observed at Mg concentrations of 1.4 wt% and 0.8 wt%, respectively. In addition, an emission peak was distinguished at 580 nm wavelength. With increasing Mg dopant level, enhanced PL intensity was observed, which is possibly applicable to color converting materials by blue emission for white light sources. Finally, we evaluated the luminance properties of color converting ZnS:Mn,Mg phosphors with plasma blue light source. the white luminance of plasma light source with CIE(0.36,0.26) was established by color converting phosphors of ZnS:Mn with 0.8 wt% Mg.
Kim, Young-Kuk;Ahn, Si-Hyun;Choi, Gyu-Chae;Chung, Kook-Chae;Cho, Young-Sang;Choi, Chul-Jin
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.12
no.5
/
pp.218-221
/
2011
We modified the optical properties of the $CuInS_2$ nanocrystal (NC) by alloying. Nanocrystals (NCs) with alloyed cores were synthesized by refluxing the as-synthesized $CuInS_2$ NCs with a mixture of cadmium acetate, zinc acetate and palmitic acid. The shift in emission wavelength of the NCs after shell layer formation was minimized by alloying. The photoluminescence (PL) spectra showed significant reduction of emission intensity. A detailed study on the emission process of NCs implies that the formation of shell layers with small lattice mismatch minimized the mismatch strain generated from the shell layers in contrast to core alloyed NCs. In particular, time-resolved PL spectra of the NCs showed a significant increase in the lifetime of excited carriers by modifying the band alignment of the NCs by modifying the shell composition.
Photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) characteristics of Ce-activated $Y_{2-x}Ce_xSiO_5$ have been investigated as functions of Ce concentration and firing condition. According to the X-ray, PL and CL results, $Y_2SiO_5$ is found to have two phases depending on the firing temperature. For the specimen fired above 127$0^{\circ}C$, the emission band peaked at 395nm with a shoulder at 424 nm under ultraviolet (u.v.) and cathode-ray (c.r.) excitation. However, for the specimen fired below 120$0^{\circ}C$ in air the peak was observed at 424 nm and it shifted to longer wavelength with reduction level. The reduced specimen for x=0.02 showed the brightest emission under u.v. excitation whereas under c.r. excitation the brightest emission was observed for the reduced specimen for x=0.06.
Choong-Hwa Lee;Myong-Suk Kim;Koo-Chun Chung;Myon-Yong Park
Journal of the Korean Chemical Society
/
v.26
no.4
/
pp.224-228
/
1982
The wavelength of chlorophyll-b on the absorbance and fluorescence emission were shifted to the longer depending on the increasing of solvent polarities but fluorescence excitation spectra were not. The presence of chl-b oligomers and monomers were identified by the specra of fluorescence emission. Fluorescence excitation, absorbance and the measurement of its intensities vs. the concentration of n-prOH added to chl-b solution. The calibration curve of chl-b solution were not obeyed to Beer's law in the range of concentrated soln. because of the presence as the oligomers.
Journal of the Korean institute of surface engineering
/
v.46
no.2
/
pp.93-97
/
2013
We studied the emission characteristics of white phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs), which were fabricated using a two-wavelength method. To optimize emission characteristics of white PHOLEDs, white PHOLEDs with co-doping and blue/co-doping emitting layer (EML) structures were fabricated using a host-dopant system. The total thickness of light-emitting layer was 25 nm and the dopant of blue and red was FIrpic and $Bt_2Ir(acac)$ in UGH3, respectively. In case of co-doping structure, applying micro lens array film showed efficiency improvement from the current efficiency 78.5 cd/A and power efficiency 40.4 lm/W to the current efficiency 131.1 cd/A and power efficiency 65 lm/W and blue / co-doping structure showed efficiency improvement from the current efficiency 43.8 cd/A and power efficiency 22 lm/W to the current efficiency 69 cd/A and power efficiency 32 lm/W.
Journal of the Korean institute of surface engineering
/
v.48
no.3
/
pp.105-109
/
2015
We studied emission characteristics of blue fluorescent multi-tandem OLEDs using $Al/MoO_x$ as charge generation layer(CGL). Threshold voltage for 2, 3, 4, and 5 units tandem OLEDs was 8, 11, 14 and 18 V, respectively. The threshold voltage in multi-tandem OLEDs was lower than multiple of 4 V for the single OLED. Maximum current efficiency and maximum quantum efficiency of single OLED were 7.6 cd/A and 5.5%. Maximum current efficiency for 2, 3, 4, and 5 units tandem OLEDs was 22.6, 31.4, 41.2, and 46.6 cd/A, respectively. Maximum quantum efficiency for 2, 3, 4, and 5 units tandem OLEDs was 11.8, 15.8, 21.8, and 25.6%, respectively. The maximum current efficiency and maximum quantum efficiency in multi-tandem OLEDs were higher than multiple of those for the single OLED. The intensity for 508 nm peak was changed and the peak wavelength was red shift by increase of tandem unit in electroluminescent emission spectra. These phenomena can be caused by micro-cavity effect with increasing of organic layer thickness.
Blood soil and the mixture of blood soil, elvan soil and, silica soil materials were molded, then they were sintered in $1100^{\circ}C$ and were used for the emission of the far infrared ray boll. The emission from the manufactured bolls was relatively high in the range of $8{\sim}12{\mu}m$ wavelength each. The elution of minerals from mixture bolls was very low, but the elimination of heavy metal cadmium ion in activated water and energy water treated with mixture bolls was very high. Activated water and energy water had a high to the UV protected ability in comparison to drinking water.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
/
v.18
no.4
/
pp.160-164
/
2008
Insulating and conducting 12CaO ${\cdot}7Al_2O_3$ (Cl2A7)-doped indium tin oxide (ITO) (ITO:Cl2A7 insulator and electride) thin films were deposited on glass substrates by an RF magnetron co-sputtering method with increasing number of insulating and conducting Cl2A7 target chips. The structural, electrical and optical properties of these films were investigated. The carrier concentration decreased and resistivity increased in the films with increasing number of Cl2A7 target chips. The optical transmittance of all of the thin films was above 80 % in the visible wavelength range. The structural property and surface roughness of the films were examined and the decrease of crystallinity and surface roughness was strongly dependent on the change of grain size.
Kim, Sung-Bock;Bae, Sung-Bum;Ko, Young-Ho;Kim, Dong Churl;Nam, Eun-Soo
Applied Science and Convergence Technology
/
v.26
no.4
/
pp.79-85
/
2017
The crack-free AlGaN template has been successfully grown by using selective area growth with triangular GaN facet. The triangular GaN stripe structure was obtained by vertical growth rate enhanced mode with low growth temperature of $950^{\circ}C$ and high growth pressure of 500 torr. The lateral growth rate enhanced mode of AlGaN for crack-free and flat surface was also investigated. Low pressure of 30 torr and high V/III ratio of 4400 were favorable for lateral growth of AlGaN. It was confirmed that the $4{\mu}m$ -thick $Al_{0.2}Ga_{0.8}N$ was crack-free over entire 2-inch wafer. The dislocation density of $Al_{0.2}Ga_{0.8}N$ was as low as ${\sim}7.6{\times}10^8/cm^2$ measured by cathodoluminescence. Based on the high quality AlGaN with low dislocation density, the ultraviolet laser diode epitaxy with cladding, waveguide and GaN/AlGaN multiple quantum well (MQW) was grown by metalorganic chemical vapor deposition. The stimulated emission at 349 nm with full width at half maximum of 1.8 nm from the MQW was observed through optical pumping experiment with 193 nm KrF laser. We also have fabricated the deep ridge type ultraviolet laser diode (UV-LD) with $5{\mu}m-wide$ and $700{\mu}m-long$ cavity for electrical properties. The turn on voltage was below 5 V and the resistance was ${\sim}55{\Omega}$ at applied voltage of 10 V. The amplified spontaneous emission spectrum of UV-LD was also observed from pulsed current injection.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2012.08a
/
pp.184-184
/
2012
Recently, InGaN/GaN multi-quantum well grown on GaN pyramid structures have attracted much attention due to their hybrid characteristics of quantum well, quantum wire, and quantum dot. This gives us broad band emission which will be useful for phosphor-free white light emitting diode. On the other hand, by using quantum dot emission on top of the pyramid, site selective single photon source could be realized. However, these structures still have several limitations for the single photon source. For instance, the quantum efficiency of quantum dot emission should be improved further. As detection systems have limited numerical aperture, collection efficiency is also important issue. It has been known that micro-cavities can be utilized to modify the radiative decay rate and to control the radiation pattern of quantum dot. Researchers have also been interested in nano-cavities using localized surface plasmon. Although the plasmonic cavities have small quality factor due to high loss of metal, it could have small mode volume because plasmonic wavelength is much smaller than the wavelength in the dielectric cavities. In this work, we used localized surface plasmon to improve efficiency of InGaN qunatum dot as a single photon emitter. We could easily get the localized surface plasmon mode after deposit the metal thin film because lnGaN/GaN multi quantum well has the pyramidal geometry. With numerical simulation (i.e., Finite Difference Time Domain method), we observed highly enhanced decay rate and modified radiation pattern. To confirm these localized surface plasmon effect experimentally, we deposited metal thin films on InGaN/GaN pyramid structures using e-beam deposition. Then, photoluminescence and time-resolved photoluminescence were carried out to measure the improvement of radiative decay rate (Purcell factor). By carrying out cathodoluminescence (CL) experiments, spatial-resolved CL images could also be obtained. As we mentioned before, collection efficiency is also important issue to make an efficient single photon emitter. To confirm the radiation pattern of quantum dot, Fourier optics system was used to capture the angular property of emission. We believe that highly focused localized surface plasmon around site-selective InGaN quantum dot could be a feasible single photon emitter.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.