• 한국진공학회지
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• 제21권6호
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• pp.322-327
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• 2012

Molecular beam epitaxy 방법으로 성장된 ZnSe/GaAs 이종접합 구조에서 ZnSe의 electroreflectance (ER) 특성을 조사하였다. ER 측정은 변조 전압, 인가 전압 및 온도의 변화에 따라 수행하였다. 상온의 ZnSe ER 스펙트럼에서 압축 변형에 의하여 분리된 가전자대의 무거운 정공(HH: 2.609 eV) 및 가벼운 정공(LH: 2.628 eV)과 전도대 사이의 전이를 관측하였다. 인가전압이 증가함에 따라 HH 전이 신호의 크기는 점차 감소하였으나, LH 전이 신호의 크기 변화는 미미하였다. 온도에 따른 ER 스펙트럼의 변화를 통하여 변형과 열팽창 계수와의 관계를 연구하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권9호
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• pp.687-692
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• 1998

Silicon doped $Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ were growth by molecular beam epitaxy. Electroreflectance(ER) spectra of the $E_1$ transition of Schottky barrier Au/n-$Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ have been measured at various modulation voltage($V_{ac}$) and dc bias voltage($V_{bias}$). from the $E_1$peak, band gap energy of the $Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ is 1.883 eV which corresponds to an Al composition of 32%. As modulation voltage($V_{bias}$) is changed, a line shape at the $E_1$transition does not change, but its amplitude varies linearly. The amplitude of $E_1$signal decrease with increasing the forward dc bias voltage($V_{bias}$), but the line shape does not change. It suggests that the low field theory rather than Franz-Keldysh oscillation is Required to interpret spectra. Also, spectra at the $E_1$transition were broadened with increasing the reverse dc bias voltage($V_{bias}$) which suggests the presence of Field-induced broadening.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권7호
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• pp.692-699
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• 1997

The silicon doped $Al_{0.33}$G $a_{0.67}$As were grown by molecular beam epitaxy. The electroreflectance(ER) spectra of Schottky barrier Au/n-Al/suu x/G $a_{1-x}$ As have been measured at various modulation voltage( $V_{ac}$ ) and dc bias voltage( $V_{bias}$). From the observed Franz-Keldysh oscillations(FKO) peak, the band gap energy of the $Al_{x}$G $a_{1-x}$ As is 1.91 eV which corresponds to an Al composition of 33%. The internal electric field( $E_{i}$)of this sample is 2.96$\times$10$^{5}$ V/cm. As the modulation voltage( $V_{ac}$ ) is changed, the line shape of ER signal does not change but its amplitude varies linearly. The amplitude as a function of modulation voltage has saturated at 0.8 V. The internal electric field has decreased from 6.47$\times$10$^{5}$ V/cm to 2.00$\times$10$^{5}$ V/cm as the dc bias voltage( $V_{bias}$) increases from -3.5 V to +0.8 V. The values of built-in voltage( $V_{bi}$ ) and carrier concentration(N) determined from the plot of $V_{bias}$ from the plot of $V_{bias}$ versus $E_{i}$$^{2}$ are 0.855 V and 3.83$\times$10$^{17}$ c $m^{-3}$ , respectively.ively.y.y.y.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.415-415
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• 2013

We have investigated the optical and electrical properties of the CIGS thin film solar cells by the electroreflectance (ER), photoreflectance (PR), photoluminescence (PL), and photocurrent (PC) spectroscopies at room temperature. The ER spectrum had two narrow signal regions and one broad signal region. We measured PL and PC to confirm the signals at low energy region (1.02~1.35 eV), so these signals are related to the CIGS thin film, and the high energy region (2.10~2.52 eV) is related to the CdS bandgap energy. The broad signal region (1.35~2.09 eV) is due to the internal electric field by the p-n junction from the comparison between PR and ER spectra, and we calculated the internal electric field by the p-n junction. In the high efficiency solar cell, the CdS signal of ER spectrum is narrower than the lower efficiency solar cells.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제17권5호
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• pp.464-466
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• 1996

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제6권4호
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• pp.535-538
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• 2011

The electromodulation methods of photoreflectanceand the related technique of contactless electroreflectance(CER) are valuable tools in the evaluation of important device parameters for structures such as heterojunction bipolar transistors, pseudomorphic high electron mobility transistors, and quantum dots(QDs). CER is a very general principle of experimental physics. Instead of measuring the optical reflectance of the material, the derivative with respect to a modulating electric field is evaluated. This procedure generates sharp, differential-like spectra in the region of interband (intersubband) transitions. We conduct electric-optical studies of both GaAs layers and InAs selfassembled QDs grown by molecular beam epitaxy. Strong GaAsbandgap energy is measured in both structures. In the case of lnAs monolayers in GaAs matrices, the strong GaAsbandgap energy is caused by the lateral quantum confinement.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제6권4호
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• pp.139-142
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• 2002

Contactless electroreflectance measurements at room temperature were used to determine the bandgap energies of Zn$_{1-x}$ Mg$_{x}$O thin films grown by metal-organic vapor phase epitaxy. It is found that the bandgap energy increases monotonically with the Mg composition x, up to the highest composition measured (x=0.45). The obtained correlation between the bandgap energy and the Mg composition can be used in the analysis of the electronic structure of ZnO/Zn$_{1-x}$ Mg$_{x}$O heterostructures at room temperature.ature.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2004년도 제27회 학술발표회 초록집
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• pp.252-252
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• 2004

• 한국진공학회지
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• 제19권2호
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• pp.134-140
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• 2010

Metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD)법으로 성장된 $In_{0.5}(Ga_{1-x}Al_x)_{0.5}P$/GaAs 이중 이종접합 구조의 특성을 contactless electroreflectance (CER) 분광법으로 조사하였다. CER 측정은 변조전압($V_{ac}$), 온도 및 dc 바이어스 전압($V_{bias}$)의 함수로 수행하였다. 상온에서는 5개의 신호가 관측되었는데, 이 신호들은 각각 GaAs, $In_{0.5}Ga_{0.5}P$, $In_{0.5}(Ga_{0.73}Al_{0.27})_{0.5}P$, $In_{0.5}(Ga_{0.5}Al_{0.5})_{0.5}P$ 및 $In_{0.5}(Ga_{0.2}Al_{0.8})_{0.5}P$ 전이에 관련된 것이다. CER 스펙트럼의 온도 의존성으로부터 Varshni 계수 및 평탄인 자를 구하였다. 그리고 인가전압에 따른 신호의 진폭은 순방향 바이어스 전압 인가시 점차로 감소하나, 역방향 바이어스 전압 인가시에는 반대의 경향을 보였다.

• 한국진공학회지
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• 제6권2호
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• pp.136-142
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• 1997

An/n-GaAs(100) Schottky 장벽 diode를 제작하여 변조전압($V_{ac}$) 및 dc 바이어스 전 압($V_{bias}$) 변화에 따른 electroreflectance(ER)를 측정하였다. 관측된 Franz-Keldysh oscillation(FKO) 피크로부터 이 시료의 내부 전기장($E_i$)은 $5.76\times 10^{4}$V/cm였다. $V_{ac}$를 변화시 킴에 따라 ER신호의 모양은 변화가 없고, 진폭만 선형적으로 증가하였다. 순방향 및 역방향 의 $V_{bias}$변화에 따라 ER신호의 진폭은 감소하였으며, $V_{bias}$가 -5.0~0.6V로 증가함에 따라 Ei 는 $19.3\times 10^4\sim4.39\times10^4$V/cm로 감소하였다. 그리고 $V_{bias}$변화에 대한 $E_i^2$의 그래프로부터 built-in 전압(Vbi)은 0.70V였으며, 이 값은 $V_{bias}$변화에 따른 FKO피크의 진폭 관계 그래프 에서 얻은 결과와 잘 일치하였다. 또한 이 시료의 캐리어 농도(N)와 전위장벽($\Phi$)은 300K에 서 각각 $2.4\times 10^{16}\textrm{cm}^{-3}$와 0.78eV의 값을 얻었다.