MQTT is a lightweight messaging protocol that can be used for low power IoT devices. The MQTT basically uses single MQTT broker to indirectly share message information between publishers and subscribers. This approach has a weakness in regard to traffic overflow, connection fault, security, etc. In this paper, we propose a distributed MQTT broker architecture that solves the problems in single MQTT broker structure. The distributed MQTT broker architecture is expected to support new application services that cannot be supported by a conventional MQTT architecture. We have designed and implemented a distributed MQTT broker architecture based on the RPL protocol that has been widely used for IoT network. The experiment results show that the proposed MQTT broker architecture represents better publishing/subscribing latency and network stability than the conventional MQTT broker architecture.
The InP thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are widely used to optoelectronic devices such as laser diodes, wave-guides and optical modulators. Effects of various parameters controlling film growth rate such as gas-phase reaction rate constant, surface reaction rate constant and mass diffusivity are numerically investigated. Results show that at the upstream region where film growth rate increases with the flow direction, diffusion including thermal diffusion plays an important role. At the downstream region where the growth rate decreases with flow direction, film deposition mechanism is revealed as a mass-transport limited. Mass transport characteristics are also studied using systematic analyses.
Henry G ldner;Andreas Thiede;Lutz G hler;Schulze, Hans-Joachim;Jakob Sigg;Johann Otto;Dieter Metzner
Proceedings of the KIPE Conference
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1998.10a
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pp.246-251
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1998
This paper describes the main features of an unconventional tester for high power semiconductor devices. Two application ranges are highlighted. The tester is used for the extraction of GTO parameters and their verification by measurements. The second field comprises the determination of the radial and azimuthal current density distribution of a GTO tablet. The results are compared with the carrier lifetime distribution.
A single-ended primary-inductor converter (SEPIC) features low input current ripple and output voltage up/down capability. However, the switching devices in a two-level SEPIC suffer from high voltage stresses and switching losses. To cope with this drawback, this study proposes a three-level SEPIC that uses a low voltage-rated switch and thus achieves better switching performance compared with the two-level SEPIC. The three-level SEPIC can reduce switch voltage stresses and switching losses. The converter operation and control method are described in this work. The experimental results for a 500 W prototype converter are also discussed. Experimental results show that unlike the two-level SEPIC, the three-level SEPIC achieves improved power efficiency with balanced capacitor voltages.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.57
no.9
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pp.1594-1598
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2008
The ionic air pump can be used towards the thermal management of micro-electronic devices, since the size of pump can be reduced to micrometer orders. In addition, an air pump allows air flow control and generation with low noise and no moving parts. These ideal characteristics of the pump give rise to variety applications. However, all of these applications would benefit from maximizing the flow velocities of the pumps. In this study a surface discharge type air pump, with a third electrode, has been investigated by focusing on elevating the wind velocity and efficiency. As a result, the enhanced ionic wind velocity could be obtained with the third electrode of the proposed air pump.
When renewable sources are connected to the distribution network in the form of a distributed generators(DGs), the effect of intermittent output appears as voltage fluctuation. The surplus power at the consumer ends results in the reverse power flow to the distribution network. This reverse power flow causes several problems to the distribution network such as overvoltage. Application of the reactive power control equipment and power flow control by means of BTB inverter have been suggested as the general solutions to overcome the overvoltage, but they are not economically feasible since they require high cost devices. Herein, we suggest the feeder loop line switch control method to solve the problem.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.573-576
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2003
HTS superconducting tapes are now commercially available for practical applications such as magnets and cables. Since superconductors in such applications are subjected to high mechanical loads that can significantly degrade the superconducting properties, mechanical properties and the strain tolerance known as the strain effect on superconducting properties are needed to be estimated for developing superconducting devices. Influences of loading mode on the Ic degradation and the interaction on strain effect were discussed in this study.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.107-110
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2003
We have proposed a model to describe the current-voltage characteristics of fabricated devices using the Biot-Savart's law in order to develop superconducting flux flow transistors, The measured and calculated values, including induced voltage, transresistance and current gain were investigated in relation to the parallel flow of the vortices in a single microbridge. The predictions agreed very well with measured results.
Kim, Kil-Sou;Lim, Kee-Joe;Kang, Seong-Hwa;Cho, Hyun-Kil
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11b
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pp.593-596
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2001
It is necessary for calculation of repulsion forces acting on the closed electric contacts flowing over-current. e.g. inrush current and overload currents, to do optimum design of switching devices. In this paper. the forces and flux densities generated by currents at the contact point when circuit breakers are in closed state are obtained by using 3D finite element methode. To be convinced of the results, we measure electrogmanetic repulsion forces on contacts by measuring voltage between opened contacts in MCCB
Kim, Hyung-Gon;Kim, Chul-Bok;Kim, Sang-Yong;Lee, Cheol-In;Kim, Tae-Hyung;Chang, Eui-Goo;Seo, Yong-Jin
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11b
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pp.189-192
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2001
Recently, STI process is getting attention as a necessary technology for making high density of semiconductor by devices isolation method. However, it does have various problems caused by CMP nprocess, such as torn oxide defects, nitride residues on oxide, damages of si active region, contaminations due to post-CMP cleaning, difficulty of accurate end point detection in CMP process, etc. In this work, the various defects induced by CMP process was introduced and the above mentioned problems of CMP process was examined in detail. Finally, the guideline of future CMP process was presented to reduce the effects of these defects.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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