• 제목/요약/키워드: Electronic band structure

검색결과 713건 처리시간 0.025초

A Noncoherent UWB Communication System for Low Power Applications

  • Yang, Suck-Chel;Park, Jung-Wan;Moon, Yong;Lee, Won-Cheol;Shin, Yo-An
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
    • /
    • 제4권3호
    • /
    • pp.210-216
    • /
    • 2004
  • In this paper, we propose a noncoherent On-Off Keying (OOK) Ultra Wide Band (UWB) system based on power detection with noise power calibration for low power applications. The proposed UWB system achieves good bit error rate performance which is favorably comparable to that of the system using the ideal adaptive threshold, while maintaining simple receiver structure, In addition, low power Analog Front-End (AFE) blocks for the proposed noncoherent UWB transceiver are proposed and verified using CMOS technology. Simulation results on the pulse generator, delay time generator and 1-bit Analog-to-Digital (AID) converter show feasibility of the proposed UWB AFE system.

무선 통신을 위한 Quad-band RF CMOS 전력증폭기 (Quad-Band RF CMOS Power Amplifier for Wireless Communications)

  • 이미림;양준혁;박창근
    • 한국정보통신학회논문지
    • /
    • 제23권7호
    • /
    • pp.807-815
    • /
    • 2019
  • 본 논문에서는 RF CMOS 180-nm 공정을 이용하여 무선 통신 기기에서 quad-band를 지원하기 위한 전력 증폭기를 설계하였다. 제안한 전력증폭기는 low-band인 0.9,1.8,2.4 GHz 와 high-band인 5 GHz 로 구성되어있으며, 각각 입력 정합회로에서는 스위치를 사용하지 않는 구조를 제안하였다. 그리고 최대 선형 전력 확보를 위해 출력 정합회로는 각 주파수 대역에서의 전력 정합지점으로 임피던스 변환을 진행하였다. 제안한 전력증폭기는 무선 통신 변조 신호를 사용하여 검증하였다. Long-term evolution(LTE) 10 MHz 변조 신호를 이용하여 0.9 GHz 및 1.8 GHz 를 측정하였으며, 이때 출력 전력은 각각 23.55 dBm 및 24.23 dBm으로 측정 되었고, 20 MHz 변조 신호를 사용한 경우, 1.8 GHz에서 출력 전력 22.24 dBm 이 측정되었다. Wireless local area network(WLAN) 802.11n 변조 신호를 이용하여 2.4 GHz 및 5.0 GHz 대역을 측정하였으며, 출력 전력은 20.58 dBm 및 17.7 dBm으로 확인되었다.

IEEE 802.11a용 적층형 LTCC 대역통과 여파기 (Stacked LTCC Band-Pass Filter for IEEE 802.11a)

  • 이윤복;김호용;이홍민
    • 한국전자파학회논문지
    • /
    • 제16권2호
    • /
    • pp.154-160
    • /
    • 2005
  • 여파기는 현대 무선통신에 있어 필수 불가결한 소자이다. 본 논문에서는 LTCC 다층기술을 이용한 IEEE 802.1la WLAN 송수신기 에 응용될 수 있는 소형 대역통과 여파기를 설계, 제작하였다. 2단의 대역통과 여파기의 등가회로를 도출하기 위하여 대역통과와 J-인버터 변환을 Chebyshev 저역통과 프로토타입 여파기에 적용하였다. 병렬 L-C공진기는 복잡하며 고주파에서 인덕터의 기생 성분을 조정하기가 용이하지 않으므로 단락된 $\lambda/4$ 스트립라인 공진기 구조를 이용하였다. 각 수동소자는 서로 다른 층에 위치하고 있으며, 비아를 통하여 상호연결되어 있으며 내부 접지면에 의하여 격리되어 있다. 제작된 여파기는 $2.51\times2.27\times1.02\;mm^3$이며 6층으로 구성되어 있다. 측정된 여파기는 -2.25 dB의 삽입손실과 220 MHz의 대역폭, 5.7 GHz에서 -32.25 dB의 감쇄 특성을 나타내었으며 0.9 ns의 군지연 특성을 나타내었다.

자기상보 구조를 갖는 초광대역 다이폴 안테나 (A Super-Wideband Dipole Antenna With a Self-Complementary Structure)

  • 박원빈;권오헌;이성우;이종민;박영미;황금철
    • 한국통신학회논문지
    • /
    • 제41권11호
    • /
    • pp.1414-1416
    • /
    • 2016
  • 본 논문에서는 자기상보 구조를 갖는 신호정보 수집용 초광대역 다이폴 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 한 쌍의 자기상보 구조의 다이폴 안테나와 평형 급전을 위한 테이퍼드 발룬(tapered balun)으로 구성되어 있다. 제안된 안테나의 -10 dB 이하 반사계수 대역폭 비는 28:1(0.73-20 GHz) 이상이며, 3 dB 이하 축비 대역폭 비는 3.25:1(1.91-6.22 GHz)로 +z축 방향에서 RHCP (Right Hand Circular Polarization) 특성을 나타낸다. 또한 저주파 대역에서는 무지향성, 고주파 대역에서는 지향성 특성을 나타내었고, 동작주파수 대역 내에서 최대이득은 2.83-7.66 dBi로 분포함을 확인하였다.

W-Band 다이오드 검출기 설계 (Design of W-Band Diode Detector)

  • 최지훈;조영호;윤상원;이진구
    • 한국전자파학회논문지
    • /
    • 제21권3호
    • /
    • pp.278-284
    • /
    • 2010
  • 본 논문에서는 저잡음 증폭기와 무바이어스 쇼트키 다이오드를 사용하여 W-Band에서 동작하는 밀리미터파 다이오드 검출기를 설계, 제작하였다. 향상된 감도 특성을 얻기 위해 다이오드 검출기는 검출기와 저잡음 증폭기로 구성된다. 저잡음 증폭기단은 발진을 제거하기 위해, 높은 저지 대역 특성을 갖도록 설계된 하우징에 저잡음 증폭기 MMIC 칩을 사용해 제작한다. 다이오드 검출기단은 단순한 구조를 사용하기 위해 무바이어스 쇼트기 다이오드를 사용하고, 저잡음 증폭기단과의 연결을 용이하도록 하기 위해 평면형으로 설계한다. 설계 및 제작된 W-band 검출기는 입력 전력 -45~-20 dBm의 변화에 대하여 20~500 mV의 출력 전압을 얻었다. 본 검출기는 수동 밀리미터파 영상 시스템에 적용할 수 있다.

Dual-band Frequency Selective Surface Bandpass Filters in Terahertz Band

  • Qi, Limei;Li, Chao
    • Journal of the Optical Society of Korea
    • /
    • 제19권6호
    • /
    • pp.673-678
    • /
    • 2015
  • Terahertz dual-band frequency selective surface filters made by perforating two different rectangular holes in molybdenum have been designed, fabricated and measured. Physical mechanisms of the dual-band resonant responses are clarified by three differently configured filters and the electric field distribution diagrams. The design process is straightforward and simple according to the physical concept and some formulas. Due to the weak coupling between the two neighboring rectangle holes with different sizes in the unit cell, good dual-band frequency selectivity performance can be easily achieved both in the lower and higher bands by tuning dimensions of the two rectangular holes. Three samples are fabricated, and their dual-band characteristics have been demonstrated by a THz time-domain spectroscopy system. Different from most commonly used metal-dielectric structure or metal-dielectric-metal sandwiched filters, the designed dual-band filters have advantages of easy fabrication and low cost, the encouraging results afforded by these filters could find their applications in dual-band sensors, THz communication systems and other emerging THz technologies.

Hot wall epitaxy법에 의해 성장된 $AgInS_2$ 박막의 광전기적 특성 (Opto-electric properties for the $AgInS_2$ epilayers grown by hot wall epitaxy)

  • 이관교;홍광준
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
    • /
    • pp.267-270
    • /
    • 2004
  • A silver indium sulfide($AgInS_2$) epilayer was grown by the hot wall epitaxy method, which has not been reported in the literature. The grown $AgInS_2$ epilayer has found to be a chalcopyrite structure and evaluated to be high qualify crystal. From the photocurrent measurement in the temperature range from 30 K to 300 K, the two peaks of A and B were only observed, whereas the three peaks of A, B, and C were seen in the PC spectrum of 10 K. These peaks. are ascribed to the band-to-band transition. The valence band splitting of $AgInS_2$ was investigated by means of the photocurrent measurement. The crystal field splitting, $\ddot{A}cr$, and the spin orbit splitting, $\ddot{A}so$, have been obtained to be 0.150 eV and 0.009 eV at 10 K, respectively. And, the energy band gap at room temperature has been determined to be 1.868 eV. Also, the temperature dependence of the energy band gap, $E_g(T)$, was determined.

  • PDF

X-선 흡수실험 및 제일원리계산을 통한 Cr-doped Li4Ti5O12의 미세구조 및 전자구조 해석 (Analyses on Fine Structure and Electronic Structure of Cr-doped Li4Ti5O12 by Using X-ray Absorption Spectroscopy and First Principle Calculation)

  • 송한나;김형선;조병원;김용태
    • 전기화학회지
    • /
    • 제14권1호
    • /
    • pp.33-37
    • /
    • 2011
  • $Li_4Ti_5O_{12}$는 우수한 안정성으로 고출력 배터리의 음극 물질로 주 목 받고 있다. 그러나 절연체로서 전도도의 개선이 필요한 상황으로 다양한 방법이 시도되고 있다. 본 연구에서는 Cr 도핑을 통해서 $Li_4Ti_5O_{12}$의 전도도 향상을 목표로 하였으며, X-선 흡수 실험 및 FEFF 8.4 코드를 이용한 제일원리 계산을 통해서 도핑에 의한 미세 구조 및 전자 구조의 변화를 분석하였다. Cr 도핑은 페르미 레벨을 Cr d 밴드의 중심에 위치시켜 전도성을향상시켰으며, Ti d 밴드의 전자밀도를 높여 XANES pre-edge및 White line의 변화를 야기했다.

기생 루프 구조를 이용한 휴대 단말기용 다중 대역 초소형 루프 안테나에 관한 연구 (A Study on the Small Loop Antenna with a Parasitic Loop Structure for Multiband Mobile Phone Application)

  • 이상흔;김기준;정종호;윤영중;김병남
    • 한국전자파학회논문지
    • /
    • 제21권6호
    • /
    • pp.706-713
    • /
    • 2010
  • 본 논문에서는 기생 루프 구조를 이용한 휴대 단말기용 5중 대역 초소형 루프 안테나를 제안한다. 제안된 안테나는 급전 모노폴, 기생 루프 구조를 가진 방사 루프 안테나, 추가 방사 소자로 구성되며, 매우 얇은 연성기판으로 제작된 안테나는 40 mm$\times$11 mm$\times$3 mm 크기의 유전체 캐리어에 장착된다. 제안된 안테나의 대역폭은 저대역에서 402 MHz(773~1,175 MHz)이고, 고대역에서 583 MHz(1,622~2,205 MHz)이다. 그 결과, 제안된 안테나는 VSWR 3:1 기준으로 GSM850, GSM900, DCS1800, PCS1,900, WCDMA 대역을 모두 만족함을 확인할 수 있었고, 방사 패턴, 이득, 효율 측면에서 휴대용 단말기에 적용되기에 적합한 성능을 얻었다. 따라서 제안된 안테나는 초소형 다중 대역 휴대 단말기의 응용 분야에 적합할 것으로 판단된다.

PBG 구조를 이용한 대역통과 여파기 고조파 억제에 관한 연구 (Harminic Suppression of Band Pass Filter Using Photonic Band Gap Structure)

  • 서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
    • /
    • 제41권1호
    • /
    • pp.69-72
    • /
    • 2004
  • 접지면에 PBG와 Aperture를 설치함으로써 고성능 대역통과 여파기를 설계하였다. 대역통과 여파기의 하모닉 특성은 PBG 구조에 의하여 개선되었고 대역폭은 Aperture에 의하여 확대되었다. 세가지 크기를 갖는 PBG 구조가 결합되어 새로운 PBG 구조가 도출되었다. 설계 중심 주파수는 2.2 GHz이었고 대역폭은 Aperture에 의하여 $40\%$ 확대되었다.