Local device-to-device (D2D) communication between two smart mobile devices is becoming increasingly popular. The first key step in starting a D2D communication is to discover and identify the remote target device to establish a link. However, existing device discovery mechanisms either require users to explicitly identify the ID of the target device or rely on inaccurate beamforming technology. This paper presents two novel device identification algorithms using a variety of embedded sensors. The algorithms only require that users to point two devices towards each other. This paper describes the algorithms, analyzes their accuracy using analytical models, and verifies the results using simulations.
본 연구에서는 CNN 모델의 경량화 및 on-device 추론 가속을 목표로 한다. 경량화 기법으로는 QAT 기법을 사용하며 여러 환경에서의 성능을 비교한다. 이어서 on-device 추론 가속을 위해 Jetson Nano Board 에서 TensorRT 변환을 통해 모델을 최적화한다.
트랜지언트 전자소자는 전해질 수용액이나 체내와 같은 거친 환경에서도 작동이 가능하며 동작 이후 가수분해되어 스스로 제거되기 때문에 기존의 전자소자를 대체하여 의료 목적의 체내 삽입 소자 등 다양한 연구 영역에서 활용되고 있다. 또한 물과 효소만으로 제거가 가능한 트랜지언트 전자소자는 최근 대두되고 있는 전자 쓰레기와 환경 오염 문제를 해결할 수 있는 신개념 그린 테크놀로지로 많은 주목을 받고 있다. 하지만, 트랜지언트 전자소자의 작동 환경인 수용액과 체내는 지속적은 물 침투를 통해 소자 내 핵심 부품을 열화시킨다. 이러한 환경 내 안정한 동작을 위하여 수동적 보호 기능을 가진 피막이 소자 외부를 감싸는 봉지막 전략이 도입되었다. 본 논문에서는 트랜지언트 전자소자의 등장 배경과 분해 거동을 포함한 최근 연구 동향과 작동 환경 내 물 침투를 방지하여 동작 신뢰도를 향상시킬 수 있는 봉지막 전략에 관하여 정리하였다.
In this work, we discuss simulation of surface acoustic wave device using Comsol Multiphysics. The structure SAW device based on piezoelectric thin film aluminum-nitride (AlN) on silicon was simulated. Some parameters of SAW device such as surface velocity, displacement of piezoelectric thin film were evaluated by software. Many modes and shapes of wave are also discussed in this paper. For evaluation physical parameters of AlN piezoelectric layer, the SAW resonator was modeled and simulation results were also compared with experiment results. we simulated arid evaluated the surface Rayleigh wave of AlN thin film on silicon substrate. Results simulation and experiment showed the surface velocity of AlN thin film was about 5200 m/s and shape of surface wave was also displayed. This paper has also proposed as method to study SAW characteristic of piezoelectric thin film and found out measurement values accurately of film such as stiffness matrix, piezoelectric matrix. These values are very important in calculation and design SAW device or MEMS device based on AlN piezoelectric layer.
화학공장과 같이 위험지역에 설치된 밸브장치는 폭발의 위험을 방지하기 위해 방화 방폭장치로 밀폐되어 있다. 본 논문에서는 방폭장치로 인해 외부전원장치를 사용할 수 없는 밸브장치에 적외선센서와 Zigbee 센서를 이용하여 위험지역의 밸브의 열림도를 측정하여 개폐여부를 확인하고, 밸브 개폐 작동시간을 로그화하여 운전 관리자가 공장을 관리 통제할 수 있는 저전력 모니터링 시스템을 제안한다. 전력관리기능을 적용하기 위해 개선된 비동기LPL 알고리즘을 적용한 전력제어 릴레이보드를 개발하고, 이를 적용한 방폭형 지능형 밸브시스템과 공장 밸브 개폐모니터링 시스템을 설계하고 이를 구현 및 테스트 하였다.
In the surface pressure-area isotherms of mixed monolayers, mixtures containing as much as 30 mol% of AA form stable condensed monolayer while the monolayer without AA is in the expanded state because PVK take on 3D collapsed. All of the mixed monolayers with 0, 10, 20 and 30 mol% of AA could be readily transferred onto ITO substrate at 16, 17, 24 and 26 mN/m, respectively. The monolayer containing 30 mol% of AA, however, showed a roughness value of 28A and became homogeneous decreasing with the phase separation. We fabricated organic EL device of ITO/CuPc/MEL/BBOT/iLiF/Al using mixed monolayer of 13, 19 and 25 layer deposited by LB method as a emitting layer. In the voltage-current characteristics of EL device, current density was much smaller than that of the spin-coated devices. It may due to the large contact resistance existed at the interface of LB layer/organic layer inhibit carrier injection to the emitting layer. EL spectra of device showed peaks at 450. 470, 505, 555 and 650 nm and the white light emission indicate the CIE coordinate x=0.306, y=0.353.
Electrical properties of organic light-emitting diodes were studied in a device with 7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane (TCNQ) to see how the TCNQ affects on the device performance. Since the TCNQ has a high electron affinity, it is used for a charge-transport and injection layer. We have made a reference device in a structure of ITO(170 nm)/TPD(40 nm)/$Alq_3$(60 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(100 nm). And two types of devices were manufactured. One type of device is the one made by doping 5 and 10 vol% of TCNQ to N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine (TPD) layer. And the other type is the one made with TCNQ layer inserted in between the ITO anode and TPD organic layer. Organic layers were formed by thermal evaporation at a pressure of $10^{-6}$ torr. It was found that for the TCNQ doped devices, turn-on voltage of the device was reduced by about 20 % and the current efficiency was improved by about three times near 6 V. And for devices with TCNQ layer inserted in between the ITO anode and TPD layer, it was found that the current efficiency was improved by more than three times even though there was not much change in turn-on voltage.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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