KIEE International Transactions on Power Engineering
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제4A권4호
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pp.236-242
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2004
Previous research results indicated that the designed current reduction device could effectively reduce the sheath circulating current and that its RDP protection device could shield it against both fault and lightning strokes. In this paper, cable impedance is analyzed using wavelet analysis and distance relay algorithm following the installation of these devices so that the operation of distance relay can be estimated. The test results confirm that in these devices, the fault inception angle and SVL bonding types have no impact on the change of cable impedance. In other words, the conventional distance relay can be used without a new relay setting. Thus we can finally assert that the designed current reduction device and its protection device are effective and can be safely installed on the cable transmission system without disturbance.
In this paper, the single and double heterostructure organic light-emitting devices(OLEDs) were fabricated. The single heterostructure OLED(TYPE 1) is consisted of TPD as a HTL(hole transfer layer) and Alq$_3$as an EML(emitting layer). The double heterostructure OLED(TYPE 2) is consisted of TPD as a HTL, Alq$_3$as an EML and PBD as an ETL(electron transfer layer). The another double heterostructure OLED(TYPE 3) is consisted of TPD as a HTL, PBD as an EML and Alq$_3$as an ETL. We obtained a strong green emission device with maximum EL emission wavelength 500nm in TYPE 3. When the applied voltage was 12V, the emission luminescence was 120.9cd/㎡. The chromaticity index of TYPE 3 was x=0.29, y=0.50. In the characteristic plot of current-voltage, TYPE 3 device was turned on at 6.9V. This voltage was a fairly low turn-on voltage. TYPE 1 and 2 device were turned on at 10V and 8.9V respectively. These types showed no good properties over that of TYPE 3.
According to the development of the semiconductor micro device technology, IC chip trends the high integrated, low power tendency. Nowadays, it can be showed the tendency of single chip in system level. But in the system level, IC operates by multi power supply voltages. So, semiconductor process is necessary for these multi power operation. Therefore, in this paper, dual gate high voltage device that operate by multi power supply of 5V and 20V fabricated in the 0.5${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS process technology and its electrical characteristics were analyzed. The result showed that the characteristics of the 5V device almost met with the SPICE simulation, the SPICE parameters are the same as the single 5V device process. And the characteristics of 20V device showed that gate length 3um device was available without degradation. Its current was 520uA/um, 350uA/um for NMOS, PMOS and the breakdown voltages were 25V, 28V.
NiO serves as a window layer for Si photoelectric devices. Due to the wide energy bandgap of NiO, high optical transparency (over 80%) was achieved and applied for Si photoelectric devices. Due to the high the high mobility, the heterojunction device (Al/n-Si/$SiO_2$/p-NiO/ITO) provide ultimately fast photoresponses of rising time of $38.33{\mu}s$ and falling time of $39.25{\mu}s$, respectively. This functional NiO layer would provide benefits for high-performing photoelectric devices, including photodetectors and solar cells.
Organic light-emitting diodes (OLEDs) were fabricated with the electron dominant complex, 4,7-diphenyl-1, 10-phenanthroline (Bphen) into the traditional electron transporting material of tris (S-hydroxyquinoline) aluminum $(Alq_3)$, neat $Alq_3$ and Bphen as electron-transporting layers (ETLs), respectively. Use of the Bphen material results in efficient electron injection and transport, allowing for high luminous efficiency devices. The devices with neat $Alq_3$(Device1), 1:1 mixed $Alq_3$ : Bphen(Device2), and Bphen(Device3) have efficiency of 15.3cd/A, 16.9cd/A, 20.9cd/A, respectively, at $20\;mA/cm^2$. The efficiency characteristic of device with Bphen is best, but the device that is satisfied high efficiency and stability at once is observed in Device2.
본 논문은 pH감도와 교류 광전류의 바이어스 포텐셜 의존성을 이용한 다채널 센서인 LAPS의 실제 제작과, 동기 검파 및 다중화 방법을 이용하여 제작된 센서의 신호를 효과적으로 측정하기 위한 시스템 구현에 관한 것이다. 제작된 LAPS소자는 여러 종류의 물질을 동시에 측정하기 위하여 다채널 감지면으로 구성하였으며, 제작된 소자에 적합한 측정 시스템은 높은 S/N를 유지하면서 다채널 pH농도 측정이 가능하도록 하나의 전치 증폭단을 이용한 시분할 측정과 이에 적합한 제어 시스템을 포함한다. 전체 시스템 하드웨어는 전치 증폭부, 디지털 및 센서부로 구성되었으며, 소프트웨어는 디지털 제어용 시스템 프로그램과 PC프로그램으로 구성된다. 구현된 시스템의 성능을 평가한 결과 양호한 감도, 선형성으로 LAPS에 의한 다채널 측정이 가능함을 보였다.
본 글에서는 광전자 분광 및 역광전자 분광을 이용한 유기분자 시스템의 전자구조 연구에 대하여 기술하였다. 다양한 유기물간의 계면 연구가 급속도로 늘어나고 있으며, 폴리머, 거대 분자 등 기존의 in situ 분석 방법으로 실험이 어려운 물질까지도 연구의 필요성이 늘어나고 있다. Electrospray 증착 방법이 이러한 새로운 물질들의 계면 전자구조 연구를 가능하게 할 수 있음을 살펴보았으며, 다양한 새로운 분석 기법들의 출현을 기대해 본다. 몇 가지 예에서 살펴본 바와 같이 전자구조는 소자 구동 특성을 직접적으로 지배하는 핵심적인 물리량이며, 전자구조의 이해를 통해 전자소자의 구동 원리, 성능 최적화 및 소자 특성 열화의 원인을 파악할 수 있다. 현재, 유기물 소자 관련 기술의 성숙도는 전자구조 분석과 같은 기초 연구 결과 없이는 더 이상 발전할 수 없는 정도에 이르러, 관련 분석 기술에 대한 수요가 더욱 늘어날 것으로 전망된다.
최근 대학교에서는 출석 처리를 위해 NFC 인증, QR 코드 인증, Sound-QR 인증, 블루투스 BLE 인증, 얼굴 인식 등 다양한 방식의 전자출결 시스템을 사용해왔다. 그러나 기존 방법들은 데이터 변형에 의한 출석 오류, 강의실 밖에서의 오인식 출석, 중도 이탈 처리의 어려움 등 여러 가지 문제점이 발생하고 있다. 따라서 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하며, 보다 정확한 전자출결을 관리하기 위해 고주파 신호 기반 전자출결 시스템을 제안한다. 고주파 신호는 블루투스 신호를 대치하는 것으로 신호의 전달 범위가 강의실 내로 한정되며, 신호의 변화가 필요할 경우 그 값을 즉시 변화할 수 있는 장점이 있다. 제안 시스템의 성능 검증을 위해 블루투스 기반 전자출결 시스템과의 비교 실험을 실시하였고, 그 결과 제안 방법이 높은 정확도를 나타내었다. 즉, 제안 방법은 스마트 기기 기반 전자출결 시스템에 즉시 활용할 수 있는 유용한 서비스가 될 것이다.
본 논문에서는 승강기용 냉각장치의 에너지 절감을 위한 사람 검출과 퍼지 온도 제어 시스템을 제안한다. 기존의 냉매를 사용하는 냉각장치의 문제점들을 개선하기 위해 사람 검출과 퍼지 온도 제어 시스템으로 열전냉각장치를 구동시켜 에너지 절감을 하고 자동적으로 효율적인 온도 관리를 한다. 제안된 시스템은 사람 검출을 통해 승강기 탑승 인원수를 확인하고 나서 퍼지 시스템에서 탑승 인원수와 계절 평균 기온을 기반으로 온도 제어를 한다. 사람 검출 방법은 승강기에서 조감도 카메라를 기반으로 사람의 머리 부분을 특징으로 사용하여 탑승 인원수를 검지한다. 퍼지 시스템은 look-up table 방법으로서 검지된 인원수와 기온을 고려하여 승강기의 내부 온도를 결정한다. 제안된 시스템은 사람 검출과 온도 제어를 통해 냉각장치의 에너지를 절감시킨다. 실험을 통해 에너지 절감을 확인하고 제안된 시스템의 성능을 검증한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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