Gd-doped ZnO thin films were prepared with different growth temperatures by using a radio-frequency magnetron sputtering method. The deposited samples were characterized by using the X-ray diffractometer, the scanning electron microscopy, and the photoluminescence spectroscopy. All of the films show an average transmittance of about 85% in the wavelength range from 400 to 1100 nm.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제17권5호
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pp.306-309
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2016
The Cs3Sb photocathode was formed by non-vacuum process technology. An in-situ vacuum device was fabricated successively with flat cesium antimonide photocathode emitters fabricated in a process chamber. The electrical properties of the device were characterized. Electron emission from the devices was induced by photoemitted electrons, which were accelerated by an anode electric field that was shielded from the photoemitter surface. The electrical characteristics of the devices were investigated by measuring the anode current as a function of device operation times with respect to applied anode voltages. Planar blue LED light with a 450 nm wavelength was used as an excitation source. The results showed that the cesium antimonide photocathode emitter has the potential of long lifetime with stable electron emission characteristics in panel devices. These features demonstrate that the cesium antimony photocathodes produced by non-vacuum processing technology is suitable for flat cathodes in panel device applications.
Photoemission is a process in which photons are converted into free electrons. Photocathodes are the typical materials for the process. They emit electrons when a light is irradiated upon. The traditional method of manufacturing photocathodes is complicated, requires specialized equipment, and is limited very small sized samples. $Cs_3Sb$ photocathode was formed on a substrate in $N_2$ atmospheric conditions. The photocathode formation was a gas phase reaction with the substrate. Vacuum devices were made to test electron emission characteristics of the formed photocathode. Visible light of wavelength 475 nm was used for the primary light source. The results showed high current density and long term stability of the photoelectron emission.
Dye-sensitized solar cells (DSSC) are currently attracting wide spread academic and commercial interest for the conversion of sunlight into electricity because of their easy manufacturing process and high efficiency. The solar energy conversion efficiencies of DSSC are strongly dependent on dye molecules adsorbed on the TiO2 surface which used for photosensitization of sun light, since an excited state of dye could inject an electron into the conduction band of semiconductor. We have developed novel organic dyes which have phenothiazine moieties as an electron donor in their charge-transfer chromophore for application of DSSCs. We had synthesized a series of phenothiazine derivatives which have different wave length absorbing chromophore in the molecule with high molar extinction coefficient. The photovoltaic performance of DSSC composed of organic chromophores with broad wavelength absorption property were measured and evaluated by comparison with that of pristine ruthenium dye.
New type of ordering along 1110] direction was found In BZT sintered at $1400^{\circ}C$ for 90 hours by using X-ray diffraction analysis and high resolution transmission electron microscopy. The wavelength of the modulated structure was 0.9 nm which is three times larger than the interplanar distance of (110) plane. New type of ordering is considered to be formed as a result of Zn vancacy ordering and new structural model was proposed. The computer simulated electron diffraction and the structural images are in good agreement with those obtained by experiments.
Large magneto crystalline anisotropy energy and demagnetization energy of rare earth-transition metal (RF-TM) alloys play roles of bottlenecks towards their commercial applications for giant magnetostrictive and blue wavelength magneto optical recording materials, respectively. To solve the above problems, boron is added into amorphous RE-TM alloys to produce its electron transferring. The boron added amorphous RE-TM alloys show novel magnetic and magneto-optical properties as follows; 1) an amorphous $(Sm_{33}Fe_{76})$97B3 alloy obtains the magnetostriction of$ -550{times}10^{-6}$ at 400 Oe compared with saturation magnetostriction of$ -60{\times}10^{-6}$ in conventional Ni based alloys, 2) an amorphous$ (Nd_{33}Fe_{67})_{95}B_5$ alloy increases effective magnetic anisotropy to$ -0.5{\times}10^{-6} ergs/cm^3 from -3.5{\times}10^6 ergs/cm^3$ without boron, which correspond to the polar Kerr rotation angles of 0.52$^{\circ}$and 0.33$^{\circ}$, respectively. These results attribute to selective 2p-3d electron orbits exchange coupling (SEC).
Carrier mobility was measured using time-of-flight (TOF) measurements to investigate the transport properties of holes and electrons in stabilized a-Se film. A laser beam with pulse duration of 5 ns and wavelength of 350 nm was illuminated on the surface of a-Se with thickness of $400\;{\mu}m$. The measured transit times of hole and electron were about $8.73\;{\mu}s\;and\;229.17\;{\mu}s$, respectively. The experimental results showed that the hole and electron drifting mobility were $0.04584\;cm^2V^{-1}S^{-1}\;and\;0.00174\;cm^2V^{-1}s^{-1}\;at\;10\;V/{\mu}m$.
This paper describes the process of nanoparticle synthesis by laser ablation of consolidated microparticles. We have generated nanoparticles by high-power pulsed laser ablation of Al, Cu and Ag microparticles using a Q-switched Nd:YAG laser (wavelength 355 nm, FWHM 5 ㎱, fluence 0.8∼2.0 J/㎠). Microparticles of mean diameter 18∼80 ㎛ are ablated in the ambient air The generated nanoparticles are collected on a glass substrate and the size distribution and morphology are examined using a scanning electron microscope and a transmission electron microscope. The effect of laser fluence and collector position on the distribution of particle size is investigated. The dynamics of ablation plume and shock wave is analyzed by monitoring the photoacoustic probe-beam deflection signal. Nanosecond time-resolved images of the ablation process are also obtained by laser flash shadowgraphy. Based on the experimental results, discussions are made on the dynamics of ablation plume.
본 연구는 발광층으로의 전자 주입을 억제하기 위해 ZnO 나노입자보다 낮은 전자 이동도를 갖는 $TiO_2$ 나노입자를 무기 전자 수송층으로 사용하여 standard와 inverted 두 가지 구조의 양자점 전계발광 소자를 제작하고 그 특성을 비교하였다. Standard 구조의 소자에서는 전류 밀도가 낮은 것에 비해 inverted 구조의 소자에서는 전류 밀도가 매우 높은 것을 확인하였다. 휘도의 경우 inverted 구조의 소자가 standard 구조의 소자보다 더 높았지만 높은 전류 밀도로 인해 낮은 전류 효율을 나타냈다. 또한 전류 밀도가 높은 만큼 구동 전압이 높았으며, 방출 파장 스펙트럼에서 적색 편이를 확인하였다. Standard 구조의 소자에서 나타난 낮은 전류 밀도를 통해, $TiO_2$ 나노입자가 양자점 전계발광 소자에서 전자 주입을 억제할 수 있는 가능성을 확인하였다.
Muhammad Aslam Khoso;Seher Saleem;Altaf H. Nizamani;Hussain Saleem;Abdul Majid Soomro;Waseem Ahmed Bhutto;Saifullah Jamali;Nek Muhammad Shaikh
International Journal of Computer Science & Network Security
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제24권6호
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pp.200-206
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2024
Laser induced breakdown spectroscopy (LIBS) technique has been used for the elemental composition of the soils. In this technique, a high energy laser pulse is focused on a sample to produce plasma. From the spectroscopic analysis of such plasma plume, we have determined the different elements present in the soil. This technique is effective and rapid for the qualitative and quantitative analysis of all type of samples. In this work a Q-switched Nd: YAG laser operating with its fundamental mode (1064 nm laser wavelength), 5 nanosecond pulse width, and 10 Hz repetition rate was focused on soil samples using 10 cm quartz lens. The emission spectra of soil consist of Iron (Fe), Calcium (Ca), Titanium (Ti), Silicon (Si), Aluminum (Al), Magnesium (Mg), Manganese (Mn), Potassium (K), Nickel (Ni), Chromium (Cr), Copper (Cu), Mercury (Hg), Barium (Ba), Vanadium (V), Lead (Pb), Nitrogen (N), Scandium (Sc), Hydrogen (H), Strontium (Sr), and Lithium (Li) with different finger-prints of the transition lines. The maximum intensity of the transition lines was observed close to the surface of the sample and it was decreased along the axial direction of the plasma expansion due to the thermalization and the recombination process. We have also determined the plasma parameters such as electron temperature and the electron number density of the plasma using Boltzmann's plot method as well as the Stark broadening of the transition lines respectively. The electron temperature is estimated at 14611 °K, whereas the electron number density i.e. 4.1 × 1016 cm-3 lies close to the surface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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